🗊Презентация Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе

Категория: Астрономия
Нажмите для полного просмотра!
Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №1Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №2Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №3Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №4Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №5Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №6Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №7Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №8Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №9Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №10Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе, слайд №11

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе
Сообщение подготовили:
Лейферов Борис Михайлович, кандидат физико-математических наук, генеральный директор ООО«А-УНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ»
Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта
Описание слайда:
Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе Сообщение подготовили: Лейферов Борис Михайлович, кандидат физико-математических наук, генеральный директор ООО«А-УНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ» Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта

Слайд 2





Процессы образования кристаллов в жидкой фазе
Три этапа процесса кристаллизации:
1 массоперенос реагентов к границе раздела фаз;
2 реакции на границе раздела фаз;
3 отвод продуктов реакции от границы раздела фаз.
Описание слайда:
Процессы образования кристаллов в жидкой фазе Три этапа процесса кристаллизации: 1 массоперенос реагентов к границе раздела фаз; 2 реакции на границе раздела фаз; 3 отвод продуктов реакции от границы раздела фаз.

Слайд 3





Технологические методы выращивания полупроводниковых кристаллов
Описание слайда:
Технологические методы выращивания полупроводниковых кристаллов

Слайд 4





Фундаментальные проблемы выращивания монокристаллов
"Человечество напоминает мне чудака, который, решив отогреться, ломает на дрова стены своего дома вместо того, чтобы съездить за ними в лес" С. П. Королев
Существенное уменьшение силы тяжести меняет глобальным образом характер конвекции - беспорядочное перемешивание разных по температуре потоков жидкости. Она практически прекращается. Роль диффузии - постепенного взаимопроникновения, внедрения атомов одного вещества между атомами другого, - напротив, становится более заметной.
Описание слайда:
Фундаментальные проблемы выращивания монокристаллов "Человечество напоминает мне чудака, который, решив отогреться, ломает на дрова стены своего дома вместо того, чтобы съездить за ними в лес" С. П. Королев Существенное уменьшение силы тяжести меняет глобальным образом характер конвекции - беспорядочное перемешивание разных по температуре потоков жидкости. Она практически прекращается. Роль диффузии - постепенного взаимопроникновения, внедрения атомов одного вещества между атомами другого, - напротив, становится более заметной.

Слайд 5





Первые эксперименты космических технологий
Описание слайда:
Первые эксперименты космических технологий

Слайд 6





Особенности оборудования для космических технологий
Рисунок 4 – Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. 
1 – корпус; 2 - демпфирующая шайба из углеграфитового войлока; 3 – графитовая вставка; 4 – кварцевый тигель; 5 - загрузка поликристаллического GaSe; 6 – кварцевая пробка; 7 – графитовая вставка; 8 – кварцевая пробка.
Описание слайда:
Особенности оборудования для космических технологий Рисунок 4 – Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. 1 – корпус; 2 - демпфирующая шайба из углеграфитового войлока; 3 – графитовая вставка; 4 – кварцевый тигель; 5 - загрузка поликристаллического GaSe; 6 – кварцевая пробка; 7 – графитовая вставка; 8 – кварцевая пробка.

Слайд 7





Особенности оборудования для космических технологий
Описание слайда:
Особенности оборудования для космических технологий

Слайд 8





Образцы кристаллов, выращенных в космосе
Описание слайда:
Образцы кристаллов, выращенных в космосе

Слайд 9





Выводы
1 На сегодняшний день выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе не стало промышленной технологией.
2 Ряд экспериментов по выращиванию совершенных кристаллов увенчался успехом (Ga As, CdHgTe, GaSe). 
3 Технологические эксперименты в космосе стали существенным подспорьем в отработке технологических процессов в земных условиях.
Описание слайда:
Выводы 1 На сегодняшний день выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе не стало промышленной технологией. 2 Ряд экспериментов по выращиванию совершенных кристаллов увенчался успехом (Ga As, CdHgTe, GaSe). 3 Технологические эксперименты в космосе стали существенным подспорьем в отработке технологических процессов в земных условиях.

Слайд 10





Список источников
1 Гегузин, Я.Е. Живой кристалл. М: Наука, 1981.
2 Медведев, С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М: Высшая школа, 1970.
Описание слайда:
Список источников 1 Гегузин, Я.Е. Живой кристалл. М: Наука, 1981. 2 Медведев, С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М: Высшая школа, 1970.

Слайд 11





Спасибо за внимание!
Описание слайда:
Спасибо за внимание!



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию