🗊Презентация Электронно-дырочный переход. Определение и классификация

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №1Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №2Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №3Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №4Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №5Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №6Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №7Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №8Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №9Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №10Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №11Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №12Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №13Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №14Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №15
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Определение и классификация. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Электронно-дырочный переход. Определение и классификация, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Тема 2. Электронно-дырочный переход § 1. Определение и классификация p-n переходов § 2. Равновесное состояние p-n перехода § 3. Неравновесное состояние p-n перехода § 4. ВАХ и ВФХ идеального p-n перехода § 5. ВАХ реального p-n перехода. Эквивалентные схемы § 6. Пробой p-n перехода § 7. Туннелирование в сильнолегированных p-n переходах
Описание слайда:
Тема 2. Электронно-дырочный переход § 1. Определение и классификация p-n переходов § 2. Равновесное состояние p-n перехода § 3. Неравновесное состояние p-n перехода § 4. ВАХ и ВФХ идеального p-n перехода § 5. ВАХ реального p-n перехода. Эквивалентные схемы § 6. Пробой p-n перехода § 7. Туннелирование в сильнолегированных p-n переходах

Слайд 3


Электронно-дырочный (p-n) переход – это обедненная подвижными носителями заряда область на границе раздела полупроводников p- и n-типа, обладающая уникальными свойствами: Электронно-дырочный (p-n) переход – это обедненная подвижными носителями заряда область на границе раздела полупроводников p- и n-типа, обладающая уникальными свойствами: содержит объемные заряды; является потенциальным барьером; обладает односторонней проводимостью; становится нелинейной управляемой емкостью; способна изменять концентрацию носителей заряда в прилегающих областях, на расстоянии диффузионной длины.
Описание слайда:
Электронно-дырочный (p-n) переход – это обедненная подвижными носителями заряда область на границе раздела полупроводников p- и n-типа, обладающая уникальными свойствами: Электронно-дырочный (p-n) переход – это обедненная подвижными носителями заряда область на границе раздела полупроводников p- и n-типа, обладающая уникальными свойствами: содержит объемные заряды; является потенциальным барьером; обладает односторонней проводимостью; становится нелинейной управляемой емкостью; способна изменять концентрацию носителей заряда в прилегающих областях, на расстоянии диффузионной длины.

Слайд 4


Структура p-n перехода
Описание слайда:
Структура p-n перехода

Слайд 5


Классификация p-n переходов По материалу контактирующих веществ: p-n переход (обычно монокристалл); p+-p, n+-n – переходы между областями с различной концентрацией примеси одного типа; гетеропереходы; металл-полупроводник; металл-диэлектрик-полупроводник. По закону изменения концентрации примесей: резкий или ступенчатый; плавный.
Описание слайда:
Классификация p-n переходов По материалу контактирующих веществ: p-n переход (обычно монокристалл); p+-p, n+-n – переходы между областями с различной концентрацией примеси одного типа; гетеропереходы; металл-полупроводник; металл-диэлектрик-полупроводник. По закону изменения концентрации примесей: резкий или ступенчатый; плавный.

Слайд 6


По соотношению концентраций примесей в областях: По соотношению концентраций примесей в областях: симметричный; несимметричный. По технологии производства: сплавной; диффузионный; эпитаксиальный.
Описание слайда:
По соотношению концентраций примесей в областях: По соотношению концентраций примесей в областях: симметричный; несимметричный. По технологии производства: сплавной; диффузионный; эпитаксиальный.

Слайд 7


Технология производства p-n перехода Сплавной метод Сплавные p-n переходы относятся к числу резких (ступенчатых). Они имеют высокую надежность, работоспособность при больших обратных напряжениях, малое собственное сопротивление p- и n-областей, что при прямом смещении p-n перехода обеспечивает малое падение напряжения на них. Этот технологический процесс широко применяют при массовом изготовлении сплавных диодов и транзисторов.
Описание слайда:
Технология производства p-n перехода Сплавной метод Сплавные p-n переходы относятся к числу резких (ступенчатых). Они имеют высокую надежность, работоспособность при больших обратных напряжениях, малое собственное сопротивление p- и n-областей, что при прямом смещении p-n перехода обеспечивает малое падение напряжения на них. Этот технологический процесс широко применяют при массовом изготовлении сплавных диодов и транзисторов.

Слайд 8


Диффузионный метод Наиболее широко применяют высокотемпературную диффузию. В диффузионном слое концентрация примесей уменьшается от поверхности вглубь кристалла по закону, близкому к экспоненциальному. При диффузии образуется плавный p-n переход. Ввиду неравномерного распределения примеси по толщине в области, полученной диффузией, имеется собственное электрическое поле. Изготовление диффузионного перехода
Описание слайда:
Диффузионный метод Наиболее широко применяют высокотемпературную диффузию. В диффузионном слое концентрация примесей уменьшается от поверхности вглубь кристалла по закону, близкому к экспоненциальному. При диффузии образуется плавный p-n переход. Ввиду неравномерного распределения примеси по толщине в области, полученной диффузией, имеется собственное электрическое поле. Изготовление диффузионного перехода

Слайд 9


Метод эпитаксиального наращивания Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной пленки. Наиболее распространенным способом эпитаксиального наращивания кремния является термическое восстановление его из тетрахлорида SiCl4. Примеры эпитаксиального наращивания слоев
Описание слайда:
Метод эпитаксиального наращивания Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной пленки. Наиболее распространенным способом эпитаксиального наращивания кремния является термическое восстановление его из тетрахлорида SiCl4. Примеры эпитаксиального наращивания слоев

Слайд 10


Планарная технология Под планарной технологией понимают узкую совокупность технологических операций создания кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем методами локальной диффузии с использованием оксидных масок – трафаретов, обеспечивающих избирательную защиту отдельных участков пластины – подложки.
Описание слайда:
Планарная технология Под планарной технологией понимают узкую совокупность технологических операций создания кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем методами локальной диффузии с использованием оксидных масок – трафаретов, обеспечивающих избирательную защиту отдельных участков пластины – подложки.

Слайд 11


Планарная технология Оксидную маску получают методом фотолитографии. Фотолитография – это процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка.
Описание слайда:
Планарная технология Оксидную маску получают методом фотолитографии. Фотолитография – это процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка.

Слайд 12


Планарная технология Особенностью планарной технологии является то, что рабочие области полупроводникового прибора сложной структуры выходят на одну поверхность. Поэтому все выводы могут располагаться на одной грани кристалла, что весьма удобно при конструктивном оформлении транзисторов и интегральных микросхем. Структура планарного перехода
Описание слайда:
Планарная технология Особенностью планарной технологии является то, что рабочие области полупроводникового прибора сложной структуры выходят на одну поверхность. Поэтому все выводы могут располагаться на одной грани кристалла, что весьма удобно при конструктивном оформлении транзисторов и интегральных микросхем. Структура планарного перехода

Слайд 13


Изготовление точечных переходов Точечный переход образуется в месте контакта тонкого (диаметром 10−20 мкм) острия металлической иглы с кристаллом германия (редко кремния) в результате формовки. Через контакт пропускают несколько сравнительно мощных, но коротких импульсов тока. При этом приконтактная область сильно разогревается, кончик иглы сплавляется с полупроводником, и контакт приобретает стабильность и механическую прочность. Образуется полусферический p-n переход.
Описание слайда:
Изготовление точечных переходов Точечный переход образуется в месте контакта тонкого (диаметром 10−20 мкм) острия металлической иглы с кристаллом германия (редко кремния) в результате формовки. Через контакт пропускают несколько сравнительно мощных, но коротких импульсов тока. При этом приконтактная область сильно разогревается, кончик иглы сплавляется с полупроводником, и контакт приобретает стабильность и механическую прочность. Образуется полусферический p-n переход.

Слайд 14


Изготовление точечных переходов
Описание слайда:
Изготовление точечных переходов

Слайд 15


Выводы Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических эффектах, происходящих в области контакта твердых тел. Область на границе раздела полупроводников p- и n-типа обладает уникальными свойствами. В структуре перехода можно выделить: металлургическую границу, область перехода (имеет толщину от 10–6 до 10−4 см в зависимости от технологии производства), нейтральные области, лежащие между областью пространственного заряда и границами полупроводников p- и n-типов и омические (невыпрямляющие) контакты. Разнообразные технологические методы производства позволяют получить p-n переходы с требуемыми параметрами.
Описание слайда:
Выводы Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических эффектах, происходящих в области контакта твердых тел. Область на границе раздела полупроводников p- и n-типа обладает уникальными свойствами. В структуре перехода можно выделить: металлургическую границу, область перехода (имеет толщину от 10–6 до 10−4 см в зависимости от технологии производства), нейтральные области, лежащие между областью пространственного заряда и границами полупроводников p- и n-типов и омические (невыпрямляющие) контакты. Разнообразные технологические методы производства позволяют получить p-n переходы с требуемыми параметрами.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию