Полупроводниковые транзисторы (триоды) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №1

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №2

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №3

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №4

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №5

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №6

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №7

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №8

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №9

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №10

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №11

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №12

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №13

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №14

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №15

Полупроводниковые транзисторы (триоды), слайд №16

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полупроводниковые транзисторы (триоды). Доклад-сообщение содержит 16 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Полупроводниковые транзисторы (триоды)

Слайд 2

Описание слайда:

Введение Полупроводниковый транзистор представляет собой электронный прибор, состоящий из двух электронно-дырочных переходов. Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором с помощью соответствующих примесей созданы три области ( слоя) с различными типами проводимости. Он состоит из двух p-n переходов и бывает двух видов проводимости: p-n-p и n-p-n. (иногда их еще называют прямой и обратный). Выводы транзистора называют "база", "коллектор" и "эмиттер".

Слайд 3

Описание слайда:

Принцип работы Основная функция транзистора- это усиление сигнала. Если на базу транзистора подать напряжение, то транзистор начнет открываться (от полностью закрытого состояния (Uбазы= 0V) до полностью открытого (этот момент называют напряжение насыщения)). Между коллектором и эмиттером течет сильный ток, он называется коллекторный ток (Iк), между базой и эмиттером - слабый управляющий ток базы (Iб). Величина коллекторного тока зависит от величины тока базы. Причем, коллекторный ток всегда больше тока базы в определенное количество раз. Эта величина называется коэффициент усиления по току, обозначается h21э. У различных типов транзисторов это значение колеблется от единиц до сотен раз. коэффициент усиления по току - это отношение коллекторного тока к току базы: h21э = Iк / Iб

Слайд 4

Описание слайда:

Применение Полупроводниковые транзисторы используются в устройствах телемеханики, передачи данных и автоматики как в аналоговых, так и в цифровых ( дискретных) узлах. В зависимости от области применения транзисторы подразделяются на усилительные, генераторные, преобразовательные и на транзисторы, рассчитанные на работу в импульсных и переключающих режимах.

Слайд 5

Описание слайда:

Разновидности транзисторов Биполярные – транзисторы в которых носителями зарядов могут быть как электроны, так и «дырки». Ток может течь, как в сторону эмиттера, так и в сторону коллектора. Для управления потоком применяются определённые токи управления. Полевые транзисторы – распространённые устройства в которых управление электрическим потоком происходит посредством электрического поля. То есть когда образуется большее поле – больше электронов захватываются им и не могут передать заряды дальше. То есть это своеобразный вентиль, который может менять количество передаваемого заряда (если полевой транзистор с управляемым p—n—переходом). Отличительной особенностью данных транзисторов являются высокое входное напряжение и высокий коэффициент усиления по напряжению. Комбинированные – транзисторы с совмещёнными резисторами, либо другими транзисторами в одном корпусе. Служат для различных целей, но в основном для повышения коэффициента усиления по току.

Слайд 6

Описание слайда:

По структуре

Слайд 7

Описание слайда:

Подтипы Био-транзисторы – основаны на биологических полимерах, которые можно использовать в медицине, биотехнике без вреда для живых организмов. Проводились исследования на основе металлопротеинов, хлорофилла А (полученного из шпината), вируса табачной мозаики. Одноэлектронные транзисторы – впервые были созданы российскими учёными в 1996 году. Могли работать при комнатной температуре в отличии от предшественников. Принцип работы схож с полевым транзистором, но более тонкий. Передатчиком сигнала является один или несколько электронов. Данный транзистор также называют нано- и квантовый транзистор. С помощью данной технологии, в будущем рассчитывают создавать транзисторы с размером меньше 10 нм, на основе графена.

Слайд 8

Описание слайда:

Преимущества Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств: малые размеры и небольшой вес, что способствует развитию миниатюрных электронных устройств; высокая степень автоматизации производственных процессов, что ведёт к снижению удельной стоимости; низкие рабочие напряжения, что позволяет использовать транзисторы в небольших, с питанием от батареек, электронных устройствах; не требуется дополнительного времени на разогрев катода после включения устройства; уменьшение рассеиваемой мощности, что способствует повышению энергоэффективности прибора в целом; высокая надёжность и бо́льшая физическая прочность; очень продолжительный срок службы — некоторые транзисторные устройства находились в эксплуатации более 50 лет; возможность сочетания с дополнительными устройствами, что облегчает разработку дополнительных схем, что не представляется возможным с вакуумными лампами; стойкость к механическим ударам и вибрации, что позволяет избежать проблем при использовании в микрофонах и в аудиоустройствах.

Слайд 9

Описание слайда:

Недостатки (ограничения) кремниевые транзисторы обычно не работают при напряжениях выше 1 кВ (вакуумные лампы могут работать с напряжениями на порядки больше 1 кВ). При коммутации цепей с напряжением свыше 1 кВ как правило используются IGBT транзисторы; применение транзисторов в мощных радиовещательных и СВЧ передатчиках нередко оказывается технически и экономически нецелесообразным: требуется параллельное включение и согласование многих сравнительно маломощных усилителей. Мощные и сверхмощные генераторные лампы с воздушным или водяным охлаждением анода, а также магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ) обеспечивают лучшее сочетание высоких частот, мощностей и приемлемой стоимости. кремниевые транзисторы гораздо более уязвимы, чем вакуумные лампы к действию электромагнитного импульса, в том числе и одного из поражающих факторов высотного ядерного взрыва; чувствительность к радиации и космическим лучам (созданы специальные радиационно-стойкие микросхемы для электронных устройств космических аппаратов);

Слайд 10

Описание слайда:

Сравнение с электронными лампами До разработки транзисторов, вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были главными активными компонентами в электронном оборудовании. По принципу работы наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор. Многие схемы, разработанные для ламп стали применяться и для транзисторов (эти схемы даже получили некоторое развитие, поскольку электронные лампы имеют фактически только один тип проводимости — электронный, транзисторы же могут иметь как электронный, так и дырочный тип проводимости (эквивалент виртуальной «позитронной лампы»)), что привело к широкому использованию комплементарных схем (КМОП); некоторые формулы, описывающие работу ламп, применяются для описания работы полевых транзисторов.

Слайд 11

Описание слайда:

Составные транзисторы (относятся к биополярным) Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами. Транзистор Дарлингтона, пара Шиклаи — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току: 1. на транзисторах одной структуры 2. на транзисторах разной структуры Лямбда-диод — двухполюсник, сочетание из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением. Биполярный транзистор, управляемый полевым транзистором с изолированным затвором (IGBT) — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами

Слайд 12

Описание слайда:

По мощности По рассеиваемой в виде тепла мощности различают: маломощные транзисторы до 100 мВт транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт мощные транзисторы (больше 1 Вт).

Слайд 13

Описание слайда:

По исполнению дискретные транзисторы: 1. Корпусные (для свободного монтажа, для установки на радиатор, для автоматизированных систем пайки) 2. Бескорпусные транзисторы в составе интегральных схем.

Слайд 14

Описание слайда:

По материалу и конструкции корпуса металлостеклянный металлокерамический пластмассовый

Слайд 15

Описание слайда:

Прочие типы Одноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т. н. «остров») между двумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением на затворе, связанном с ним ёмкостной связью[6] Биотранзистор

Слайд 16

Описание слайда:

Заключение В заключение необходимо сказать, что полупроводниковые приборы не просто конкурируют с электровакуумными в радиоаппаратуре. Полупроводниковая техника открыла совершенно новые возможности и пути в области микроминиатюризации и повышения надежности радиоэлектронных устройств, выполняющих очень сложные задачи. Все достижения микроэлектроники были бы практически невозможны без изобретения и использования транзисторов. Трудно представить хоть один электронный прибор без хотя бы одного транзистора.