Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №1

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №2

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №3

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №4

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №5

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №6

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №7

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №8

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №9

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №10

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №11

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №12

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №13

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №14

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №15

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход, слайд №16

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход. Доклад-сообщение содержит 16 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Идеальным, или идеализированным p-n переходом называется такой p-n переход, который представляет собой упрощенную модель реального p-n перехода, для которой приняты следующие допущения: Идеальным, или идеализированным p-n переходом называется такой p-n переход, который представляет собой упрощенную модель реального p-n перехода, для которой приняты следующие допущения: Все подводимое напряжение приложено и падает непосредственно на p-n переходе. Ширина p-n перехода пренебрежимо мала. Границы p-n перехода являются плоскими, носители заряда движутся только в направлении, перпендикулярном этим границам, краевые эффекты не учитываются.

Слайд 3

Описание слайда:

Толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в этих областях. Уровень инжекции мал, т.е. при любом значении тока через переход концентрация основных носителей заряда много больше концентрации неосновных носителей заряда. Изменение концентрации неосновных носителей заряда в областях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электрической нейтральности этих областей.

Слайд 4

Описание слайда:

Физические процессы при прямом напряжении на p-n переходе Схема движения основных носителей заряда

Слайд 5

Описание слайда:

Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии: Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии: Это дифференциальное уравнение описывает диффузионное движение электронов в дырочном полупроводнике с учетом рекомбинации. Решение уравнения диффузии для p-области имеет вид: для n-области:

Слайд 6

Описание слайда:

Распределения избыточных концентраций носителей заряда

Слайд 7

Описание слайда:

Плотность тока диффузии на границе p-n перехода: Плотность тока диффузии на границе p-n перехода: Ток через p-n переход опишется вольтамперной характеристикой идеального перехода: *** *** Коэффициент инжекции характеризует относительную роль главной составляющей тока в переходе:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Параметры прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода: сопротивление постоянному току Для обратной ветви ВАХ :

Слайд 10

Описание слайда:

Определение сопротивлений перехода

Слайд 11

Описание слайда:

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода Идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением: Сбар = εS/l

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Для диффузионной емкости:

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Выводы Ток насыщения с ↑T растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация неосновных носителей заряда (приближенно: ток насыщения увеличивается в 2 раза на каждые 10 С). Прямая ветвь ВАХ p-n перехода с ↑T смещается влево: возрастает тепловая энергия основных носителей заряда, снижается высота потенциального барьера, следовательно растет число носителей заряда, энергия которых больше высоты потенциального барьера p-n перехода. С ростом степени легирования происходит уменьшение тока I0.

Слайд 16

Описание слайда:

Выводы Нелинейность ВАХ : прямая ветвь – rпер<< Rпер; обратная ветвь – Rпер << rпер → ∞. В динамическом режиме p-n переход является инерционным элементом по отношению к быстрым изменениям тока или напряжения и обладает барьерной емкостью, отражающую перераспределение зарядов в переходе, и диффузионной емкость, отражающую перераспределение носителей зарядов в базе.