Элементная база электронных устройств - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Элементная база электронных устройств, слайд №1

Элементная база электронных устройств, слайд №2

Элементная база электронных устройств, слайд №3

Элементная база электронных устройств, слайд №4

Элементная база электронных устройств, слайд №5

Элементная база электронных устройств, слайд №6

Элементная база электронных устройств, слайд №7

Элементная база электронных устройств, слайд №8

Элементная база электронных устройств, слайд №9

Элементная база электронных устройств, слайд №10

Элементная база электронных устройств, слайд №11

Элементная база электронных устройств, слайд №12

Элементная база электронных устройств, слайд №13

Элементная база электронных устройств, слайд №14

Элементная база электронных устройств, слайд №15

Элементная база электронных устройств, слайд №16

Элементная база электронных устройств, слайд №17

Элементная база электронных устройств, слайд №18

Элементная база электронных устройств, слайд №19

Элементная база электронных устройств, слайд №20

Элементная база электронных устройств, слайд №21

Элементная база электронных устройств, слайд №22

Элементная база электронных устройств, слайд №23

Элементная база электронных устройств, слайд №24

Элементная база электронных устройств, слайд №25

Элементная база электронных устройств, слайд №26

Элементная база электронных устройств, слайд №27

Элементная база электронных устройств, слайд №28

Элементная база электронных устройств, слайд №29

Элементная база электронных устройств, слайд №30

Элементная база электронных устройств, слайд №31

Элементная база электронных устройств, слайд №32

Элементная база электронных устройств, слайд №33

Элементная база электронных устройств, слайд №34

Элементная база электронных устройств, слайд №35

Элементная база электронных устройств, слайд №36

Элементная база электронных устройств, слайд №37

Элементная база электронных устройств, слайд №38

Элементная база электронных устройств, слайд №39

Элементная база электронных устройств, слайд №40

Элементная база электронных устройств, слайд №41

Элементная база электронных устройств, слайд №42

Элементная база электронных устройств, слайд №43

Элементная база электронных устройств, слайд №44

Элементная база электронных устройств, слайд №45

Элементная база электронных устройств, слайд №46

Элементная база электронных устройств, слайд №47

Элементная база электронных устройств, слайд №48

Элементная база электронных устройств, слайд №49

Элементная база электронных устройств, слайд №50

Элементная база электронных устройств, слайд №51

Элементная база электронных устройств, слайд №52

Элементная база электронных устройств, слайд №53

Элементная база электронных устройств, слайд №54

Элементная база электронных устройств, слайд №55

Элементная база электронных устройств, слайд №56

Элементная база электронных устройств, слайд №57

Элементная база электронных устройств, слайд №58

Элементная база электронных устройств, слайд №59

Элементная база электронных устройств, слайд №60

Элементная база электронных устройств, слайд №61

Элементная база электронных устройств, слайд №62

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Элементная база электронных устройств. Доклад-сообщение содержит 62 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Кремниевые диоды Особенности конструкции На каждой стороне диода имплантируются примеси (бор на стороне анода, мышьяк или фосфор на стороне катода), а соединение, где встречаются примеси - «p-n-переход». Кремниевые диоды имеют прямое смещение напряжения 0.7В. Параметры работы Как только разность напряжений между анодом и катодом достигает 0.7 В, диод начнет проводить электрический ток через его p-n-переход. Когда разность напряжений падает менее 0.7 В, p-n-соединение прекратит проводить электрический ток, и диод перестанет функционировать как электрический путь. .

Слайд 15

Описание слайда:

Германиевые диоды Германиевые диоды изготавливаются аналогично кремниевым диодам. В германиевых диодах также используется p-n-переход и имплантируются те же примеси, которые имплантируются в кремниевые диоды. Однако германиевые диоды имеют напряжение смещения 0.3 вольта.

Слайд 16

Описание слайда:

Арсенидгаливые диоды Отличаются в несколько раз меньшими массогабаритными показателями, так как позволяют работать из-за повышенной ширины запрещенной зоны при температурах перехода до +240... +280 °С. Столь высокие допустимые значения температуры перехода обеспечивают также выигрыш в массе радиоэлектронных устройств за счет уменьшения теплорассеивающих элементов. Преимущества арсенида галлия по сравнению с кремнием большая подвижность носителей заряда, что позволяет использовать диоды в диапазоне частот преобразования 100...500 кГц. Переключая импульсные токи до 500 А .В настоящее время промышленностью выпускаются ар-сенидгаллиевые диоды на импульсное обратное напряжение 100…600 В, средний прямой ток до 50 А, импульсное прямое напряжение до 2,5 В с временем обратного восстановления до 0,5 мкс.

Слайд 17

Описание слайда:

То́чечный дио́д Особенности конструкции полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. Недостатки механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода.

Слайд 18

Описание слайда:

Плоскостные диоды Особенности конструкции имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше ширины р-n-перехода. Площадь может составлять от сотых долей квадратных миллиметров (микроплоскостные диоды) до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды). Переход выполняют в основном методами вплавления. Используются для работы на частотах до 10 кГц. Ограничение по частоте связано с большой барьерной емкостью р-n-перехода (до десятков пикофарад). Плоскостные диоды бывают малой мощности (до 1 Вт), средней мощности (на токи до 1 А, напряжение до 600 В) и мощные (на токи до 2000 А).

Слайд 19

Описание слайда:

Диффузионные диоды Особенности конструкции Переход создается посредством диффузии примеси, находящейся в газообразной, жидкой или твердой фазах, в полупроводниковую пластину. Если диффузия примеси проводится через отверстия (окна) в защитном слое, нанесенном на поверхности полупроводника, то получают так называемый планарный р/п переход. Диффузионные диоды отличаются от сплавных меньшей собственной емкостью и малым значением постоянной времени

Слайд 20

Описание слайда:

диоды Шоттки Особенности конструкции в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств. В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам. Характеристики малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 В) на переходе и высокое быстродействие. Максимальное обратное напряжение обычно до 250В . Недостатки при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

Слайд 21

Описание слайда:

Туннельный диод Особенности конструкции В материале диода имеются присадки в гораздо большем объеме, нежели в обычном диоде, а его P-N переход очень узкий и хорошо проводит ток в обе стороны. Потенциал, который необходим для того, чтобы заставить туннельный диод выступать в роли проводника, будь то в режиме прямого или обратного смещения, очень невелик, обычно этот потенциал находится в диапазоне милливольт. Именно поэтому туннельные диоды известны как приборы с низким сопротивлением. В обычных условиях туннельные диоды работают в области своего отрицательного сопротивления. В данной области незначительное уменьшение напряжения включает этот прибор, а небольшое повышение — выключает его. В качестве такого своеобразного выключателя туннельный диод может использоваться либо как генератор, либо как высокоскоростной выключатель. Могут также использоваться в качестве усилителей, где изменения в подаваемом напряжении в сторону повышения, вызывают пропорционально более значительные изменения тока в цепи.

Слайд 22

Описание слайда:

Излучающий диод работающий в видимом диапазоне волн, часто называют светоизлучающим, или светодиодом. Излучение возникает при протекании прямого тока диода в результате рекомбинации электронов и дырок в области p-n-перехода и в областях, примыкающих к указанной области. При рекомбинации излучаются фотоны. Для излучающих диодов, работающих в видимом диапазоне (длина волны от 0,38 до 0,78 мкм, частота около, но меньше 1015 Гц), Для излучающих диодов, работающих не в видимом диапазоне, используют характеристики, отражающие зависимость мощности излучения Р от тока диода i

Слайд 23

Описание слайда:

Фотодиоды Принцип работы основан на воздействии оптического излучения. В результате, материал изменяет свои качества, что позволяет ему выполнять различные функции в электрических цепях. Простой фотодиод является обыкновенным полупроводниковым диодом с р-п-переходом, на который оказывает действие оптическое излучение. При полном отсутствии светового потока, диод находится в состоянии равновесия и обладает обычными свойствами. Действие излучения направлено на р-п-переход. Энергия, с которой поглощаются фотоны, превышает ширину запрещенной зоны, что приводит к возникновению электронно-дырочных пар. Данные пары, состоящие из электронов и дырок, получили наименование фотоносителей.

Слайд 24

Описание слайда:

Слайд 25

Описание слайда:

Слайд 26

Описание слайда:

Слайд 27

Описание слайда:

Слайд 28

Описание слайда:

Слайд 29

Описание слайда:

Слайд 30

Описание слайда:

Слайд 31

Описание слайда:

Слайд 32

Описание слайда:

Слайд 33

Описание слайда:

Слайд 34

Описание слайда:

Биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно выглядят совершенно по разному, но на электрических схемах они выглядят всегда одинаково.

Слайд 35

Описание слайда:

Слайд 36

Описание слайда:

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки» ). Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой. Вывод: для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или поменять полярность источника питания.

Слайд 37

Описание слайда:

Выводы транзисторов определяют по справочнику, но можно просто прозвонить транзистор мультиметром. Выводы транзисторов определяют по справочнику, но можно просто прозвонить транзистор мультиметром. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы). Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа, при прозвонке создается ощущение (посредством показаний мультиметра ), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами. Для транзистора n-p-n типа диоды в точке базы соединены своими анодами.

Слайд 38

Описание слайда:

Как работает транзистор?

Слайд 39

Описание слайда:

Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер Цепи база — коллектор и база — эмиттер работают как диоды Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы. Из этой формулы определено основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора. где-коэффициент усиления по току , его обозначают

Слайд 40

Описание слайда:

Слайд 41

Описание слайда:

Слайд 42

Описание слайда:

Слайд 43

Описание слайда:

Слайд 44

Описание слайда:

Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных, которые управляются током.. Другое название полевых транзисторов – униполярные. «УНО» - значит один. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами.

Слайд 45

Описание слайда:

У всех типов полевых транзисторов есть три вывода 1. Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном). 2. Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора). 3. Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).

Слайд 46

Описание слайда:

Слайд 47

Описание слайда:

Полевой транзистор с изолированным затвором Этот вид транзисторов активно используется в качестве полупроводниковых управляемых ключей. Работают они чаще всего именно в ключевом режиме (два положения «вкл» и «выкл»). У них есть несколько названий: 1. МДП-транзистор (метал-диэлектрик-полупроводник). 2. МОП-транзистор (метал-окисел-полупроводник). 3. MOSFET-транзистор (metal-oxide-semiconductor). это вариации одного названия

Слайд 48

Описание слайда:

Слайд 49

Описание слайда:

МДП транзисторы со встроенным каналом принцип работы напоминает полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, т.е. когда напряжение затвора равно нулю – ток протекает через ключ.

Слайд 50

Описание слайда:

Режим работы для МОП-транзисторов со встроенным каналом N-типа При подаче отрицательного напряжения затвор-исток ток стока падает, транзистор начинает закрывать – это называется режим обеднения. При подаче положительного напряжения на затвор-исток происходит обратный процесс – электроны притягиваются, ток возрастает. Это режим обогащения. Если канал p-типа все слова «электроны» заменяются на «дырки», полярности напряжения изменяются на противоположные.

Слайд 51

Описание слайда:

Характеристики МОП-транзисторов со встроенным каналом

Слайд 52

Описание слайда:

МОП-транзисторы с индуцированным каналом не проводят ток при отсутствии напряжения на затворе, вернее ток есть, но он крайне мал, т.к. это обратный ток между подложкой и высоколегированными участками стока и истока. МОП-транзисторы с индуцированным каналом не проводят ток при отсутствии напряжения на затворе, вернее ток есть, но он крайне мал, т.к. это обратный ток между подложкой и высоколегированными участками стока и истока. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом аналог нормально-разомкнутого ключа, ток не протекает.