Магнетронное распыление - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Магнетронное распыление. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Магнетронное распыление Выполнил:Хун Ж.Н. Проверил:Блесман А.И.

Слайд 2

Описание слайда:

Магнетронное распыление — технология нанесения тонких пленок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда- диодного разряда в скрещенных полях.

Слайд 3

Описание слайда:

Основные элементы Основными элементами являются плоский катод, изготовленный из напыляемого материала, анод, устанавливаемый по периметру катода, магнитная система, обычно на основе постоянных магнитов, и система водоохлаждения. Силовые линии магнитного поля, замыкаясь между полюсами, пересекаются с линиями электрического поля

Слайд 4

Описание слайда:

Основы технологии Технологическое значение магнетронного распыления заключается в том, что бомбардирующие поверхность катода ионы распыляют её. На этом эффекте основаны технологии магнетронного травления, а благодаря тому, что распылённое вещество мишени, осаждаясь на подложку, может формировать плотную плёнку наиболее широкое применение получило магнетронное напыление.

Слайд 5

Описание слайда:

Установка магнетронного распыления

Слайд 6

Описание слайда:

Принцип действия Распыление мишени При столкновении ионов с поверхностью мишени происходит передача момента импульса материалу. Падающий ион вызывает каскад столкновений в материале. После многократных столкновений импульс доходит до атома, расположенного на поверхности материала, и который отрывается от мишени и высаживается на поверхности подложки. Среднее число выбитых атомов на один падающий ион аргона называют эффективностью процесса, которая зависит от угла падения, энергии и массы иона, массы испаряемого материала и энергии связи атома в материале. В случае испарения кристаллического материала эффективность также зависит от расположения кристаллической решетки.

Слайд 7

Описание слайда:

Напыление металлов и сплавов Напыление металлов и сплавов производят в среде инертного газа, как правило, аргона. В отличие от технологии термического испарения, при магнетронном распылении не происходит фракционирования мишеней сложного состава (сплавов).

Слайд 8

Описание слайда:

Реактивное напыление Для напыления сложных соединений, например оксидов и нитридов, применяется так называемое реактивное магнетронное напыление. К плазмообразующему газу добавляют реактивный газ . В плазме магнетронного разряда реактивный газ диссоциирует, высвобождая активные свободные радикалы, которые взаимодействуют с осаждёнными на подложку распылёнными атомами, формируя химическое соединение.

Слайд 9

Описание слайда:

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ Технологическое значение технологии магнетронного распыления состоит в том, что ионы, бомбардирующие поверхность мишени (катода), распыляют её. Этот эффект положен в основу методики магнетронного травления, а за счет того, что, осаждаясь на подложку, распыленное вещество мишени способно формировать плотную плёнку, магнетронное распыление получило сегодня широкое применение. Распыление мишени Момент импульса передается материалу при столкновении заряженных ионов с поверхностью мишени. Падающие ионы вызывают целый каскад столкновений, после импульс доходит непосредственно до атома, который располагается на поверхности, отрывается от мишени и оказывается на подложке. Среднее количество атомов, выбиваемых одним падающим ионом аргона, принято называть эффективностью процесса, зависящей от энергии и массы иона, угла падения, энергии связи атомов и массы испаряемого материала. Если материал имеет кристаллическую решетку, эффективность также зависит от ее расположения. Частицы, покидающие поверхность мишени осаждаются на подложке в виде пленки, при этом некоторые из них рассеиваются на молекулах остаточного газа или осаждаются на стенках вакуумной камеры.

Слайд 10

Описание слайда:

Преимущества метода высокая скорость распыления при низких рабочих напряжениях (600-800 В) и при небольших давлениях рабочего газа (5⋅10-1 -10 Па) отсутствие перегрева подложки малая степень загрязнения пленок возможность получения равномерных по толщине пленок на большей площади подложек

Слайд 11

Описание слайда:

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ Никитин М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления. − М.: Металлургия, 1992 Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. – М.: Радио и связь, 1987. Заявка 20935 Англия. Механические свойства пленок нитрида титана. Плазменное осаждение пленок нитрида титана / Мюзил Дж., Вискожид Дж., Баснер Р., Уэллер Ф., 1985 Белый А.В., Карпенко Г.Д., Мышкин Н.К. Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев. – Москва: Машиностроение, 1991.

Теги Магнетронное распыление

Похожие презентации