🗊Презентация Электронно-дырочный переход

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Электронно-дырочный переход, слайд №1Электронно-дырочный переход, слайд №2Электронно-дырочный переход, слайд №3Электронно-дырочный переход, слайд №4Электронно-дырочный переход, слайд №5Электронно-дырочный переход, слайд №6Электронно-дырочный переход, слайд №7Электронно-дырочный переход, слайд №8Электронно-дырочный переход, слайд №9Электронно-дырочный переход, слайд №10Электронно-дырочный переход, слайд №11Электронно-дырочный переход, слайд №12Электронно-дырочный переход, слайд №13Электронно-дырочный переход, слайд №14Электронно-дырочный переход, слайд №15Электронно-дырочный переход, слайд №16
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Доклад-сообщение содержит 16 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Электронно-дырочный переход, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Допущения Допущения Приложенное к полупроводнику напряжение падает на p-n переходе.
Описание слайда:
Допущения Допущения Приложенное к полупроводнику напряжение падает на p-n переходе.

Слайд 3


§ 3.1. Прямосмещенный p-n переход Прямое смещение перехода: к p-области подключен положительный полюс источника напряжения, а к n-области – отрицательный. Ширина прямосмещенного p-n перехода: Высота потенциального барьера :
Описание слайда:
§ 3.1. Прямосмещенный p-n переход Прямое смещение перехода: к p-области подключен положительный полюс источника напряжения, а к n-области – отрицательный. Ширина прямосмещенного p-n перехода: Высота потенциального барьера :

Слайд 4


Электронно-дырочный переход, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Инжекцией называется процесс нагнетания (введения) носителей заряда через p-n переход при понижении высоты потенциального барьера в область полупроводника, для которого они являются неосновными носителями заряда. В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер.
Описание слайда:
Инжекцией называется процесс нагнетания (введения) носителей заряда через p-n переход при понижении высоты потенциального барьера в область полупроводника, для которого они являются неосновными носителями заряда. В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер.

Слайд 6


Область, инжектирующая носители заряда, называется эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет низкое удельное сопротивление. Область, в которую инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется базой. База меньше легирована примесями и имеет большее значение удельного сопротивления.
Описание слайда:
Область, инжектирующая носители заряда, называется эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет низкое удельное сопротивление. Область, в которую инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется базой. База меньше легирована примесями и имеет большее значение удельного сопротивления.

Слайд 7


В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области. В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области. В каждом из слоев появляются избыточные носители:
Описание слайда:
В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области. В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области. В каждом из слоев появляются избыточные носители:

Слайд 8


Коэффициент инжекции показывает какую часть полного тока создают основные носители эмиттера
Описание слайда:
Коэффициент инжекции показывает какую часть полного тока создают основные носители эмиттера

Слайд 9


Электронно-дырочный переход, слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10


§ 3.2. Обратносмещенный p-n переход Обратное смещение p-n перехода: к p-области подключен отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-области – положительный. Ширина обратносмещенного p-n перехода: Высота потенциального барьера :
Описание слайда:
§ 3.2. Обратносмещенный p-n переход Обратное смещение p-n перехода: к p-области подключен отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-области – положительный. Ширина обратносмещенного p-n перехода: Высота потенциального барьера :

Слайд 11


Электронно-дырочный переход, слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12


Экстракцией называется извлечение неосновных носителей заряда из областей, прилегающих к p-n переходу на расстоянии диффузионной длины, возникающее при увеличении высоты потенциального барьера. Экстракция происходит из базы в эмиттер.
Описание слайда:
Экстракцией называется извлечение неосновных носителей заряда из областей, прилегающих к p-n переходу на расстоянии диффузионной длины, возникающее при увеличении высоты потенциального барьера. Экстракция происходит из базы в эмиттер.

Слайд 13


Электронно-дырочный переход, слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Электронно-дырочный переход, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15


Выводы Если подключить источник э.д.с. U между p- и n-слоями, то равновесие перехода нарушится и в цепи потечет ток. Поскольку удельное сопротивление обедненного слоя намного выше, чем удельные сопротивления нейтральных слоев, то внешнее напряжение практически полностью падает на переходе и изменяет высоту потенциального барьера. В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер: из эмиттера в базу нагнетаются неосновные для базы носители заряда.
Описание слайда:
Выводы Если подключить источник э.д.с. U между p- и n-слоями, то равновесие перехода нарушится и в цепи потечет ток. Поскольку удельное сопротивление обедненного слоя намного выше, чем удельные сопротивления нейтральных слоев, то внешнее напряжение практически полностью падает на переходе и изменяет высоту потенциального барьера. В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер: из эмиттера в базу нагнетаются неосновные для базы носители заряда.

Слайд 16


Выводы Дрейфовый ток несимметричного перехода создается преимущественно неосновными носителями заряда базы, т.е. преобладает экстракция неосновных носителей заряда из базы.
Описание слайда:
Выводы Дрейфовый ток несимметричного перехода создается преимущественно неосновными носителями заряда базы, т.е. преобладает экстракция неосновных носителей заряда из базы.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию