🗊Презентация Память в вычислительных системах

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Память в вычислительных системах, слайд №1Память в вычислительных системах, слайд №2Память в вычислительных системах, слайд №3Память в вычислительных системах, слайд №4Память в вычислительных системах, слайд №5Память в вычислительных системах, слайд №6Память в вычислительных системах, слайд №7Память в вычислительных системах, слайд №8Память в вычислительных системах, слайд №9Память в вычислительных системах, слайд №10Память в вычислительных системах, слайд №11Память в вычислительных системах, слайд №12Память в вычислительных системах, слайд №13Память в вычислительных системах, слайд №14Память в вычислительных системах, слайд №15Память в вычислительных системах, слайд №16Память в вычислительных системах, слайд №17Память в вычислительных системах, слайд №18Память в вычислительных системах, слайд №19Память в вычислительных системах, слайд №20Память в вычислительных системах, слайд №21Память в вычислительных системах, слайд №22Память в вычислительных системах, слайд №23Память в вычислительных системах, слайд №24Память в вычислительных системах, слайд №25Память в вычислительных системах, слайд №26Память в вычислительных системах, слайд №27Память в вычислительных системах, слайд №28Память в вычислительных системах, слайд №29Память в вычислительных системах, слайд №30Память в вычислительных системах, слайд №31Память в вычислительных системах, слайд №32Память в вычислительных системах, слайд №33Память в вычислительных системах, слайд №34Память в вычислительных системах, слайд №35Память в вычислительных системах, слайд №36Память в вычислительных системах, слайд №37Память в вычислительных системах, слайд №38Память в вычислительных системах, слайд №39Память в вычислительных системах, слайд №40Память в вычислительных системах, слайд №41Память в вычислительных системах, слайд №42Память в вычислительных системах, слайд №43Память в вычислительных системах, слайд №44Память в вычислительных системах, слайд №45Память в вычислительных системах, слайд №46Память в вычислительных системах, слайд №47Память в вычислительных системах, слайд №48Память в вычислительных системах, слайд №49Память в вычислительных системах, слайд №50Память в вычислительных системах, слайд №51Память в вычислительных системах, слайд №52Память в вычислительных системах, слайд №53Память в вычислительных системах, слайд №54Память в вычислительных системах, слайд №55Память в вычислительных системах, слайд №56Память в вычислительных системах, слайд №57Память в вычислительных системах, слайд №58Память в вычислительных системах, слайд №59
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Память в вычислительных системах. Доклад-сообщение содержит 59 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Память в вычислительных системах Кафедра ВТ, Туляков В.С.
Описание слайда:
Память в вычислительных системах Кафедра ВТ, Туляков В.С.

Слайд 2


Характеристики запоминающих устройств Емкость. Разрядность. Способ доступа. Физический тип или тип носителя. Быстродействие. Способ организации. Стоимость.
Описание слайда:
Характеристики запоминающих устройств Емкость. Разрядность. Способ доступа. Физический тип или тип носителя. Быстродействие. Способ организации. Стоимость.

Слайд 3


Простейшее ЗУ и его диаграмма работы
Описание слайда:
Простейшее ЗУ и его диаграмма работы

Слайд 4


Иерархия ЗУ
Описание слайда:
Иерархия ЗУ

Слайд 5


Классификация полупроводниковых ЗУ
Описание слайда:
Классификация полупроводниковых ЗУ

Слайд 6


Оперативная память RAM (Random Access Memory) – память с произвольным доступом.
Описание слайда:
Оперативная память RAM (Random Access Memory) – память с произвольным доступом.

Слайд 7


SRAM
Описание слайда:
SRAM

Слайд 8


Способы организации ЗУ Структура 2D; Структура 3D; Структура 2DM; Блочные структуры; Структура видеопамяти; Буфер FIFO; Буфер LIFO; Буфер круговой; Кэш память;
Описание слайда:
Способы организации ЗУ Структура 2D; Структура 3D; Структура 2DM; Блочные структуры; Структура видеопамяти; Буфер FIFO; Буфер LIFO; Буфер круговой; Кэш память;

Слайд 9


Структура 2D ЗЭ образуют прямоугольную матрицу
Описание слайда:
Структура 2D ЗЭ образуют прямоугольную матрицу

Слайд 10


Структура 3D Используется принцип двухкоординатной выборки. Применяется в ЗУ с многоразрядной – слойной организацией.
Описание слайда:
Структура 3D Используется принцип двухкоординатной выборки. Применяется в ЗУ с многоразрядной – слойной организацией.

Слайд 11


Структура 2DM Сочетает достоинства двух предыдущих.
Описание слайда:
Структура 2DM Сочетает достоинства двух предыдущих.

Слайд 12


Блочные структуры ЗУ С увеличением емкости матрицы ЗЭ возрастают длины линий выборки и записи-считывания и емкостные нагрузки на них. В результате снижается быстродействие.
Описание слайда:
Блочные структуры ЗУ С увеличением емкости матрицы ЗЭ возрастают длины линий выборки и записи-считывания и емкостные нагрузки на них. В результате снижается быстродействие.

Слайд 13


Блочная организация оперативной памяти
Описание слайда:
Блочная организация оперативной памяти

Слайд 14


Увеличение разрядности памяти на ИС
Описание слайда:
Увеличение разрядности памяти на ИС

Слайд 15


Много портовые ОЗУ Обеспечивают возможность одновременного доступа к памяти двух устройств (Процессоров).
Описание слайда:
Много портовые ОЗУ Обеспечивают возможность одновременного доступа к памяти двух устройств (Процессоров).

Слайд 16


Буфер FIFO
Описание слайда:
Буфер FIFO

Слайд 17


Буфер LIFO
Описание слайда:
Буфер LIFO

Слайд 18


Круговой буфер
Описание слайда:
Круговой буфер

Слайд 19


Схема взаимодействия процессора ОЗУ и кэш-памяти
Описание слайда:
Схема взаимодействия процессора ОЗУ и кэш-памяти

Слайд 20


Запоминающий элемент КМОП
Описание слайда:
Запоминающий элемент КМОП

Слайд 21


Асинхронная статическая память
Описание слайда:
Асинхронная статическая память

Слайд 22


Статическая память КМ185 РУ7
Описание слайда:
Статическая память КМ185 РУ7

Слайд 23


Статическая память КМ185 РУ7
Описание слайда:
Статическая память КМ185 РУ7

Слайд 24


Статическая память КМ185 РУ7
Описание слайда:
Статическая память КМ185 РУ7

Слайд 25


Синхронная статическая память
Описание слайда:
Синхронная статическая память

Слайд 26


Искусственная энергонезависимость статических ЗУ для КМОП
Описание слайда:
Искусственная энергонезависимость статических ЗУ для КМОП

Слайд 27


Искусственная энергонезависимость статических ЗУ – NV-SRAM
Описание слайда:
Искусственная энергонезависимость статических ЗУ – NV-SRAM

Слайд 28


Динамические ЗУ. Базовая структура запоминающей ячейки
Описание слайда:
Динамические ЗУ. Базовая структура запоминающей ячейки

Слайд 29


Особенности динамических ЗУ Поток обращений к динамическому ЗУ должен учитывать состояние в котором оно находится. Регенерация может быть циклической или после чтения.
Описание слайда:
Особенности динамических ЗУ Поток обращений к динамическому ЗУ должен учитывать состояние в котором оно находится. Регенерация может быть циклической или после чтения.

Слайд 30


Считывание и запись в динамической ячейке памяти
Описание слайда:
Считывание и запись в динамической ячейке памяти

Слайд 31


Внешняя организация DRAM
Описание слайда:
Внешняя организация DRAM

Слайд 32


Организация микросхем динамической памяти
Описание слайда:
Организация микросхем динамической памяти

Слайд 33


Структурная схема динамической памяти
Описание слайда:
Структурная схема динамической памяти

Слайд 34


Сигналы RAS и CAS в управлении DRAM
Описание слайда:
Сигналы RAS и CAS в управлении DRAM

Слайд 35


Методы повышения быстродействия динамических ЗУ Быстрый страничный доступ. Используется принцип локальности следования адресов. Не требуется смена установленного адреса полностью. Пакетная передача данных. Адрес формируется внутри самой схемы памяти с помощью специального счетчика. Технология DDR. Выдача и восприятие данных по обоим фронтам синхросигнала. Многобанковые структуры. Для ОП, которая требует время восстановления начального состояния после выполнения рабочего цикла. Конвейеризация трактов передачи данных.
Описание слайда:
Методы повышения быстродействия динамических ЗУ Быстрый страничный доступ. Используется принцип локальности следования адресов. Не требуется смена установленного адреса полностью. Пакетная передача данных. Адрес формируется внутри самой схемы памяти с помощью специального счетчика. Технология DDR. Выдача и восприятие данных по обоим фронтам синхросигнала. Многобанковые структуры. Для ОП, которая требует время восстановления начального состояния после выполнения рабочего цикла. Конвейеризация трактов передачи данных.

Слайд 36


Эволюция оперативной памяти динамического типа FPM – Fast Page Mode – динамическая память с быстрым страничным доступом. EDO – Extended Data Out. Расширенное время удержания данных на выходе. BEDO – Burst EDO – вариант памяти с пакетным доступом. Синхронная динамическая память SDRAM. Синхронная динамическая память DDR (Double Data Rate). Память DDR2 SDRAM. Память DDR3 SDRAM. RDRAM. RLDRAM.
Описание слайда:
Эволюция оперативной памяти динамического типа FPM – Fast Page Mode – динамическая память с быстрым страничным доступом. EDO – Extended Data Out. Расширенное время удержания данных на выходе. BEDO – Burst EDO – вариант памяти с пакетным доступом. Синхронная динамическая память SDRAM. Синхронная динамическая память DDR (Double Data Rate). Память DDR2 SDRAM. Память DDR3 SDRAM. RDRAM. RLDRAM.

Слайд 37


Асинхронная динамическая память FPM DRAM FPM – Fast Page Mode – динамическая память с быстрым страничным доступом. ИДЕЯ – предполагается, что данные, к которым происходит обращение расположены последовательно в пределах одной строки матрицы памяти.
Описание слайда:
Асинхронная динамическая память FPM DRAM FPM – Fast Page Mode – динамическая память с быстрым страничным доступом. ИДЕЯ – предполагается, что данные, к которым происходит обращение расположены последовательно в пределах одной строки матрицы памяти.

Слайд 38


Асинхронная динамическая память EDO DRAM EDO – Extended Data Out. Расширенное время удержания данных на выходе. Идея – повторяет принцип FPM , но на выходе микросхемы памяти устанавливают регистры защелки, которые хранят выбранные данные до прихода следующих. При этом может выполнятся следующая выборка. Используется статический буфер для считывания данных. На 15% эффективней FPM DRAM. Время обращения 45 нс. Максимальная скорость по каналу процессор память 264 Мбайт\сек. Выпускалась в конструктивах SIMM и DIMM-
Описание слайда:
Асинхронная динамическая память EDO DRAM EDO – Extended Data Out. Расширенное время удержания данных на выходе. Идея – повторяет принцип FPM , но на выходе микросхемы памяти устанавливают регистры защелки, которые хранят выбранные данные до прихода следующих. При этом может выполнятся следующая выборка. Используется статический буфер для считывания данных. На 15% эффективней FPM DRAM. Время обращения 45 нс. Максимальная скорость по каналу процессор память 264 Мбайт\сек. Выпускалась в конструктивах SIMM и DIMM-

Слайд 39


Асинхронная динамическая память BEDO DRAM BEDO – Burst EDO – вариант памяти с пакетным доступом. ИДЕЯ – считывать не единичные данные , а пакет или блок данных. В схему вводится счетчик столбцов.
Описание слайда:
Асинхронная динамическая память BEDO DRAM BEDO – Burst EDO – вариант памяти с пакетным доступом. ИДЕЯ – считывать не единичные данные , а пакет или блок данных. В схему вводится счетчик столбцов.

Слайд 40


Недостаток асинхронной динамической памяти Процессор ждет выполнение операций с памятью. Других действий при этом он выполнять не может. Таким образом, производительность системы падает.
Описание слайда:
Недостаток асинхронной динамической памяти Процессор ждет выполнение операций с памятью. Других действий при этом он выполнять не может. Таким образом, производительность системы падает.

Слайд 41


Переход к синхронной динамической памяти. Особенности организации. Увязка операций с тактирующими сигналами. Буферизация адресов и данных. Многобанковые структуры. Пакетный режим. Конвейеризация тракта продвижения информации.
Описание слайда:
Переход к синхронной динамической памяти. Особенности организации. Увязка операций с тактирующими сигналами. Буферизация адресов и данных. Многобанковые структуры. Пакетный режим. Конвейеризация тракта продвижения информации.

Слайд 42


Синхронная динамическая память SDRAM Синхронизация входных и выходных сигналов с тактами системного генератора. Но при этом управление памятью усложняется. Весь массив памяти делится на два банка. В одном происходит чтение, а в другом установка адреса - конвейер.
Описание слайда:
Синхронная динамическая память SDRAM Синхронизация входных и выходных сигналов с тактами системного генератора. Но при этом управление памятью усложняется. Весь массив памяти делится на два банка. В одном происходит чтение, а в другом установка адреса - конвейер.

Слайд 43


Синхронная динамическая память SDRAM
Описание слайда:
Синхронная динамическая память SDRAM

Слайд 44


Синхронная динамическая память DDR (Double Data Rate) DDR означает удвоенную скорость передачи данных при вводе выводе. По переднему и заднему фронту синхросигнала.
Описание слайда:
Синхронная динамическая память DDR (Double Data Rate) DDR означает удвоенную скорость передачи данных при вводе выводе. По переднему и заднему фронту синхросигнала.

Слайд 45


Структура DDR SDRAM Samsung 128 Мбит
Описание слайда:
Структура DDR SDRAM Samsung 128 Мбит

Слайд 46


Память DDR2 SDRAM
Описание слайда:
Память DDR2 SDRAM

Слайд 47


Модули DDR2
Описание слайда:
Модули DDR2

Слайд 48


Память DDR3 SDRAM Логическое развитие DDR2. Стандарт принят в 2007 году и к 2010 занял основную долю рынка. Возможная частота работы до 1800 МГц и выше. Питание 1.5 В.
Описание слайда:
Память DDR3 SDRAM Логическое развитие DDR2. Стандарт принят в 2007 году и к 2010 занял основную долю рынка. Возможная частота работы до 1800 МГц и выше. Питание 1.5 В.

Слайд 49


Характеристики модулей DDR3
Описание слайда:
Характеристики модулей DDR3

Слайд 50


Развитие технологии DDR
Описание слайда:
Развитие технологии DDR

Слайд 51


Rambus DRAM Применяется в графических и мультимедийных приложениях – там где надо выдать длинную последовательность слов. Это задача формирования изображения на экране. Основное новшество – 16 разрядный интерфейс для пакетной передачи данных. В формате пакета содержится адрес и данные. Ближе к HTи PCIE.
Описание слайда:
Rambus DRAM Применяется в графических и мультимедийных приложениях – там где надо выдать длинную последовательность слов. Это задача формирования изображения на экране. Основное новшество – 16 разрядный интерфейс для пакетной передачи данных. В формате пакета содержится адрес и данные. Ближе к HTи PCIE.

Слайд 52


RLDRAM (Reduced Latency DRAM) Идея – уменьшение длительности полного цикла обращения к памяти , за счет передачи адреса за один такт без RAS и CAS.
Описание слайда:
RLDRAM (Reduced Latency DRAM) Идея – уменьшение длительности полного цикла обращения к памяти , за счет передачи адреса за один такт без RAS и CAS.

Слайд 53


FCRAM (Fast Cycle RAM) Идея – сегментация ядра памяти и выполнение одновременной адресации к ячейкам сегмента. Режим страничного доступа не поддерживается. Для некомпьютерных применений (телефоны). Резко снижена потребляемая мощность.
Описание слайда:
FCRAM (Fast Cycle RAM) Идея – сегментация ядра памяти и выполнение одновременной адресации к ячейкам сегмента. Режим страничного доступа не поддерживается. Для некомпьютерных применений (телефоны). Резко снижена потребляемая мощность.

Слайд 54


Перспективные ЗУ FRAM – ферроэлектрические. PFRAM – полимерно-ферроэлектрические. MRAM – магниторезистивные.
Описание слайда:
Перспективные ЗУ FRAM – ферроэлектрические. PFRAM – полимерно-ферроэлектрические. MRAM – магниторезистивные.

Слайд 55


Виды модулей оперативной памяти SIMM – (Single In-line Memory Module) - печатная плата с односторонним краевым разъемом типа «слот» на 30 или 72 контакта. Емкость 256 к, 1,4,8,32,64 Мбайт. С контролем и без контроля на четность. Низкое быстродействие 60-70 нс.
Описание слайда:
Виды модулей оперативной памяти SIMM – (Single In-line Memory Module) - печатная плата с односторонним краевым разъемом типа «слот» на 30 или 72 контакта. Емкость 256 к, 1,4,8,32,64 Мбайт. С контролем и без контроля на четность. Низкое быстродействие 60-70 нс.

Слайд 56


Виды модулей оперативной памяти DIMM (Dual In-line Memory Module) – печатная плата с двухсторонним разъемом типа слот 168 контактов. Для работы с 64 разрядной шиной данных. Емкость 16, 32, 64,128, 256, 512,1024 Мбайт. Время обращения 6-10 нс. Рабочая частота 100 и 133 МГц.
Описание слайда:
Виды модулей оперативной памяти DIMM (Dual In-line Memory Module) – печатная плата с двухсторонним разъемом типа слот 168 контактов. Для работы с 64 разрядной шиной данных. Емкость 16, 32, 64,128, 256, 512,1024 Мбайт. Время обращения 6-10 нс. Рабочая частота 100 и 133 МГц.

Слайд 57


Организация памяти на модулях DIMM DDR2
Описание слайда:
Организация памяти на модулях DIMM DDR2

Слайд 58


Виды модулей оперативной памяти RIMM (Rambus In-line Memory Module) – похожи на модули DIMM, микросхемы памяти установлены с двух сторон платы, имеют специальные металлические экраны, требуют интенсивного охлаждения. Время обращения до 5 нс.
Описание слайда:
Виды модулей оперативной памяти RIMM (Rambus In-line Memory Module) – похожи на модули DIMM, микросхемы памяти установлены с двух сторон платы, имеют специальные металлические экраны, требуют интенсивного охлаждения. Время обращения до 5 нс.

Слайд 59


Энергонезависимые ОЗУ Микросхемы BBSRAM (Battery-Back SRAM) – обычные ОЗУ со встроенным литиевым аккумулятором. Микросхемы NVRAM (Non-Volatile RAM) – в одном корпусе статическое ОЗУ и перепрограммируемая ПЗУ. Микросхемы FRAM (Ferroelectric RAM) – ферроэлектрическая память.
Описание слайда:
Энергонезависимые ОЗУ Микросхемы BBSRAM (Battery-Back SRAM) – обычные ОЗУ со встроенным литиевым аккумулятором. Микросхемы NVRAM (Non-Volatile RAM) – в одном корпусе статическое ОЗУ и перепрограммируемая ПЗУ. Микросхемы FRAM (Ferroelectric RAM) – ферроэлектрическая память.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию