Методы травления материалов электронной техники - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Методы травления материалов электронной техники, слайд №1

Методы травления материалов электронной техники, слайд №2

Методы травления материалов электронной техники, слайд №3

Методы травления материалов электронной техники, слайд №4

Методы травления материалов электронной техники, слайд №5

Методы травления материалов электронной техники, слайд №6

Методы травления материалов электронной техники, слайд №7

Методы травления материалов электронной техники, слайд №8

Методы травления материалов электронной техники, слайд №9

Методы травления материалов электронной техники, слайд №10

Методы травления материалов электронной техники, слайд №11

Методы травления материалов электронной техники, слайд №12

Методы травления материалов электронной техники, слайд №13

Методы травления материалов электронной техники, слайд №14

Методы травления материалов электронной техники, слайд №15

Методы травления материалов электронной техники, слайд №16

Методы травления материалов электронной техники, слайд №17

Методы травления материалов электронной техники, слайд №18

Методы травления материалов электронной техники, слайд №19

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Методы травления материалов электронной техники. Доклад-сообщение содержит 19 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Методы травления материалов электронной техники

Слайд 2

Описание слайда:

Введение Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности; При травлении испытываются адгезия, уровень дефектности и химическая инертность резиста; Наиболее важными параметрами процесса являются стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке.

Слайд 3

Описание слайда:

Виды травления Жидкостное (химическое) травление: а) анизотропное; б) изотропное; в) селективное. Сухое (плазменное) травление: а) ионное; б) ионно-химическое; в) плазмохимическое.

Слайд 4

Описание слайда:

Химическое травление. Анизотропное. Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания узких разделяющих щелей; Травление идет медленно и требуется нагрев раствора до температуры, близкой к его кипению.

Слайд 5

Описание слайда:

Химическое травление. Изотропное. Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как вглубь, так и под маску; Основным компонентом травителя является плавиковая кислота HF; W > W0 + 2d, где W – размер вытравленной области, W0 – размер отверстия в маске, d – толщина слоя диоксида кремния.

Слайд 6

Описание слайда:

Химическое травление. Селективное. Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре; Мерой селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя.

Слайд 7

Описание слайда:

Недостатки химического травления Невысокая разрешающая способность Изотропность травления Появление загрязнений на поверхности подложек

Слайд 8

Описание слайда:

Плазменное травление При сухих методах существенно уменьшено боковое подтравливание Сухое травление слабо зависит от адгезии защитной маски фоторезиста к подложкам

Слайд 9

Описание слайда:

Плазменное травление

Слайд 10

Описание слайда:

Плазменное травление. Ионное. Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин; S = k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где k — коэффициент, характеризующий состояние поверхности; λ — средняя длина свободного пробега иона в обрабатываемом материале, зависящая от θ.

Слайд 11

Описание слайда:

Ионно-плазменное травление

Слайд 12

Описание слайда:

Ионно-лучевое травление Луч ионов формируется специальным газоразрядным источником и системами вытягивания и ускорения ионов Давление инертного газа в источнике (около 0,1 Па) должно быть достаточно высоким для создания газоразрядной плазмы.

Слайд 13

Описание слайда:

Ионное травление Достоинства: преимущественное травление в направлении нормали к поверхности; безынерционность

Слайд 14

Описание слайда:

Плазмохимическое травление

Слайд 15

Описание слайда:

Плазмохимическое травление

Слайд 16

Описание слайда:

Ионно-химическое травление Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления материалов; Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры.

Слайд 17

Описание слайда:

Плазменное травление Недостатки метода: низкая избирательность травления; повреждение поверхности микросхем фотонами или частицами плазмы; возможное присутствие на подложке мелких нежелательных частиц.

Слайд 18

Описание слайда:

Заключение Жидкостные методы очистки не всегда позволяют получать поверхность, свободную от органических растворителей; плазменное травление по сравнению с жидкостным химическим дает небольшое преимущество по надежности и выходу годных микросхем; «сухие» методы обеспечивают высокую чистоту подложек и не токсичны.