🗊Презентация Электротехника и электроника

Дисциплина: Электротехника и электроника Лектор: Погодин Дмитрий Вадимович Кандидат технических наук, доцент кафедры РИИТ (кафедра Радиоэлектроники и информационно-измерительной техники)

Рекомендуемая литература Электротехника и электроника

Дополнительная литература Методические указания к лабораторным работам: 1. Ознакомление с основными измерительными приборами. Погодин Д.В. 2010. 2. Исследование частотных характеристик простейших цепей. Погодин Д.В., Краев В.В. 2010. 3. Исследование переходных характеристик простейших цепей. Погодин Д.В., Краев В.В. 2010. 4. Исследование характеристик одиночных колебательных контуров. Погодин Д.В., Краев В.В. 2010. 5. Исследование полупроводниковых диодов. Погодин Д.В. Насырова Р.Г. 2010. 6. Биполярные транзисторы. Погодин Д.В. Насырова Р.Г. 2011. 7. Исследование усилителя с RC-связью. Погодин Д.В. 2011. 8. Линейные устройства на ОУ. Погодин Д.В.. 2011. 9. Компараторы напряжений. Евдокимов Ю. К. 2001. Пособия к выполнению курсовой работы: 1. Погодин Д.В., Насырова Р.Г. Расчет частотных и переходных характеристик электрических цепей. Учебное пособие к курсовой и расчетно-графическим работам. Изд-во Казан. гос. тех. ун-та. Казань. 2005 г. 2. Пособия для самоподготовки: 1. Учебное пособие для самоподготовки к тестированию по Электротехнике. Погодин Д.В., 2009 2. Учебное пособие для самоподготовки к тестированию по Электротехнике. Погодин Д.В., 2009

ПРАВИЛА АТТЕСТАЦИИ СТУДЕНТОВ ПО УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ В СООТВЕТСТВИЕ С МОДУЛЬНО –БАЛЬНО- РЕЙТИНГОВОЙ СИСТЕМОЙ ОЦЕНОК 1.Учебный цикл. Учебный семестр подразделяется на 2 учебных модуля, каждый из которых заканчивается аттестацией путем компьютерного тестирования. Продолжительность первого модуля: 1-8 неделя, второго: 9-16 неделя. Учебный цикл заканчивается итоговой аттестацией - экзаменом путем компьютерного тестирования или по билетам. 2 Бальная шкала. В университете действует следующая шкала балльно-рейтинговой оценки для дисциплины: 86 - 100 баллов − «отлично», 76 – 85 баллов − «хорошо», 51 – 75 баллов − «удовлетворительно». 3. Распределение баллов на дисциплину по семестру. Экзамен оценивается в 50 баллов. Студент считается сдавшим экзамен, если он на экзамене получил не менее 25 баллов. Остальные 50 баллов распределяются между двумя промежуточными контрольными мероприятиями после 8-ой неделе и после 16 неделе. На каждое из них отводится по 25 баллов, из них 17 баллов за тестирование по теоретическому курсу и 8 баллов за своевременное и успешное выполнение и защиту лабораторных работ На одну лабораторную работу выделяется 2 балла. Из них 1 балл за своевременное выполнение и еще 1 балл за своевременную сдачу теоретической части и оформленного отчета работы. Своевременным выполнением считается выполнение в составе группы по расписанию, своевременной сдачей − сдача до проведения следующей лабораторной работы. Пропуск занятия без уважительных причин отмечается оценкой 0 баллов с отработкой в конце семестра -1 балл. Активность студентов на занятиях оценивается с максимальной оценкой в 10 дополнительных баллов. «Стоимость» в баллах вопросов в билете на экзамене (зачете), устанавливается преподавателем индивидуально. Оценка за каждый вопрос проставляется дифференцированно с учетом дополнительных вопросов по теме вопроса. 4. Контроль учебной работы студента. Сроки контрольных мероприятий: промежуточных - 8, 16, неделя и итоговый контроль на экзамене. Отсутствие студента на промежуточном контроле без уважительной причины оценивается нулевым баллом. Если контрольное мероприятие пропущено по уважительной причине (например, болезнь, подтвержденная справкой медицинского учреждения), то снижение баллов при дополнительном выполнении контрольного мероприятия не производится. Для таких студентов организуется ликвидация задолжностей в дополнительное время.

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие для студентов заочного и дневного отделения

Оглавление

1.1.2. Собственные полупроводники Атомы собственного полупроводника располагаются в пространстве в строго определённом порядке, образуя кристаллическую решётку. Она возникает за счёт обобществления валентных электронов соседними атомами (такая связь называется ковалентной). Плоская модель кристаллической решётки собственного четырехвалентного полупроводника приведена на рис.2.1. В собственных полупроводниках при Т=00K свободных носителей заряда нет. Все электроны участвуют в образовании ковалентной связи, и полупроводник является диэлектриком. С повышением температуры электроны приобретают дополнительную энергию, и некоторые из них покидают ковалентные связи, становясь свободными. Незаполненная ковалентная связь заполняется одним из валентных электронов соседнего атома. На месте этого электрона образуется новая незаполненная связь, и далее процесс повторяется. Свободная ковалентная связь называется вакансией, её можно рассматривать, как свободный положительный носитель заряда, который называют дыркой. Процесс образования свободного электрона и дырки называется генерацией свободной электронно-дырочной пары. Свободные электроны, двигаясь по объёму полупроводника, теряют часть своей энергии и могут занимать место дырки. Этот процесс взаимного исчезновения электрона и дырки называется рекомбинацией. В результате рекомбинации электрон и дырка перестают существовать. В чистом беспримесном полупроводнике (их называют полупроводниками i – типа) всегда выполняется условие ni = pi причем где: ni и pi – соответственно концентрация электронов и дырок в полупроводнике; А - постоянный коэффициент; Т - температура по шкале Кельвина; Е - ширина запрещённой зоны (это энергия, которую должен приобрести электрон, чтобы разорвать ковалентную связь и стать свободным, она зависит от материала полупроводника). Она составляет 0,803 эВ для Ge, для Si - 1,12эВ, а для GaAs - 1,43эВ; k – постоянная Больцмана. Чистые полупроводники при создании полупроводниковых приборов практически не используются, так как их свойства зависят только от температуры и других внешних факторов.

1.1.3. Примесные полупроводники

1.1.4. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия

1.2. Электрические переходы 1.2.1. Классификация электрических переходов

1.2.2. P-n переход

1.2.3. Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состоянии

1.2.4. Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему

1.2.5. ВАХ р-n перехода

1.2.6. Ёмкость p-n перехода

1.2.7. Пробой p-n перехода