🗊 Презентация TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №1 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №2 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №3 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №4 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №5 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №6 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №7 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №8 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №9 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №10 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №11 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №12 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №13 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №14 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №15 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №16 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №17 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №18 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №19 TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №20
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов. Доклад-сообщение содержит 20 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
Описание слайда:
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов

Слайд 2


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Современное состояние проблемы для Si БТ и SiGe ГБТ
Описание слайда:
Современное состояние проблемы для Si БТ и SiGe ГБТ

Слайд 4


Модели основных физических эффектов системы Synopsys Sentaurus
Описание слайда:
Модели основных физических эффектов системы Synopsys Sentaurus

Слайд 5


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11


Для n-типа материала: Для n-типа материала: Для p-типа материала:
Описание слайда:
Для n-типа материала: Для n-типа материала: Для p-типа материала:

Слайд 12


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Структурные дефекты Структурные дефекты τn(Фn), τp(Фn)
Описание слайда:
Структурные дефекты Структурные дефекты τn(Фn), τp(Фn)

Слайд 14


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №15
Описание слайда:

Слайд 16


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №16
Описание слайда:

Слайд 17


TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов, слайд №17
Описание слайда:

Слайд 18


Спасибо за внимание!
Описание слайда:
Спасибо за внимание!

Слайд 19


Результаты измерения SiGe ГБТ SGB25V до и после облучения
Описание слайда:
Результаты измерения SiGe ГБТ SGB25V до и после облучения

Слайд 20


Результаты моделирования SiGe ГБТ до и после облучения для разных размеров эмиттера
Описание слайда:
Результаты моделирования SiGe ГБТ до и после облучения для разных размеров эмиттера

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию