Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов

Нажмите для полного просмотра!

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №2

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №3

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №4

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №5

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №6

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №7

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №8

Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, слайд №9

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Аэрокосмическая школа. Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов. Доклад-сообщение содержит 23 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Аэрокосмическая школа

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Описание проблемной ситуации

Слайд 4

Описание слайда:

Выращивание кристалла: Метод Чохральского

Слайд 5

Описание слайда:

Способ изготовления электропроводного канала Зо́нная пла́вка — метод очистки твёрдых веществ, основанный на различной растворимости примесей в твёрдой и жидкой фазах. Но этот метод нам не подходит, потому что нельзя создать канал диаметром несколько молекул.

Слайд 6

Описание слайда:

Использованный метод решения проблемной ситуации

Слайд 7

Описание слайда:

Работа Черкашина В первой концепции предлагается применять метод выращивания монокристаллов в паровой фазе с использованием лазера для создания мономолекулярного электропроводного канала.

Слайд 8

Описание слайда:

Недостатки известных способов решения проблемной ситуации

Слайд 9

Описание слайда:

Мы провели расчеты и выяснили, что размер молекулы кремния равен:

Слайд 10

Описание слайда:

Электронный луч вместо лазерного Во второй концепции предлагается использовать вместо лазера электроннолучевую пушку.

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Разрешение противоречия во времени.

Слайд 15

Описание слайда:

Давление света

Слайд 16

Описание слайда:

Давление света

Слайд 17

Описание слайда:

Решение противоречия Мощный поток света задержит пары на некоторый период, и таким образом они не будут мешать процессу движения электронов из пушки к поверхности кристалла.

Слайд 18

Описание слайда:

Решение противоречия

Слайд 19

Описание слайда:

Решение 2

Слайд 20

Описание слайда:

Решение противоречия

Слайд 21

Описание слайда:

Конструкция по технологии Активный элемент представляет собой пластину с полупроводниковыми канальцами в виде «иголочек».

Слайд 22

Описание слайда:

Заданная конструкция

Слайд 23

Описание слайда:

Достоинства и потенциальное развитие Предложенная технология позволит изготавливать полупроводниковые активные элементы миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов, с сетью электропроводящих каналов нанометрического диаметра. В будущем такую технологию можно использовать в более обширных сферах. Например, создание особо тонких смартфонов или мониторов.