🗊Презентация Полупроводниковые лазеры

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Полупроводниковые лазеры, слайд №1Полупроводниковые лазеры, слайд №2Полупроводниковые лазеры, слайд №3Полупроводниковые лазеры, слайд №4Полупроводниковые лазеры, слайд №5Полупроводниковые лазеры, слайд №6Полупроводниковые лазеры, слайд №7Полупроводниковые лазеры, слайд №8Полупроводниковые лазеры, слайд №9Полупроводниковые лазеры, слайд №10Полупроводниковые лазеры, слайд №11Полупроводниковые лазеры, слайд №12Полупроводниковые лазеры, слайд №13Полупроводниковые лазеры, слайд №14Полупроводниковые лазеры, слайд №15

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полупроводниковые лазеры. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Полупроводниковые лазеры
Описание слайда:
Полупроводниковые лазеры

Слайд 2


Полупроводниковые лазеры, слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Полупроводниковые лазеры, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Полупроводниковые лазеры, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Полупроводниковые лазеры, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Полупроводниковые лазеры, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Полупроводниковые лазеры, слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


Полупроводниковые лазеры, слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


Полупроводниковые лазеры, слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10


Полупроводниковые лазеры, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11





Применение

Важные с практической точки зрения достоинства полупроводниковых лазеров:
1.Экономичность, обеспечиваемая высокой эффективностью преобразования подводимой энергии в энергию когерентного излучения.
2.Малоинерционность, обусловленная короткими характеристическими временами установления режима генерации (10-10—10-9 с).
3.Компактность, обусловленная свойством полупроводников развивать огромное оптическое усиление и поэтому не требовать большой длины активной среды для поддержания режима генерации.
4.Простота устройства, обеспечиваемая рядом факторов: жесткостью монтажа, возможностью низковольтного питания, совместимостью с интегральными схемами полупроводниковой электроники (эти свойства присущи инжекционным лазерам).
5.Перестраиваемость длины волны генерации, обусловленная зависимостью оптических характеристик полупроводника от таких физических величин, как температура, давление, напряженность магнитного поля. Наряду с широким выбором подходящих материалов эта способность к перестройке полупроводникового лазера позволяет непрерывно перекрыть спектральный интервал от 0,32 до 32 мкм. [1]
Описание слайда:
Применение Важные с практической точки зрения достоинства полупроводниковых лазеров: 1.Экономичность, обеспечиваемая высокой эффективностью преобразования подводимой энергии в энергию когерентного излучения. 2.Малоинерционность, обусловленная короткими характеристическими временами установления режима генерации (10-10—10-9 с). 3.Компактность, обусловленная свойством полупроводников развивать огромное оптическое усиление и поэтому не требовать большой длины активной среды для поддержания режима генерации. 4.Простота устройства, обеспечиваемая рядом факторов: жесткостью монтажа, возможностью низковольтного питания, совместимостью с интегральными схемами полупроводниковой электроники (эти свойства присущи инжекционным лазерам). 5.Перестраиваемость длины волны генерации, обусловленная зависимостью оптических характеристик полупроводника от таких физических величин, как температура, давление, напряженность магнитного поля. Наряду с широким выбором подходящих материалов эта способность к перестройке полупроводникового лазера позволяет непрерывно перекрыть спектральный интервал от 0,32 до 32 мкм. [1]

Слайд 12


Полупроводниковые лазеры, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13





Заключение

В данном реферате было рассмотрено устройство полупроводникового лазера, принцип его работы, а так же некоторые характеристики и материалы, используемые для создания лазера.
Полупроводниковые лазеры являются фактически самыми эффективными лазерами. В наиболее распространенном варианте полупроводниковый лазер представляет собой кристаллический диод объемом всего в несколько тысячных долей кубическою сантиметра, потребляющий энергию батарейки от карманного фонаря.
Чаще всего можно встретить GaAs – лазер с использованием гетеропереходов.
Полупроводниковые лазеры нашли применение во многих областях науки, промышленности и являются неотъемлемой частью нашей жизни.
Описание слайда:
Заключение В данном реферате было рассмотрено устройство полупроводникового лазера, принцип его работы, а так же некоторые характеристики и материалы, используемые для создания лазера. Полупроводниковые лазеры являются фактически самыми эффективными лазерами. В наиболее распространенном варианте полупроводниковый лазер представляет собой кристаллический диод объемом всего в несколько тысячных долей кубическою сантиметра, потребляющий энергию батарейки от карманного фонаря. Чаще всего можно встретить GaAs – лазер с использованием гетеропереходов. Полупроводниковые лазеры нашли применение во многих областях науки, промышленности и являются неотъемлемой частью нашей жизни.

Слайд 14


Полупроводниковые лазеры, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15





Спасибо за внимание!
Спасибо за внимание!
Описание слайда:
Спасибо за внимание! Спасибо за внимание!



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию