🗊Презентация Методы травления материалов электронной техники

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Методы травления материалов электронной техники, слайд №1Методы травления материалов электронной техники, слайд №2Методы травления материалов электронной техники, слайд №3Методы травления материалов электронной техники, слайд №4Методы травления материалов электронной техники, слайд №5Методы травления материалов электронной техники, слайд №6Методы травления материалов электронной техники, слайд №7Методы травления материалов электронной техники, слайд №8Методы травления материалов электронной техники, слайд №9Методы травления материалов электронной техники, слайд №10Методы травления материалов электронной техники, слайд №11

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Методы травления материалов электронной техники. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Методы травления материалов электронной техники
Выполнили: студенты гр. МФЭ-13
Павел Королев и Вера Петроченкова
Проверил: доцент каф. МФЭ
к. т. н. Лазаренко П. И.
Описание слайда:
Методы травления материалов электронной техники Выполнили: студенты гр. МФЭ-13 Павел Королев и Вера Петроченкова Проверил: доцент каф. МФЭ к. т. н. Лазаренко П. И.

Слайд 2





Введение
Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности;
При травлении испытываются адгезия, непроницаемость, уровень дефектности и химическая инертность резиста; 
Наиболее важными параметрами процесса являются стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке.
Описание слайда:
Введение Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности; При травлении испытываются адгезия, непроницаемость, уровень дефектности и химическая инертность резиста; Наиболее важными параметрами процесса являются стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке.

Слайд 3





Виды травления
Жидкостное (химическое) травление:
     а) анизотропное
     б) изотропное
     в) селективное
Сухое травление:
     а) ионное
     б) ионно-химическое
     в) плазмохимическое
Описание слайда:
Виды травления Жидкостное (химическое) травление: а) анизотропное б) изотропное в) селективное Сухое травление: а) ионное б) ионно-химическое в) плазмохимическое

Слайд 4





Анизотропное травление
Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания узких разделяющих щелей;
Травление идет медленно и требуется нагрев раствора до температуры, близкой к его кипению.
Описание слайда:
Анизотропное травление Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания узких разделяющих щелей; Травление идет медленно и требуется нагрев раствора до температуры, близкой к его кипению.

Слайд 5





Изотропное травление
Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как вглубь, так и под маску;
Основным компонентом травителя является плавиковая кислота HF;
W > W0 + 2d, где W – размер вытравленной области, W0 – размер отверстия в маске, d – толщина слоя диоксида кремния.
Описание слайда:
Изотропное травление Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как вглубь, так и под маску; Основным компонентом травителя является плавиковая кислота HF; W > W0 + 2d, где W – размер вытравленной области, W0 – размер отверстия в маске, d – толщина слоя диоксида кремния.

Слайд 6





Селективное травление
Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;
Мерой селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя.
Описание слайда:
Селективное травление Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре; Мерой селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя.

Слайд 7





Ионное травление
Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;
S = k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где k — коэффициент, характеризующий состояние поверхности; λ — средняя длина свободного пробега иона в обрабатываемом материале, зависящая от θ.
Описание слайда:
Ионное травление Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин; S = k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где k — коэффициент, характеризующий состояние поверхности; λ — средняя длина свободного пробега иона в обрабатываемом материале, зависящая от θ.

Слайд 8





Ионно-химическое травление
Представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;
Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления материалов;
Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры.
Описание слайда:
Ионно-химическое травление Представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц; Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления материалов; Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры.

Слайд 9





Плазмохимическое травление
Происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и поверхностными атомами материала;
осуществляется при энергиях ниже 100 эВ;
Процессы плазмохимического травления могут обеспечить обработку поликремниевых структур, а также удаление масок с фоторезистов.
Описание слайда:
Плазмохимическое травление Происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и поверхностными атомами материала; осуществляется при энергиях ниже 100 эВ; Процессы плазмохимического травления могут обеспечить обработку поликремниевых структур, а также удаление масок с фоторезистов.

Слайд 10





Требования к процессам травления
     К процессам травления предъявляются следующие       требования:
высокая селективность; 
отсутствие деградирующего влияния на свойства и размеры защитных масок;
низкий уровень загрязненности поверхности материала и искажения полученного рельефа; 
высокая воспроизводимость и равномерность травления; 
минимальный уровень загрязнения окружающей среды.
Описание слайда:
Требования к процессам травления К процессам травления предъявляются следующие требования: высокая селективность; отсутствие деградирующего влияния на свойства и размеры защитных масок; низкий уровень загрязненности поверхности материала и искажения полученного рельефа; высокая воспроизводимость и равномерность травления; минимальный уровень загрязнения окружающей среды.

Слайд 11





Спасибо за внимание!
Описание слайда:
Спасибо за внимание!



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию