🗊Презентация Солнечные батареи

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Солнечные батареи, слайд №1Солнечные батареи, слайд №2Солнечные батареи, слайд №3Солнечные батареи, слайд №4Солнечные батареи, слайд №5Солнечные батареи, слайд №6Солнечные батареи, слайд №7Солнечные батареи, слайд №8Солнечные батареи, слайд №9Солнечные батареи, слайд №10Солнечные батареи, слайд №11Солнечные батареи, слайд №12Солнечные батареи, слайд №13Солнечные батареи, слайд №14Солнечные батареи, слайд №15Солнечные батареи, слайд №16Солнечные батареи, слайд №17Солнечные батареи, слайд №18Солнечные батареи, слайд №19Солнечные батареи, слайд №20Солнечные батареи, слайд №21Солнечные батареи, слайд №22Солнечные батареи, слайд №23Солнечные батареи, слайд №24

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Солнечные батареи. Доклад-сообщение содержит 24 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1






Эффективность солнечных ячеек из кремния выше, но производство дорогостоящее энерго- и ресурсозатратное
Описание слайда:
Эффективность солнечных ячеек из кремния выше, но производство дорогостоящее энерго- и ресурсозатратное

Слайд 2






Ключевым элементом солнечной батареи является так называемый кремниевый фотогальванический элемент или фотоэлемент, который преобразует видимый солнечный свет, инфракрасное и ультрафиолетовое излучение в электричество.
Описание слайда:
Ключевым элементом солнечной батареи является так называемый кремниевый фотогальванический элемент или фотоэлемент, который преобразует видимый солнечный свет, инфракрасное и ультрафиолетовое излучение в электричество.

Слайд 3





Основой устройства является поверхность соприкосновения двух типов кремния, которые предусматривает конструкция фотоэлемента. Поскольку верхняя часть элемента прозрачна, солнечный свет без препятствий падает непосредственно на кремний. Положительный электрод сделан в виде ребер жесткости из металла, которые соединяют проводами. Отрицательный электрод  представляет собой металлическую подложку, которая в свою очередь находится в контакте с кремниевыми пластинами фотоэлемента.
Основой устройства является поверхность соприкосновения двух типов кремния, которые предусматривает конструкция фотоэлемента. Поскольку верхняя часть элемента прозрачна, солнечный свет без препятствий падает непосредственно на кремний. Положительный электрод сделан в виде ребер жесткости из металла, которые соединяют проводами. Отрицательный электрод  представляет собой металлическую подложку, которая в свою очередь находится в контакте с кремниевыми пластинами фотоэлемента.
При попадании солнечного света на поверхность фотоэлемента, между двумя типами кремния возникает разница так называемых потенциалов или электрическое напряжение. При подключении к элементу нагрузки сила тока возрастает пропорционально яркости солнечного света, вплоть до определенного критического значения. При усилении интенсивности освещения сила тока достигает максимума и выравнивается. Такой максимум называется током насыщения. Отношение вырабатываемой электроэнергии к силе света падающего на фотоэлемент называется коэффициентом преобразования или коэффициентом полезного действия (КПД).
Для конструирования солнечной батареи не нужно чего-то особенного. Фотоэлектрические ячейки (один фотоэлемент) можно объединить в последовательно-параллельные соединения, повышая тем самым выходную мощность всей панели. Когда несколько фотоэлементов соединяются в цепь последовательно, их выходное напряжение увеличивается. Когда такие конструкции далее подсоединяются параллельно, их максимальная сила тока эквивалентна произведению максимальной силы тока одной ячейки или их последовательной комбинации, на количество таких ячеек или их последовательных комбинаций. При этом максимальная мощность последовательно-параллельного соединения одинаковых ячеек эквивалентна произведению максимальной мощности каждой ячейки на количество ячеек.
Описание слайда:
Основой устройства является поверхность соприкосновения двух типов кремния, которые предусматривает конструкция фотоэлемента. Поскольку верхняя часть элемента прозрачна, солнечный свет без препятствий падает непосредственно на кремний. Положительный электрод сделан в виде ребер жесткости из металла, которые соединяют проводами. Отрицательный электрод  представляет собой металлическую подложку, которая в свою очередь находится в контакте с кремниевыми пластинами фотоэлемента. Основой устройства является поверхность соприкосновения двух типов кремния, которые предусматривает конструкция фотоэлемента. Поскольку верхняя часть элемента прозрачна, солнечный свет без препятствий падает непосредственно на кремний. Положительный электрод сделан в виде ребер жесткости из металла, которые соединяют проводами. Отрицательный электрод  представляет собой металлическую подложку, которая в свою очередь находится в контакте с кремниевыми пластинами фотоэлемента. При попадании солнечного света на поверхность фотоэлемента, между двумя типами кремния возникает разница так называемых потенциалов или электрическое напряжение. При подключении к элементу нагрузки сила тока возрастает пропорционально яркости солнечного света, вплоть до определенного критического значения. При усилении интенсивности освещения сила тока достигает максимума и выравнивается. Такой максимум называется током насыщения. Отношение вырабатываемой электроэнергии к силе света падающего на фотоэлемент называется коэффициентом преобразования или коэффициентом полезного действия (КПД). Для конструирования солнечной батареи не нужно чего-то особенного. Фотоэлектрические ячейки (один фотоэлемент) можно объединить в последовательно-параллельные соединения, повышая тем самым выходную мощность всей панели. Когда несколько фотоэлементов соединяются в цепь последовательно, их выходное напряжение увеличивается. Когда такие конструкции далее подсоединяются параллельно, их максимальная сила тока эквивалентна произведению максимальной силы тока одной ячейки или их последовательной комбинации, на количество таких ячеек или их последовательных комбинаций. При этом максимальная мощность последовательно-параллельного соединения одинаковых ячеек эквивалентна произведению максимальной мощности каждой ячейки на количество ячеек.

Слайд 4





Тонкие, лёгкие и гибкие батареи из аморфного кремния удобный в строительстве вариант, однако их эффективность по сравнению с другими существующими технологиями низка. 
Тонкие, лёгкие и гибкие батареи из аморфного кремния удобный в строительстве вариант, однако их эффективность по сравнению с другими существующими технологиями низка. 
Технология CIS, солнечных ячеек с применением соединения меди, индия и селена, которое по кристаллической структуре относится к минералу халькопириту. Солнечные ячейки с прямопереходным полупроводником CIS обладают высокой эффективностью, которая достигается благодаря оптимизации запрещённой зоны и p-n перехода. Коэффициент поглощения соединения CuInSe2 выше, чем у других используемых в солнечной энергетике полупроводников, что позволяет изготавливать из него плёночные солнечные батареи, применяющиеся при изготовлении строительных модулей из стабильного стеклянного композита.
Описание слайда:
Тонкие, лёгкие и гибкие батареи из аморфного кремния удобный в строительстве вариант, однако их эффективность по сравнению с другими существующими технологиями низка. Тонкие, лёгкие и гибкие батареи из аморфного кремния удобный в строительстве вариант, однако их эффективность по сравнению с другими существующими технологиями низка. Технология CIS, солнечных ячеек с применением соединения меди, индия и селена, которое по кристаллической структуре относится к минералу халькопириту. Солнечные ячейки с прямопереходным полупроводником CIS обладают высокой эффективностью, которая достигается благодаря оптимизации запрещённой зоны и p-n перехода. Коэффициент поглощения соединения CuInSe2 выше, чем у других используемых в солнечной энергетике полупроводников, что позволяет изготавливать из него плёночные солнечные батареи, применяющиеся при изготовлении строительных модулей из стабильного стеклянного композита.

Слайд 5





Полупроводниковая структура наносится на стекло микрометровым слоем методом соиспарения, такая технология энергоэффективна, использует меньше материалов и повышает долговечность защищённой со всех сторон батареи, которая может использоваться вместо кровельного материала или в качестве элемента остекления, потому что она полупрозрачна, обладает свойствами тепло- и звукоизоляции. 
Полупроводниковая структура наносится на стекло микрометровым слоем методом соиспарения, такая технология энергоэффективна, использует меньше материалов и повышает долговечность защищённой со всех сторон батареи, которая может использоваться вместо кровельного материала или в качестве элемента остекления, потому что она полупрозрачна, обладает свойствами тепло- и звукоизоляции.
Описание слайда:
Полупроводниковая структура наносится на стекло микрометровым слоем методом соиспарения, такая технология энергоэффективна, использует меньше материалов и повышает долговечность защищённой со всех сторон батареи, которая может использоваться вместо кровельного материала или в качестве элемента остекления, потому что она полупрозрачна, обладает свойствами тепло- и звукоизоляции. Полупроводниковая структура наносится на стекло микрометровым слоем методом соиспарения, такая технология энергоэффективна, использует меньше материалов и повышает долговечность защищённой со всех сторон батареи, которая может использоваться вместо кровельного материала или в качестве элемента остекления, потому что она полупрозрачна, обладает свойствами тепло- и звукоизоляции.

Слайд 6


Солнечные батареи, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7





Элементы Sphelar представляют собой капли затвердевшего кремния размерами 1,8 мм в диаметре. Основным преимуществом этих элементов является высокий уровень прозрачности. Это позволяет «встраивать» их в стекло, тем самым получая прозрачное окно с солнечными элементами, способными поглощать свет в любом направлении и под любым углом. А поскольку стекло может поглощать свет с обеих сторон, эта технология способна привести к более эффективному преобразованию солнечной энергии в электричество. 
Элементы Sphelar представляют собой капли затвердевшего кремния размерами 1,8 мм в диаметре. Основным преимуществом этих элементов является высокий уровень прозрачности. Это позволяет «встраивать» их в стекло, тем самым получая прозрачное окно с солнечными элементами, способными поглощать свет в любом направлении и под любым углом. А поскольку стекло может поглощать свет с обеих сторон, эта технология способна привести к более эффективному преобразованию солнечной энергии в электричество.
Описание слайда:
Элементы Sphelar представляют собой капли затвердевшего кремния размерами 1,8 мм в диаметре. Основным преимуществом этих элементов является высокий уровень прозрачности. Это позволяет «встраивать» их в стекло, тем самым получая прозрачное окно с солнечными элементами, способными поглощать свет в любом направлении и под любым углом. А поскольку стекло может поглощать свет с обеих сторон, эта технология способна привести к более эффективному преобразованию солнечной энергии в электричество. Элементы Sphelar представляют собой капли затвердевшего кремния размерами 1,8 мм в диаметре. Основным преимуществом этих элементов является высокий уровень прозрачности. Это позволяет «встраивать» их в стекло, тем самым получая прозрачное окно с солнечными элементами, способными поглощать свет в любом направлении и под любым углом. А поскольку стекло может поглощать свет с обеих сторон, эта технология способна привести к более эффективному преобразованию солнечной энергии в электричество.

Слайд 8





КПД выпускаемых промышленностью солнечных элементов варьируется в зависимости от организации атомов кремния от 15-25% у монокристаллических, 12-17% - у поликристаллических, 6-10% - у аморфных. Сочетание с кремниевых элементов с тонкопленочными из теллурида кадмия (CdTe) позволяет достичь КПД 8-12%. 
КПД выпускаемых промышленностью солнечных элементов варьируется в зависимости от организации атомов кремния от 15-25% у монокристаллических, 12-17% - у поликристаллических, 6-10% - у аморфных. Сочетание с кремниевых элементов с тонкопленочными из теллурида кадмия (CdTe) позволяет достичь КПД 8-12%. 
Для изготовления солнечных элементов применяется также технология с использованием в качестве солнечных ячеек соединения меди, индия и селена (CuInSe2), которое по кристаллической структуре относится к минералу халькопириту. Высокая эффективность ячеек с прямопереходным полупроводником достигается путем оптимизации запрещенной зоны. Кроме того, коэффициент поглощения медь-индий-диселенида и его твердые растворы Cu(In,Ga)Se2 имеют максимально широкую спектральную полосу поглощения солнечного излучения, что позволяет повышать и контролировать КПД фотопреобразования, превышающий 20%. 
Cоединения структуры перовскита (например, искусственного перовскита с галогенидом свинца или индия галлия арсенид). За счет изменения состава ингредиентов можно менять ширину запрещенной зоны, что позволит повысить КПД перовскитовых элементов. Важно, что за счет предлагаемых материалов можно успешно повышать КПД известных кремниевых элементов. Например, перовскиты используют более коротковолновую часть солнечного спектра по сравнению с кремнием, генерируя электроны более высокой энергии. Нанося слой перовскита на слой кремния можно получить эффект улавливания большей части солнечного спектра.
Описание слайда:
КПД выпускаемых промышленностью солнечных элементов варьируется в зависимости от организации атомов кремния от 15-25% у монокристаллических, 12-17% - у поликристаллических, 6-10% - у аморфных. Сочетание с кремниевых элементов с тонкопленочными из теллурида кадмия (CdTe) позволяет достичь КПД 8-12%. КПД выпускаемых промышленностью солнечных элементов варьируется в зависимости от организации атомов кремния от 15-25% у монокристаллических, 12-17% - у поликристаллических, 6-10% - у аморфных. Сочетание с кремниевых элементов с тонкопленочными из теллурида кадмия (CdTe) позволяет достичь КПД 8-12%. Для изготовления солнечных элементов применяется также технология с использованием в качестве солнечных ячеек соединения меди, индия и селена (CuInSe2), которое по кристаллической структуре относится к минералу халькопириту. Высокая эффективность ячеек с прямопереходным полупроводником достигается путем оптимизации запрещенной зоны. Кроме того, коэффициент поглощения медь-индий-диселенида и его твердые растворы Cu(In,Ga)Se2 имеют максимально широкую спектральную полосу поглощения солнечного излучения, что позволяет повышать и контролировать КПД фотопреобразования, превышающий 20%. Cоединения структуры перовскита (например, искусственного перовскита с галогенидом свинца или индия галлия арсенид). За счет изменения состава ингредиентов можно менять ширину запрещенной зоны, что позволит повысить КПД перовскитовых элементов. Важно, что за счет предлагаемых материалов можно успешно повышать КПД известных кремниевых элементов. Например, перовскиты используют более коротковолновую часть солнечного спектра по сравнению с кремнием, генерируя электроны более высокой энергии. Нанося слой перовскита на слой кремния можно получить эффект улавливания большей части солнечного спектра.

Слайд 9


Солнечные батареи, слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10


Солнечные батареи, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11


Солнечные батареи, слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12





Аспекты тепловой защиты зданий
Эффективные системы инженерного оборудования зданий;
Соблюдение параметров микроклимата и теплового режима зданий;
Корректный расчет (проектирование), строительство (монтаж) и эксплуатация конструкций
Применение эффективных теплоизоляционных материалов
Описание слайда:
Аспекты тепловой защиты зданий Эффективные системы инженерного оборудования зданий; Соблюдение параметров микроклимата и теплового режима зданий; Корректный расчет (проектирование), строительство (монтаж) и эксплуатация конструкций Применение эффективных теплоизоляционных материалов

Слайд 13





Методы сокращения теплопотерь
Улучшенная теплоизоляция стандартных строительных элементов (кровля, стены, полы и т.п.);
Уменьшение тепловых мостов за счет качественного выполнения работ;
Герметизация оболочки здания;
Использование специальных материалов и конструкций для светопрозрачных элементов зданий;
Высокоэффективная рекуперация тепла из вытяжного воздуха.
Описание слайда:
Методы сокращения теплопотерь Улучшенная теплоизоляция стандартных строительных элементов (кровля, стены, полы и т.п.); Уменьшение тепловых мостов за счет качественного выполнения работ; Герметизация оболочки здания; Использование специальных материалов и конструкций для светопрозрачных элементов зданий; Высокоэффективная рекуперация тепла из вытяжного воздуха.

Слайд 14





Улучшенная теплоизоляция стандартных строительных элементов
Описание слайда:
Улучшенная теплоизоляция стандартных строительных элементов

Слайд 15





Теплоизоляционный материал на основе льна
Описание слайда:
Теплоизоляционный материал на основе льна

Слайд 16


Солнечные батареи, слайд №16
Описание слайда:

Слайд 17





Пенопласты Neopor
Описание слайда:
Пенопласты Neopor

Слайд 18


Солнечные батареи, слайд №18
Описание слайда:

Слайд 19





Примеры применения Neopor
Описание слайда:
Примеры применения Neopor

Слайд 20





Мостики холода
Описание слайда:
Мостики холода

Слайд 21





Вакуумные изоляционные панели
Переход к вакууму в газе с уменьшением давления начинается с нарушения условия для значений чисел Кнудсена Kn=L/d << 1 и завершается при достижении условия Kn >>1 (L – длина свободного пробега молекулы газа, d – характерный размер полости). Если давление газа достигло области значений, для которых средняя длина свободного пробега молекул L становится сравнимой с размерами полости, в которой газ заключен, то обычное понятие теплопроводности – явления, обусловленного столкновениями молекул, – теряет смысл. Именно поэтому для газа в данных условиях используется термин «теплопередача», а не теплопроводность. В применении к пористым теплоизоляционным материалам термин теплопроводность носит условный, то есть эквивалентный характер, поскольку в них наблюдается не только чистая теплопроводность, как в однородных твердых телах. Передача теплоты в таких системах осуществляется посредством:
кондуктивной теплопроводности твердого скелета, образующего пористую структуру материала;
кондуктивной теплопроводности газа, находящегося в капиллярах или ячейках пор;
излучения между стенками пор (радиационная теплопроводность);
конвекции вследствие перемещения газа в пористой структуре изоляции.
При сравнении теплопроводности герметичных и открытых пористых систем видна более высокая теплопроводность открытых систем. Эффективная теплопроводность является сложной функцией, зависящей от многих факторов: температуры, давления газа в порах, размера пор, степени черноты стенок капилляров и ячеек, оказывающих различное влияние на величину коэффициента теплопроводности. Перенос тепла теплопроводностью газа в пористом материале уменьшается как при увеличении длины L пробега молекул, то есть снижении давления, так и при уменьшении размеров пор. Размеры пор в материалах, применяемых для создания современной вакуумно-порошковой изоляции, составляют несколько нанометров. Теплопередача газа в таких материалах начинает уменьшаться уже при давлениях, близких к атмосферному, а при давлении 10–3–10–4 бар становится настолько незначительной, что ею можно пренебречь. Это одно из основных достоинств вакуумно-порошковой изоляции.
Описание слайда:
Вакуумные изоляционные панели Переход к вакууму в газе с уменьшением давления начинается с нарушения условия для значений чисел Кнудсена Kn=L/d << 1 и завершается при достижении условия Kn >>1 (L – длина свободного пробега молекулы газа, d – характерный размер полости). Если давление газа достигло области значений, для которых средняя длина свободного пробега молекул L становится сравнимой с размерами полости, в которой газ заключен, то обычное понятие теплопроводности – явления, обусловленного столкновениями молекул, – теряет смысл. Именно поэтому для газа в данных условиях используется термин «теплопередача», а не теплопроводность. В применении к пористым теплоизоляционным материалам термин теплопроводность носит условный, то есть эквивалентный характер, поскольку в них наблюдается не только чистая теплопроводность, как в однородных твердых телах. Передача теплоты в таких системах осуществляется посредством: кондуктивной теплопроводности твердого скелета, образующего пористую структуру материала; кондуктивной теплопроводности газа, находящегося в капиллярах или ячейках пор; излучения между стенками пор (радиационная теплопроводность); конвекции вследствие перемещения газа в пористой структуре изоляции. При сравнении теплопроводности герметичных и открытых пористых систем видна более высокая теплопроводность открытых систем. Эффективная теплопроводность является сложной функцией, зависящей от многих факторов: температуры, давления газа в порах, размера пор, степени черноты стенок капилляров и ячеек, оказывающих различное влияние на величину коэффициента теплопроводности. Перенос тепла теплопроводностью газа в пористом материале уменьшается как при увеличении длины L пробега молекул, то есть снижении давления, так и при уменьшении размеров пор. Размеры пор в материалах, применяемых для создания современной вакуумно-порошковой изоляции, составляют несколько нанометров. Теплопередача газа в таких материалах начинает уменьшаться уже при давлениях, близких к атмосферному, а при давлении 10–3–10–4 бар становится настолько незначительной, что ею можно пренебречь. Это одно из основных достоинств вакуумно-порошковой изоляции.

Слайд 22


Солнечные батареи, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23





Летняя теплозащита Micronal
Описание слайда:
Летняя теплозащита Micronal

Слайд 24





Примеры зданий с использованием латентной теплозащиты Micronal
Описание слайда:
Примеры зданий с использованием латентной теплозащиты Micronal



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию