Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Нажмите для полного просмотра!

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №2

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №3

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №4

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №5

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №6

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №7

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №8

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №9

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №10

Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, слайд №11

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

«Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов»

Слайд 2

Описание слайда:

Методы измерения электрофизических параметров полупроводников Контактные методы измерения 1. Метод Ван дер Пау 2. Двухзондовый метод 3. Четырехзондовый метод

Слайд 3

Описание слайда:

1- измерительное отверстие; 2 – индуктивный штырь; 3 – стенка; 4 – элементы связи; 5 – мет. диафрагма; 6 – механизм перемещения индуктивного штыря; 7 – образец; Рис. 1 – Резонатор с внешним измерительным отверстием

Слайд 4

Описание слайда:

Рис. 3 – Функциональная схема установки

Слайд 5

Описание слайда:

Прочая через резонатор мощность равна: (1). (где - мощность СВЧ генератора; - внешние добротности резонатора; - нагруженная добротность; - величина, обратная тангенсу угла, потерь измеряемого полупроводника; К – коэфф. включения, образца в резонатор) В случае высокоомных образцов, когда электрическое поле не экранируется СНЗ, выражение (1) можно преобразовать к виду: (2). Где, - мощность, прошедшая через резонатор в отсутствии образца, , где определяется экспериментально. Определив значение и измеряя на резонансной частоте можно вычислить удельное сопротивление: (3).

Слайд 6

Описание слайда:

Рис. 2 – Калибровочная кривая резонатора с внешними кольцевым отверстием

Слайд 7

Описание слайда:

Технические характеристики «SemiCon - 1 »

Слайд 8

Описание слайда:

Результаты

Слайд 9

Описание слайда:

Потенциальные потребители Тут перечислить предприятия

Слайд 10

Описание слайда:

Заключение Реализация предлагаемого метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов в виде прибора «SemiCon - 1» позволила выявить перспективность его использования на различных предприятиях, занимающиеся изготовлением полупроводниковых материалов, а также при создании полупроводниковых приборов. Результаты предварительных маркетинговых и патентных исследований позволяют сделать вывод о перспективности коммерциализации данного прибора.

Слайд 11

Описание слайда:

Литература 1. Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. – М.:Металлургия, 1978 – 200с. 2. Медведев Ю.В., Ахманаев В.Б., Петров А.С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // Электронная техника, Сер 1, Электроника СВЧ. – 1961. – вып.4. – С.48-51. 3. Левашкин А.Г., Петров А.С., Тюльков Г.И. Резонатор для измерения удельного сопротивления полупроводниковых образцов // ПТЭ. – 1982. - №5. – С.187-189. 4. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1970. 5. Исследование и разработка методик и аппаратуры для измерения параметров германия: Отчет о НИР/ СФТИ; Рук Л.Г. Лапатин - №ГР01829037078; Мив.№б.н – Томск, 1984-80с. 6. Об измерении удельного сопротивления чистого германия бесконтактным резонаторным методом на СВЧ при наличии на поверхности образцов изгибов зон./ Л.Г. Лапатин, А.Г. Левашкин // Изв. ВУЗов: Физика, 1983,№4, с.128.