🗊 Презентация Маркировка полупроводниковых приборов

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №1 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №2 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №3 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №4 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №5 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №6 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №7 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №8 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №9 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №10 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №11 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №12 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №13 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №14 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №15 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №16 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №17 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №18 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №19 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №20 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №21 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №22 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №23 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №24 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №25 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №26 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №27 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №28 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №29 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №30 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №31 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №32 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №33 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №34 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №35 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №36 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №37 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №38 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №39 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №40 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №41 Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №42

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Маркировка полупроводниковых приборов. Доклад-сообщение содержит 42 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Маркировка полупроводниковых приборов
Описание слайда:
Маркировка полупроводниковых приборов

Слайд 2


Отечественные приборы В основу положен государственный стандарт ГОСТ 10862‑72 а также ряд отраслевых стандартов Применяется буквенно-цифровая...
Описание слайда:
Отечественные приборы В основу положен государственный стандарт ГОСТ 10862‑72 а также ряд отраслевых стандартов Применяется буквенно-цифровая маркировка, отражающая назначение, основные физические и электрические свойства прибора, его конструктивно‑технологические параметры, а также вид полупроводникового материала.

Слайд 3


Обозначения состоят из 5 элементов К(I)Т(II)3(III)15(IV)Б(V)
Описание слайда:
Обозначения состоят из 5 элементов К(I)Т(II)3(III)15(IV)Б(V)

Слайд 4


Первый элемент (I) Буква или цифра, обозначающая материал изготовления прибора: К (1) – кремний и его соединения; Г (2) – германий и его соединения;...
Описание слайда:
Первый элемент (I) Буква или цифра, обозначающая материал изготовления прибора: К (1) – кремний и его соединения; Г (2) – германий и его соединения; А (3) – соединения галлия; И (4) – соединения индия. * цифра вместо буквы означает, что прибор не широкого, а специального применения с повышенными требованиями к параметрам.

Слайд 5


Второй элемент (II) Буква, отражающая подкласс прибора:
Описание слайда:
Второй элемент (II) Буква, отражающая подкласс прибора:

Слайд 6


Третий элемент (III) Цифра, отражающая основные функциональные возможности прибора. Для каждого подкласса приборов в основу функциональных...
Описание слайда:
Третий элемент (III) Цифра, отражающая основные функциональные возможности прибора. Для каждого подкласса приборов в основу функциональных возможностей положены свои параметры.

Слайд 7


Диоды (подкласс Д) Диоды выпрямительные с прямым током (А): 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 – 10 А 3 – диоды прочие
Описание слайда:
Диоды (подкласс Д) Диоды выпрямительные с прямым током (А): 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 – 10 А 3 – диоды прочие

Слайд 8


Тиристоры (подкласс У) С прямым допустимым током в открытом состоянии (А): Незапираемые: 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 – 10 А 7 – более 10 А
Описание слайда:
Тиристоры (подкласс У) С прямым допустимым током в открытом состоянии (А): Незапираемые: 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 – 10 А 7 – более 10 А

Слайд 9


Тиристоры (подкласс У) С прямым допустимым током в открытом состоянии (А): Симметричные: 5 – менее 0,3 А 8 – 0,3 – 10 А 9 – более 10 А
Описание слайда:
Тиристоры (подкласс У) С прямым допустимым током в открытом состоянии (А): Симметричные: 5 – менее 0,3 А 8 – 0,3 – 10 А 9 – более 10 А

Слайд 10


Туннельные диоды (подкласс И) 1 – обращенные 2 – генераторные 3 – усилительные 4 – переключательные
Описание слайда:
Туннельные диоды (подкласс И) 1 – обращенные 2 – генераторные 3 – усилительные 4 – переключательные

Слайд 11


Стабилитроны и стабисторы (подкласс С) с напряжением стабилизации (В) Мощностью менее 0,3 Вт: 1 – менее 10 В 2 – 10 – 100 В 3 – более 100 В
Описание слайда:
Стабилитроны и стабисторы (подкласс С) с напряжением стабилизации (В) Мощностью менее 0,3 Вт: 1 – менее 10 В 2 – 10 – 100 В 3 – более 100 В

Слайд 12


Выпрямительные столбы (подкласс Ц) с прямым током (А) 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 - 10 А
Описание слайда:
Выпрямительные столбы (подкласс Ц) с прямым током (А) 1 – менее 0,3 А 2 – 0,3 - 10 А

Слайд 13


Биполярные и полевые транзисторы (подклассы Т и П) Маломощные P < 0,3 Вт: 1 – низкой частоты Fгр < 3 МГц 2 – средней частоты Fгр = ( 3... 30) МГц 3 –...
Описание слайда:
Биполярные и полевые транзисторы (подклассы Т и П) Маломощные P < 0,3 Вт: 1 – низкой частоты Fгр < 3 МГц 2 – средней частоты Fгр = ( 3... 30) МГц 3 – высокой частоты Fгр > 3 МГц

Слайд 14


Биполярные транзисторы (подкласс Т) Мощные P > 1,5 Вт: 7 – низкой частоты Fгр < 3 МГц 8 – средней частоты Fгр = ( 3... 30) МГц 9 – высокой частоты...
Описание слайда:
Биполярные транзисторы (подкласс Т) Мощные P > 1,5 Вт: 7 – низкой частоты Fгр < 3 МГц 8 – средней частоты Fгр = ( 3... 30) МГц 9 – высокой частоты Fгр > 3 МГц

Слайд 15


Оптоэлектронные приборы (подкласс Л) 1 – ИК излучающие диоды 2 – ИК излучающие модули 3 – светоизлучающие диоды 4 – знаковые индикаторы 5 – знаковые...
Описание слайда:
Оптоэлектронные приборы (подкласс Л) 1 – ИК излучающие диоды 2 – ИК излучающие модули 3 – светоизлучающие диоды 4 – знаковые индикаторы 5 – знаковые табло 6 – шкалы 7 – экраны

Слайд 16


Оптопары (подкласс О) Р – резисторные Д – диодные У – тиристорные Т – транзисторные
Описание слайда:
Оптопары (подкласс О) Р – резисторные Д – диодные У – тиристорные Т – транзисторные

Слайд 17


Четвертый элемент (IV) Двух или трехзначные цифры, отражающие порядковый номер разработки.
Описание слайда:
Четвертый элемент (IV) Двух или трехзначные цифры, отражающие порядковый номер разработки.

Слайд 18


Пятый элемент (V) Буква, указывающая разбраковку по отдельным параметрам. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я,...
Описание слайда:
Пятый элемент (V) Буква, указывающая разбраковку по отдельным параметрам. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Слайд 19


Зарубежные приборы система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принятая объединенным техническим советом по электронным...
Описание слайда:
Зарубежные приборы система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США.

Слайд 20


Первый элемент Цифра, соответствующая числу p-n переходов: 1 – диод; 2 – транзистор; 3 – тиристор.
Описание слайда:
Первый элемент Цифра, соответствующая числу p-n переходов: 1 – диод; 2 – транзистор; 3 – тиристор.

Слайд 21


Второй элемент Буква N и серийный номер, регистрируемый ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA).
Описание слайда:
Второй элемент Буква N и серийный номер, регистрируемый ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA).

Слайд 22


Третий элемент (может отсутствовать) Буквы, указывающие на разбивку элементов по параметрам. # 2N2221A; 2N904
Описание слайда:
Третий элемент (может отсутствовать) Буквы, указывающие на разбивку элементов по параметрам. # 2N2221A; 2N904

Слайд 23


Европейская система Pro Electron Приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами от 100 до 999. #...
Описание слайда:
Европейская система Pro Electron Приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами от 100 до 999. # BA224; AY106

Слайд 24


Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Третий элемент (для спецкомпонентов) Цифра или буква - обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры...
Описание слайда:
Третий элемент (для спецкомпонентов) Цифра или буква - обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В качестве буквы в последнем случае используются заглавные латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п.

Слайд 28


Четвертый элемент (для спецкомпонентов) (2 цифры), означающие порядковый номер технологической разработки, который изменяется от 01 до 99. #...
Описание слайда:
Четвертый элемент (для спецкомпонентов) (2 цифры), означающие порядковый номер технологической разработки, который изменяется от 01 до 99. # ВТХ10-200 – это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.

Слайд 29


Стандарт JIS‑C‑7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan (Япония) Является комбинацией двух предыдущих систем....
Описание слайда:
Стандарт JIS‑C‑7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan (Япония) Является комбинацией двух предыдущих систем. позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается.

Слайд 30


Первый элемент Цифра, обозначающая тип полупроводникового прибора, а также буква s (semiconductor).
Описание слайда:
Первый элемент Цифра, обозначающая тип полупроводникового прибора, а также буква s (semiconductor).

Слайд 31


Второй элемент буква, обозначающая подкласс полупроводниковых приборов:
Описание слайда:
Второй элемент буква, обозначающая подкласс полупроводниковых приборов:

Слайд 32


Маркировка полупроводниковых приборов, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Третий элемент Регистрационный номер технологической разработки (начинается с числа 11). # 1SV21; 1SS30
Описание слайда:
Третий элемент Регистрационный номер технологической разработки (начинается с числа 11). # 1SV21; 1SS30

Слайд 34


Четвертый элемент Отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).
Описание слайда:
Четвертый элемент Отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).

Слайд 35


Маркировка интегральных микросхем В соответствии с ГОСТ 18682-73 "Микросхемы интегральные. Классификация и система условных обозначений" #...
Описание слайда:
Маркировка интегральных микросхем В соответствии с ГОСТ 18682-73 "Микросхемы интегральные. Классификация и система условных обозначений" # К1I57IIУЛIII1IVБV

Слайд 36


Первый элемент Цифра, обозначающая группу микросхем: 1, 5, 7 – полупроводниковые; 2, 4, 6, 8 – гибридные; 3 – пленочные.
Описание слайда:
Первый элемент Цифра, обозначающая группу микросхем: 1, 5, 7 – полупроводниковые; 2, 4, 6, 8 – гибридные; 3 – пленочные.

Слайд 37


* в микросхемах широкого применения перед первым элементом ставят букву «К». * в микросхемах широкого применения перед первым элементом ставят букву...
Описание слайда:
* в микросхемах широкого применения перед первым элементом ставят букву «К». * в микросхемах широкого применения перед первым элементом ставят букву «К». * также перед первым элементом (после буквы К) может ставиться буква. Обозначающая материал и тип корпуса: А – пластмассовый планарный, Б – бескорпусный, Е – металлополимерный, И – стеклокерамический, Р – пластмассовый, Ф – миниатюрный пластмассовый, М – керамический или металлокерамический.

Слайд 38


Второй элемент Двузначное число (от 0 до 99), обозначающее порядковый номер разработки серии микросхем. * микросхемы из одной серии совместимы по...
Описание слайда:
Второй элемент Двузначное число (от 0 до 99), обозначающее порядковый номер разработки серии микросхем. * микросхемы из одной серии совместимы по электрическим параметрам # серия микросхем ТТЛ логики К155

Слайд 39


Третий элемент Две буквы, обозначающие подгруппу и вид микросхемы в соответствии с функциональным назначением.
Описание слайда:
Третий элемент Две буквы, обозначающие подгруппу и вид микросхемы в соответствии с функциональным назначением.

Слайд 40


Обозначения подгрупп микросхем (3-й элемент) Генераторы – Г…; Детекторы – Д…; Коммутаторы – К…; Логические элементы – Л…; Многофункциональные – Х…;...
Описание слайда:
Обозначения подгрупп микросхем (3-й элемент) Генераторы – Г…; Детекторы – Д…; Коммутаторы – К…; Логические элементы – Л…; Многофункциональные – Х…; Модуляторы – М…; Наборы элементов – Н; Преобразователи – П…;

Слайд 41


Вторичные источники питания – Е…; Вторичные источники питания – Е…; Схемы задержки – Б…; Схемы селекции и сравнения – С…; Триггеры – Т…; Усилители –...
Описание слайда:
Вторичные источники питания – Е…; Вторичные источники питания – Е…; Схемы задержки – Б…; Схемы селекции и сравнения – С…; Триггеры – Т…; Усилители – У…; Фильтры - Ф…; Формирователи – А…; Элементы запоминающих устройств – Р…; Элементы арифметических и дискретных устройств – И…

Слайд 42


Самостоятельно Рассмотреть полностью все подклассы (виды) микросхем. Дать описание предложенной микросхеме.
Описание слайда:
Самостоятельно Рассмотреть полностью все подклассы (виды) микросхем. Дать описание предложенной микросхеме.



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию