Полупроводниковые диоды - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полупроводниковые диоды. Доклад-сообщение содержит 30 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Слайд 2

Описание слайда:

Общие сведения о диодах Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя электровыводами. Выпрямляющим электрическим переходом может быть электронно-дырочный (p–n) переход, либо контакт «металл – полупроводник», обладающий вентильным свойством.

Слайд 3

Описание слайда:

В зависимости от типа перехода полупроводниковые диоды имеют следующие структуры: В зависимости от типа перехода полупроводниковые диоды имеют следующие структуры: а) p–n-переход и два омических перехода, через которые соединяются выводы диода; б) выпрямляющий переход «металл – полупроводник» и один омический переход.

Слайд 4

Описание слайда:

В большинстве случаев полупроводниковые диоды с р-n-переходами делают несимметричными. Поэтому количество неосновных носителей, инжектируемых из сильно легированной (низкоомной) области, называемой эмиттером диода, в слабо легированную (высокоомную) область, называемую базой диода, значительно больше, чем в противоположном направлении. В большинстве случаев полупроводниковые диоды с р-n-переходами делают несимметричными. Поэтому количество неосновных носителей, инжектируемых из сильно легированной (низкоомной) области, называемой эмиттером диода, в слабо легированную (высокоомную) область, называемую базой диода, значительно больше, чем в противоположном направлении.

Слайд 5

Описание слайда:

Классификация диодов Классификация диодов по типу полупроводникового материала – кремниевые, германиевые, из арсенида галлия; по назначению – выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы и др.; по технологии изготовления электронно-дырочного перехода – сплавные, диффузионные и др.; по типу электронно-дырочного перехода – точечные и плоскостные.

Слайд 6

Описание слайда:

Плоскостными называют такие диоды, у которых размеры, определяющие площадь p–n-перехода, значительно больше его ширины. Плоскостными называют такие диоды, у которых размеры, определяющие площадь p–n-перехода, значительно больше его ширины. Площадь p–n-перехода может составлять от долей квадратного миллиметра до десятков квадратных сантиметров.

Слайд 7

Описание слайда:

Точечные диоды имеют очень малую площадь p–n-перехода, причем линейные размеры ее меньше толщины p–n-перехода. Точечные диоды имеют очень малую площадь p–n-перехода, причем линейные размеры ее меньше толщины p–n-перехода. Точечные р–n-переходы образуются в месте контакта монокристалла полупроводника и острия металической проволочки – пружинки.

Слайд 8

Описание слайда:

Выпрямительные диоды Выпрямительный диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

конструкция выпрямительного маломощного диода 1 - Индий (вплавливается в исходную полупроводниковую пластину); 2 - кристалл германия n-типа; 3 - кристаллодержатель; 4 - внутренний вывод (имеет специальный изгиб для уменьшения механических напряжений при изменении температуры); 5 - стеклянный изолятор; 6 - коваровый корпус.

Слайд 11

Описание слайда:

Кристаллы мощных выпрямительных диодов монтируются в массивном корпусе, который имеет стержень с резьбой для крепления диода на радиаторе, для отвода выделяющегося при работе прибора тепла. Кристаллы мощных выпрямительных диодов монтируются в массивном корпусе, который имеет стержень с резьбой для крепления диода на радиаторе, для отвода выделяющегося при работе прибора тепла.

Слайд 12

Описание слайда:

Выпрямительные диоды должны иметь как можно меньшую величину обратного тока (определяется концентрацией неосновных носителей заряда). Выпрямительные диоды должны иметь как можно меньшую величину обратного тока (определяется концентрацией неосновных носителей заряда).

Слайд 13

Описание слайда:

основные параметры 1. Номинальный средний прямой ток Iпр ср ном – среднее значение тока, проходящего через открытый диод и обеспечивающего допустимый его нагрев при номинальных условиях охлаждения.

Слайд 14

Описание слайда:

2. Номинальное среднее прямое напряжение Uпр ср ном – среднее значение прямого напряжения на диоде при протекании номинального среднего прямого тока. 2. Номинальное среднее прямое напряжение Uпр ср ном – среднее значение прямого напряжения на диоде при протекании номинального среднего прямого тока. 3. Напряжение отсечки Uо , определяемое точкой пересечения линейного участка прямой ветви вольт-амперной характеристики с осью напряжений.

Слайд 15

Описание слайда:

4. Пробивное напряжение Uпроб – обратное напряжение на диоде, соответствующее началу участка пробоя на вольт-амперной характеристике. 4. Пробивное напряжение Uпроб – обратное напряжение на диоде, соответствующее началу участка пробоя на вольт-амперной характеристике. 5. Номинальное обратное напряжение Uобрном – рабочее обратное напряжение на диоде; его значение для отечественных приборов составляет 0,5Uпроб .

Слайд 16

Описание слайда:

6. Номинальное значение обратного тока Iобр ном – величина обратного тока диода при приложении к нему номинального обратного напряжения. 6. Номинальное значение обратного тока Iобр ном – величина обратного тока диода при приложении к нему номинального обратного напряжения.

Слайд 17

Описание слайда:

Импульсные диоды Импульсный диод – это полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. Импульсные режимы – это такие режимы, когда диоды переключаются с прямого напряжения на обратное через короткие промежутки времени, порядка долей микросекунды.

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Слайд 20

Описание слайда:

Диоды Шоттки Потенциальный барьер, полученный на основе контакта «металл – полупроводник», часто называют барьером Шоттки, а диоды, использующие такой потенциальный барьер, – диодами Шоттки.

Слайд 21

Описание слайда:

Варикапы Варикап – это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость барьерной ёмкости р–n-перехода от обратного напряжения. Варикап можно рассматривать как конденсатор, ёмкость которого можно регулировать при помощи электрического сигнала. Максимальное значение емкости варикап имеет при нулевом обратном напряжении. При увеличении обратного напряжения ёмкость варикапа уменьшается.

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Основные параметры варикапов: 1. Номинальная ёмкость Cн – ёмкость между выводами, измеренная при заданном обратном напряжении; 2. Добротность варикапа Q – отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной ёмкости или обратном напряжении;

Слайд 24

Описание слайда:

3. Коэффициент перекрытия по ёмкости KC – отношение максимальной ёмкости Cmax варикапа к его минимальной ёмкости Cmin при двух заданных значениях обратного напряжения. 3. Коэффициент перекрытия по ёмкости KC – отношение максимальной ёмкости Cmax варикапа к его минимальной ёмкости Cmin при двух заданных значениях обратного напряжения. 4. Температурный коэффициент ёмкости α – относительное изменение ёмкости варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды:

Слайд 25

Описание слайда:

Стабилитроны Стабилитронами называют полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. Это свойство широко используется при создании специальных устройств – стабилизаторов напряжения.

Слайд 26

Описание слайда:

Слайд 27

Описание слайда:

Необходимое напряжение стабилизации получают выбором соответствующей концентрации примеси в базе диода. Необходимое напряжение стабилизации получают выбором соответствующей концентрации примеси в базе диода.

Слайд 28

Описание слайда:

Основные параметры стабилитронов: 1. Напряжение стабилизации Uст – напряжение на стабилитроне при протекании через него тока стабилизации; 2. Ток стабилизации Iст – значение постоянного тока, протекающего через стабидитрон в режиме стабилизации; 3. Дифференциальное сопротивление стабилитрона rст – дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации, т.е.

Слайд 29

Описание слайда:

4. Температурный коэффициент напряжения стабилизации αст – отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации: 4. Температурный коэффициент напряжения стабилизации αст – отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации:

Слайд 30

Описание слайда:

Предельные параметры стабилитронов: 1. Минимально допустимый ток стабилизации Iст min – наименьший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизации Uст находится в заданных пределах; 2. Максимально допустимый ток стабилизации Iст max – наибольший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизации Uст находится в заданных пределах, а температура перехода не выше допустимой; 3. Максимально допустимая рассеиваемая мощность Pmax – мощность, при которой не возникает теплового пробоя перехода.

Теги Полупроводниковые диоды

Похожие презентации