🗊Презентация Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №1Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №2Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №3Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №4Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №5Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №6Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №7Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №8Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №9Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №10Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №11Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №12Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №13Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №14Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №15Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №16Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №17
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода. Доклад-сообщение содержит 17 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Общая характеристика пробоя p-n перехода Пробой p-n перехода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, которое приводит к резкому увеличению обратного тока, при достижении критического значения обратного напряжения. Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа p-n перехода и может иметь величину от единиц до сотен вольт.
Описание слайда:
Общая характеристика пробоя p-n перехода Пробой p-n перехода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, которое приводит к резкому увеличению обратного тока, при достижении критического значения обратного напряжения. Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа p-n перехода и может иметь величину от единиц до сотен вольт.

Слайд 3


Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Тепловой пробой p-n перехода характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями; причина – нарушение теплового баланса; обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока.
Описание слайда:
Тепловой пробой p-n перехода характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями; причина – нарушение теплового баланса; обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока.

Слайд 5


В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением: Отводимая от p-n перехода мощность: Тепловое сопротивление определяет перепад T, необходимый для отвода 1 Вт мощности от p-n перехода в окружающую среду.
Описание слайда:
В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением: Отводимая от p-n перехода мощность: Тепловое сопротивление определяет перепад T, необходимый для отвода 1 Вт мощности от p-n перехода в окружающую среду.

Слайд 6


Тепловой пробой p-n перехода В установившемся режиме При нарушении теплового баланса Тепловой режим перехода теряет устойчивость: Т и ток перехода неограниченно растут. Возникает тепловой пробой.
Описание слайда:
Тепловой пробой p-n перехода В установившемся режиме При нарушении теплового баланса Тепловой режим перехода теряет устойчивость: Т и ток перехода неограниченно растут. Возникает тепловой пробой.

Слайд 7


участок АВ: rДИФ = dUобр / dIобр < 0
Описание слайда:
участок АВ: rДИФ = dUобр / dIобр < 0

Слайд 8


Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : ТКНТЕПЛ = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 , Т = Т2 – Т1. Тепловой пробой – необратимый пробой, приводит к разрушению перехода. Он характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов.
Описание слайда:
Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : ТКНТЕПЛ = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 , Т = Т2 – Т1. Тепловой пробой – необратимый пробой, приводит к разрушению перехода. Он характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов.

Слайд 9


Полевой пробой p-n перехода электрический вид пробоя характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра) обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями напряженность электрического поля туннельный эффект – явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода
Описание слайда:
Полевой пробой p-n перехода электрический вид пробоя характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра) обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями напряженность электрического поля туннельный эффект – явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода

Слайд 10


Энергетическая диаграмма при полевом пробое
Описание слайда:
Энергетическая диаграмма при полевом пробое

Слайд 11


Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12


Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : ТКНпол = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 при Iобр = const, Т = Т2 – Т1 . Напряжение полевого пробоя определяется эмпирическим соотношением: Uпроб = Аn+Вp где n и p – удельные сопротивления n- и p-областей, прилегающих к переходу.
Описание слайда:
Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : ТКНпол = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 при Iобр = const, Т = Т2 – Т1 . Напряжение полевого пробоя определяется эмпирическим соотношением: Uпроб = Аn+Вp где n и p – удельные сопротивления n- и p-областей, прилегающих к переходу.

Слайд 13


Лавинный пробой p-n перехода электрический вид пробоя проявляется в p-n переходах ширина, которых достаточно большая напряженность электрического поля EКР=(80−120) кВ/см ударная ионизация нейтральных атомов полупроводника непосредственно в p-n переходе быстрыми электронами (дырками), которые получили достаточное ускорение за счет действия электрического поля p-n перехода.
Описание слайда:
Лавинный пробой p-n перехода электрический вид пробоя проявляется в p-n переходах ширина, которых достаточно большая напряженность электрического поля EКР=(80−120) кВ/см ударная ионизация нейтральных атомов полупроводника непосредственно в p-n переходе быстрыми электронами (дырками), которые получили достаточное ускорение за счет действия электрического поля p-n перехода.

Слайд 14


Механизм ударной ионизации
Описание слайда:
Механизм ударной ионизации

Слайд 15


Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, где б – удельное сопротивление базы перехода, А, В – коэффициенты, зависящие от материала и типа электропроводности полупроводника. Например, для p-n перехода с базой n-типа Чем меньше в базе, тем выше б , шире p-n переход, меньше Еобр , тем больше напряжение лавинного пробоя. Температурный коэффициент напряжения при лавинном пробое: ТКНЛАВ = Uпроб/Т  0
Описание слайда:
Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, где б – удельное сопротивление базы перехода, А, В – коэффициенты, зависящие от материала и типа электропроводности полупроводника. Например, для p-n перехода с базой n-типа Чем меньше в базе, тем выше б , шире p-n переход, меньше Еобр , тем больше напряжение лавинного пробоя. Температурный коэффициент напряжения при лавинном пробое: ТКНЛАВ = Uпроб/Т  0

Слайд 16


Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №16
Описание слайда:

Слайд 17


Выводы Тепловой пробой – необратимый пробой, причина – нарушение теплового баланса, характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов. Электрические виды пробоя: полевой и лавинный. Напряжение лавинного пробоя более 7 В, полевого пробоя менее 5 В. ТКН лавинного пробоя – положительный, полевого и теплового пробоя – отрицательный. Уменьшение степени легирования приводит к увеличению напряжения лавинного и полевого пробоя.
Описание слайда:
Выводы Тепловой пробой – необратимый пробой, причина – нарушение теплового баланса, характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов. Электрические виды пробоя: полевой и лавинный. Напряжение лавинного пробоя более 7 В, полевого пробоя менее 5 В. ТКН лавинного пробоя – положительный, полевого и теплового пробоя – отрицательный. Уменьшение степени легирования приводит к увеличению напряжения лавинного и полевого пробоя.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию