🗊Презентация Полевые транзисторы

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Полевые транзисторы, слайд №1Полевые транзисторы, слайд №2Полевые транзисторы, слайд №3Полевые транзисторы, слайд №4Полевые транзисторы, слайд №5Полевые транзисторы, слайд №6Полевые транзисторы, слайд №7Полевые транзисторы, слайд №8Полевые транзисторы, слайд №9Полевые транзисторы, слайд №10Полевые транзисторы, слайд №11Полевые транзисторы, слайд №12Полевые транзисторы, слайд №13Полевые транзисторы, слайд №14Полевые транзисторы, слайд №15Полевые транзисторы, слайд №16Полевые транзисторы, слайд №17Полевые транзисторы, слайд №18Полевые транзисторы, слайд №19Полевые транзисторы, слайд №20Полевые транзисторы, слайд №21Полевые транзисторы, слайд №22Полевые транзисторы, слайд №23Полевые транзисторы, слайд №24Полевые транзисторы, слайд №25Полевые транзисторы, слайд №26Полевые транзисторы, слайд №27Полевые транзисторы, слайд №28Полевые транзисторы, слайд №29Полевые транзисторы, слайд №30Полевые транзисторы, слайд №31Полевые транзисторы, слайд №32
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полевые транзисторы. Доклад-сообщение содержит 32 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Описание слайда:
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Слайд 2


Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Т.к. в создании электрического тока участвуют только основные носители заряда, то полевые транзисторы иначе называют униполярными транзисторами.
Описание слайда:
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Т.к. в создании электрического тока участвуют только основные носители заряда, то полевые транзисторы иначе называют униполярными транзисторами.

Слайд 3


Полевые транзисторы разделяют на два вида: Полевые транзисторы разделяют на два вида: полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом; полевые транзисторы с изолированным затвором.
Описание слайда:
Полевые транзисторы разделяют на два вида: Полевые транзисторы разделяют на два вида: полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом; полевые транзисторы с изолированным затвором.

Слайд 4


Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом – это полевой транзистор, управление током в котором происходит с помощью p-n-перехода, смещенного в обратном направлении.
Описание слайда:
Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом – это полевой транзистор, управление током в котором происходит с помощью p-n-перехода, смещенного в обратном направлении.

Слайд 5


Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника n-типа (или р-типа) проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и с электрическими выводами от этих областей. Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника n-типа (или р-типа) проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и с электрическими выводами от этих областей.
Описание слайда:
Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника n-типа (или р-типа) проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и с электрическими выводами от этих областей. Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника n-типа (или р-типа) проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и с электрическими выводами от этих областей.

Слайд 6


Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости - затвором (З). Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости - затвором (З).
Описание слайда:
Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости - затвором (З). Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости - затвором (З).

Слайд 7


Источник Uзи смещает р–n-переход в обратном направлении. Под действием напряжения источника Uси между торцевыми поверхностями полупроводника течет ток основных носителей заряда. Источник Uзи смещает р–n-переход в обратном направлении. Под действием напряжения источника Uси между торцевыми поверхностями полупроводника течет ток основных носителей заряда.
Описание слайда:
Источник Uзи смещает р–n-переход в обратном направлении. Под действием напряжения источника Uси между торцевыми поверхностями полупроводника течет ток основных носителей заряда. Источник Uзи смещает р–n-переход в обратном направлении. Под действием напряжения источника Uси между торцевыми поверхностями полупроводника течет ток основных носителей заряда.

Слайд 8


Площадь поперечного сечения канала и его сопротивление зависит от ширины p–n-перехода. Площадь поперечного сечения канала и его сопротивление зависит от ширины p–n-перехода. При увеличении напряжения источника Uзи ширина p–n-перехода возрастает, а поперечное сечение канала уменьшается.
Описание слайда:
Площадь поперечного сечения канала и его сопротивление зависит от ширины p–n-перехода. Площадь поперечного сечения канала и его сопротивление зависит от ширины p–n-перехода. При увеличении напряжения источника Uзи ширина p–n-перехода возрастает, а поперечное сечение канала уменьшается.

Слайд 9


Напряжение на затворе, при котором p–n-переход полностью перекроет канал, и ток стока Iс прекращается, называют напряжением отсечки. Напряжение на затворе, при котором p–n-переход полностью перекроет канал, и ток стока Iс прекращается, называют напряжением отсечки.
Описание слайда:
Напряжение на затворе, при котором p–n-переход полностью перекроет канал, и ток стока Iс прекращается, называют напряжением отсечки. Напряжение на затворе, при котором p–n-переход полностью перекроет канал, и ток стока Iс прекращается, называют напряжением отсечки.

Слайд 10


Таким образом, в цепи мощного источника Uси протекает ток стока Iс , величина которого зависит от величины управляющего сигнала – напряжения источника U зи и повторяет все изменения этого сигнала. Таким образом, в цепи мощного источника Uси протекает ток стока Iс , величина которого зависит от величины управляющего сигнала – напряжения источника U зи и повторяет все изменения этого сигнала.
Описание слайда:
Таким образом, в цепи мощного источника Uси протекает ток стока Iс , величина которого зависит от величины управляющего сигнала – напряжения источника U зи и повторяет все изменения этого сигнала. Таким образом, в цепи мощного источника Uси протекает ток стока Iс , величина которого зависит от величины управляющего сигнала – напряжения источника U зи и повторяет все изменения этого сигнала.

Слайд 11


Полевые транзисторы, слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12


Схемы включения полевых транзисторов
Описание слайда:
Схемы включения полевых транзисторов

Слайд 13


Статические характеристики полевых транзисторов 1. Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управляющее действие затвора:
Описание слайда:
Статические характеристики полевых транзисторов 1. Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управляющее действие затвора:

Слайд 14


2. Выходные (стоковые) характеристики. 2. Выходные (стоковые) характеристики.
Описание слайда:
2. Выходные (стоковые) характеристики. 2. Выходные (стоковые) характеристики.

Слайд 15


С увеличением UС ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает насыщение. С увеличением UС ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает насыщение. Это объясняется тем, что с ростом UС возрастает обратное напряжение на p–n-переходе и увеличивается ширина запирающего слоя (в области стока), а ширина канала соответственно уменьшается. Это приводит к увеличению его сопротивления и уменьшению тока IС. Таким образом, происходит два взаимно противоположных влияния на ток, в результате чего он остается почти неизменным.
Описание слайда:
С увеличением UС ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает насыщение. С увеличением UС ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает насыщение. Это объясняется тем, что с ростом UС возрастает обратное напряжение на p–n-переходе и увеличивается ширина запирающего слоя (в области стока), а ширина канала соответственно уменьшается. Это приводит к увеличению его сопротивления и уменьшению тока IС. Таким образом, происходит два взаимно противоположных влияния на ток, в результате чего он остается почти неизменным.

Слайд 16


Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока может привести к электрическому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора. Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока может привести к электрическому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора.
Описание слайда:
Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока может привести к электрическому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора. Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока может привести к электрическому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора.

Слайд 17


Основные параметры полевых транзисторов 1. Крутизна характеристики: Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам.
Описание слайда:
Основные параметры полевых транзисторов 1. Крутизна характеристики: Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам.

Слайд 18


2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri : 2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri : Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик Ri достигает сотен кОм.
Описание слайда:
2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri : 2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri : Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик Ri достигает сотен кОм.

Слайд 19


3. Коэффициент усиления μ : 3. Коэффициент усиления μ : Эти три параметра ( μ , S , Ri ) связаны между собой зависимостью:
Описание слайда:
3. Коэффициент усиления μ : 3. Коэффициент усиления μ : Эти три параметра ( μ , S , Ri ) связаны между собой зависимостью:

Слайд 20


Полевые транзисторы с изолированным затвором Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.
Описание слайда:
Полевые транзисторы с изолированным затвором Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Слайд 21


Полевые транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов: со встроенным (собственным) каналом; с индуцированным (инверсионным) каналом.
Описание слайда:
Полевые транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов: со встроенным (собственным) каналом; с индуцированным (инверсионным) каналом.

Слайд 22


Структура в обоих типах полевых транзисторов с изолированным затвором одинакова: металл – диэлектрик – полупроводник. Такие транзисторы еще называют МДП-транзисторами (металл – диэлектрик –полупроводник).
Описание слайда:
Структура в обоих типах полевых транзисторов с изолированным затвором одинакова: металл – диэлектрик – полупроводник. Такие транзисторы еще называют МДП-транзисторами (металл – диэлектрик –полупроводник).

Слайд 23


Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа (n+ -типа), которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком.
Описание слайда:
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа (n+ -типа), которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком.

Слайд 24


На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния SiO2 ) толщиной порядка 0,1 мкм, а на нем методом напыления наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния SiO2 ) толщиной порядка 0,1 мкм, а на нем методом напыления наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор.
Описание слайда:
На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния SiO2 ) толщиной порядка 0,1 мкм, а на нем методом напыления наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния SiO2 ) толщиной порядка 0,1 мкм, а на нем методом напыления наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор.

Слайд 25


Полевые транзисторы, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Полевые транзисторы, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом От предыдущего транзистора он отличается тем, что у него нет встроенного канала между областями истока и стока.
Описание слайда:
Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом От предыдущего транзистора он отличается тем, что у него нет встроенного канала между областями истока и стока.

Слайд 28


При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p–n-переходов будет обязательно заперт. При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p–n-переходов будет обязательно заперт.
Описание слайда:
При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p–n-переходов будет обязательно заперт. При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p–n-переходов будет обязательно заперт.

Слайд 29


Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего электрического поля электроны из подложки будут перемещаться в приповерхностную область к затвору. Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего электрического поля электроны из подложки будут перемещаться в приповерхностную область к затвору.
Описание слайда:
Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего электрического поля электроны из подложки будут перемещаться в приповерхностную область к затвору. Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего электрического поля электроны из подложки будут перемещаться в приповерхностную область к затвору.

Слайд 30


При увеличении напряжения на затворе в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. При увеличении напряжения на затворе в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. Чем больше положительное напряжение на затворе, тем больше проводимость канала и больше ток стока.
Описание слайда:
При увеличении напряжения на затворе в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. При увеличении напряжения на затворе в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. Чем больше положительное напряжение на затворе, тем больше проводимость канала и больше ток стока.

Слайд 31


Полевые транзисторы, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а) и р-типа (б).
Описание слайда:
Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а) и р-типа (б).

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию