🗊Презентация Биполярные транзисторы

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Студенты группы 18-АУТ-1 Федькин Михаил и Маратов Аян

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.

Основные параметры Коэффициент передачи по току. Входное сопротивление. Выходная проводимость. Обратный ток коллектор-эмиттер. Время включения. Предельная частота коэффициента передачи тока базы. Обратный ток коллектора. Максимально допустимый ток. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают: коэффициент усиления по току α; сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб

Сфера применения Усилители, каскады усиления Генератор сигналов Модулятор Демодулятор (Детектор) Инвертор (лог. элемент) Микросхемы на транзисторной логике

Транзисторно-транзисторная логика Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL) — разновидность цифровых логических микросхем, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов. Название транзисторно-транзисторный возникло из-за того, что транзисторы используются как для выполнения логических функций (например, И, ИЛИ), так и для усиления выходного сигнала.

Схемы включения биполярных транзисторов Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов. Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой Схема включения с общей базой Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом. В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором Схема включения с общим коллектором Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.  Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц. В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода. Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

СВЧ транзистор - это транзистор, способный работать на сверхвысоких частотах. СВЧ транзистор - это транзистор, способный работать на сверхвысоких частотах. Полупроводниковый прибор планарно-эпитаксиального типа, имеющий многоэмиттерную встречно-штыревую структуру с чередующимися областями эмиттера и базы и эмиттерные и базовые контакты на внешней поверхности кристалла полупроводника. Создание СВЧ можно рассматривать как вершину транзисторной технологии. Несмотря на трудности изготовления, осуществлена оптимизация большинства их параметров. Первыми СВЧ следует считать германиевые микросплавные транзисторы выпуска 1958–1959 г.г. Но к 1963 г. начинают выходить на первое место кремниевые СВЧ. С точки зрения потребителя относительная механическая прочность кремниевого БТ оказалась решающим фактором и германий отошел на второй план. Однако, одна из основных причин отказа от СВЧ германиевого заключается в том, что германий не имеет естественного пассивирующего окисла. Поэтому структуры германиевых планарных БТ пассивируются окисью кремния.

В настоящее время все СВЧ БТ изготовляются по планарной технологии, и почти все они — кремниевые со структурой n–р–n. В настоящее время все СВЧ БТ изготовляются по планарной технологии, и почти все они — кремниевые со структурой n–р–n. СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.