🗊Презентация Sbs – silicon bidirectional switch

Категория: Технология
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Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Raúl Rincon Guerra Davinson Mena Electrónica de potencia Doc. Nelson Cantillo
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Raúl Rincon Guerra Davinson Mena Electrónica de potencia Doc. Nelson Cantillo

Слайд 2


Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo consumo de potencia. Así como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturación, los tiristores en cambio sólo conmutan entre dos estados: corte y conducción.
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Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo consumo de potencia. Así como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturación, los tiristores en cambio sólo conmutan entre dos estados: corte y conducción.

Слайд 3


El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simétrico para aplicaciones de disparo más versátil que el SIDAC. 
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El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simétrico para aplicaciones de disparo más versátil que el SIDAC. 

Слайд 4


Construcción El SBS cuenta con tres conexiones: la compuerta (G), el ánodo o terminal 1 (A1 o T1) y el ánodo o terminal 2 (A2 o T2). Está compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias internas.  circuitos integrados.
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Construcción El SBS cuenta con tres conexiones: la compuerta (G), el ánodo o terminal 1 (A1 o T1) y el ánodo o terminal 2 (A2 o T2). Está compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias internas.  circuitos integrados.

Слайд 5


Características del dispositivo Vs, Tensión de disparo, 6 a 10 V Is, Corriente de disparo, 0,5 mA máximo VH, Tensión de mantenimiento, 0,7 V @ 25º IH, Corriente de mantenimiento, 1,5 mA VF, Caída directa, 1,75 V @ 200 mA Vo, Tensión de pico del pulso, 3,5 V mínimo  El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensión V o bien aplicando una corriente de puerta I =100µA.
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Características del dispositivo Vs, Tensión de disparo, 6 a 10 V Is, Corriente de disparo, 0,5 mA máximo VH, Tensión de mantenimiento, 0,7 V @ 25º IH, Corriente de mantenimiento, 1,5 mA VF, Caída directa, 1,75 V @ 200 mA Vo, Tensión de pico del pulso, 3,5 V mínimo  El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensión V o bien aplicando una corriente de puerta I =100µA.

Слайд 6


Sbs – silicon bidirectional switch, слайд №6
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Слайд 7


características Los SBS tienen voltajes de rompimiento más bajos que los diacs, los de valor ±8 son los más conocidos. puede operar con polaridades opuestas de la tensión de alimentación
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características Los SBS tienen voltajes de rompimiento más bajos que los diacs, los de valor ±8 son los más conocidos. puede operar con polaridades opuestas de la tensión de alimentación

Слайд 8


Sbs – silicon bidirectional switch, слайд №8
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