🗊Презентация Процессоры

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Процессоры, слайд №1Процессоры, слайд №2Процессоры, слайд №3Процессоры, слайд №4Процессоры, слайд №5Процессоры, слайд №6Процессоры, слайд №7Процессоры, слайд №8Процессоры, слайд №9Процессоры, слайд №10Процессоры, слайд №11Процессоры, слайд №12Процессоры, слайд №13Процессоры, слайд №14Процессоры, слайд №15Процессоры, слайд №16Процессоры, слайд №17Процессоры, слайд №18Процессоры, слайд №19Процессоры, слайд №20Процессоры, слайд №21Процессоры, слайд №22Процессоры, слайд №23Процессоры, слайд №24Процессоры, слайд №25Процессоры, слайд №26Процессоры, слайд №27Процессоры, слайд №28Процессоры, слайд №29Процессоры, слайд №30Процессоры, слайд №31Процессоры, слайд №32Процессоры, слайд №33Процессоры, слайд №34Процессоры, слайд №35Процессоры, слайд №36Процессоры, слайд №37Процессоры, слайд №38Процессоры, слайд №39Процессоры, слайд №40

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Процессоры. Доклад-сообщение содержит 40 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Процессоры, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Процессоры, слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Процессоры, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Процессоры, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Процессоры, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6





Технологический процесс - масштаб технологии, которая определяет размеры полупроводниковых элементов, составляющих основу внутренних цепей процессора. 
Технологический процесс - масштаб технологии, которая определяет размеры полупроводниковых элементов, составляющих основу внутренних цепей процессора. 
45 нм —2006—2007 годы 
32 нм —2009—2010 годы
22 нм —2009—2012 годы 
14 нм —2015—2017 годы  Kaby Lake, Core M (Broadwell),    Zen
10 нм —2017—?  годы      Cannonlake
Описание слайда:
Технологический процесс - масштаб технологии, которая определяет размеры полупроводниковых элементов, составляющих основу внутренних цепей процессора. Технологический процесс - масштаб технологии, которая определяет размеры полупроводниковых элементов, составляющих основу внутренних цепей процессора. 45 нм —2006—2007 годы 32 нм —2009—2010 годы 22 нм —2009—2012 годы 14 нм —2015—2017 годы Kaby Lake, Core M (Broadwell), Zen 10 нм —2017—? годы Cannonlake

Слайд 7





Кэш

кэш первого уровня — L1 cache          (обычно L1 разделен на два кэша — кэш команд (инструкций) и кэш данных (Гарвардская архитектура))
кэш второго уровня — L2 cache (изначально передаются все данные для обработки центральным процессором)
кэш третьего уровня — L3 cache    (находится в общем пользовании и предназначен для синхронизации данных)
Описание слайда:
Кэш кэш первого уровня — L1 cache (обычно L1 разделен на два кэша — кэш команд (инструкций) и кэш данных (Гарвардская архитектура)) кэш второго уровня — L2 cache (изначально передаются все данные для обработки центральным процессором) кэш третьего уровня — L3 cache (находится в общем пользовании и предназначен для синхронизации данных)

Слайд 8





Структура кэша INTEL
Описание слайда:
Структура кэша INTEL

Слайд 9





Набор инструкций
 Построены на основе CISC-архитектуры, развитие состоит в расширении набора команд включением инструкций управления вновь вводимыми в состав процессора элементами. 
Набор инструкций современных процессоров х86 вбирает в себя инструкции всех предыдущих поколений. Инструкции можно разделить на 
системные, используемые операционной системой для создания среды, в которой работают приложения, 
прикладные, используемые «полезными» приложениями.
Описание слайда:
Набор инструкций Построены на основе CISC-архитектуры, развитие состоит в расширении набора команд включением инструкций управления вновь вводимыми в состав процессора элементами. Набор инструкций современных процессоров х86 вбирает в себя инструкции всех предыдущих поколений. Инструкции можно разделить на системные, используемые операционной системой для создания среды, в которой работают приложения, прикладные, используемые «полезными» приложениями.

Слайд 10





Набор инструкций
Описание слайда:
Набор инструкций

Слайд 11





Набор инструкций
Описание слайда:
Набор инструкций

Слайд 12





Набор инструкций
Наборы инструкций AMD: 
SSE, SSE2, SSE3, SSE4.2, расширения AVX, расширения FMA4, XOP, 57 команд MMX, AMD Virtualization Technology, Аппаратное ускорение шифрования AES, EVP (Enhanced Virus Protection или Execute Disable Bit).
Наборы инструкций Intel: 
SSE, SSE2, SSE3, SSE4.2, расширения AVX, Intel Virtualization Technology (VT-x), Intel Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d), Аппаратное ускорение шифрования AES, Enhanced Halt State (C1E), Enhanced Intel Speedstep Technology, EVP (Enhanced Virus Protection или Execute Disable Bit).
Описание слайда:
Набор инструкций Наборы инструкций AMD: SSE, SSE2, SSE3, SSE4.2, расширения AVX, расширения FMA4, XOP, 57 команд MMX, AMD Virtualization Technology, Аппаратное ускорение шифрования AES, EVP (Enhanced Virus Protection или Execute Disable Bit). Наборы инструкций Intel: SSE, SSE2, SSE3, SSE4.2, расширения AVX, Intel Virtualization Technology (VT-x), Intel Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d), Аппаратное ускорение шифрования AES, Enhanced Halt State (C1E), Enhanced Intel Speedstep Technology, EVP (Enhanced Virus Protection или Execute Disable Bit).

Слайд 13





Оперативная память
Описание слайда:
Оперативная память

Слайд 14





Оперативная память DDR2 
Использует передачу данных как по фронту, так и по срезу тактового сигнала
Описание слайда:
Оперативная память DDR2 Использует передачу данных как по фронту, так и по срезу тактового сигнала

Слайд 15





Оперативная память DDR2
Описание слайда:
Оперативная память DDR2

Слайд 16





Оперативная память DDR2
Описание слайда:
Оперативная память DDR2

Слайд 17





Оперативная память DDR3
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate 3 synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память 
      с произвольным доступом и удвоенной 
      скоростью передачи данных, 
      третье поколение)
Описание слайда:
Оперативная память DDR3 DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate 3 synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение)

Слайд 18





Оперативная память DDR3
Описание слайда:
Оперативная память DDR3

Слайд 19





Оперативная память DDR4
DDR4 SDRAM — новый тип 
оперативной памяти, являющийся 
эволюционным развитием 
предыдущих поколений DDR
Описание слайда:
Оперативная память DDR4 DDR4 SDRAM — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR

Слайд 20





Оперативная память DDR4
Описание слайда:
Оперативная память DDR4

Слайд 21


Процессоры, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Процессоры, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Процессоры, слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Процессоры, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Процессоры, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Процессоры, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Процессоры, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Процессоры, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29


Процессоры, слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30


Процессоры, слайд №30
Описание слайда:

Слайд 31


Процессоры, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Процессоры, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Процессоры, слайд №33
Описание слайда:

Слайд 34


Процессоры, слайд №34
Описание слайда:

Слайд 35


Процессоры, слайд №35
Описание слайда:

Слайд 36


Процессоры, слайд №36
Описание слайда:

Слайд 37


Процессоры, слайд №37
Описание слайда:

Слайд 38


Процессоры, слайд №38
Описание слайда:

Слайд 39


Процессоры, слайд №39
Описание слайда:

Слайд 40


Процессоры, слайд №40
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию