Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №1

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №2

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №3

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №4

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №5

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №6

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №7

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №8

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №9

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №10

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №11

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №12

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №13

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №14

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №15

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №16

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №17

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №18

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №19

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №20

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №21

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №22

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №23

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №24

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №25

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №26

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №27

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №28

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №29

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №30

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №31

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №32

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №33

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №34

Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2), слайд №35

Содержание ▲

Слайд №1
Spis treści
1. Wstęp teoretyczny
Слайд №4
Слайд №5
Слайд №6
Слайд №7
Слайд №8
Слайд №9
Слайд №10
Слайд №11
Слайд №12
Слайд №13
Слайд №14
Слайд №15
Слайд №16
Слайд №17
Слайд №18
Слайд №19
Слайд №20
Sposób przeprowadzenia pomiarów Połączyć...
Слайд №22
Слайд №23
2.3. Opracowanie wyników pomiaru W...
Symulacje charakterystyk tranzystorów...
Слайд №26
Слайд №27
Слайд №28
Слайд №29
Слайд №30
Слайд №31
Слайд №32
Слайд №33
Слайд №34
Слайд №35
Скачать
Похожие презентации

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Badania laboratoryjne elementów i układów elektronicznych. (Część 2). Доклад-сообщение содержит 35 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Spis treści

Слайд 3

Описание слайда:

1. Wstęp teoretyczny

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Слайд 16

Описание слайда:

Слайд 17

Описание слайда:

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Sposób przeprowadzenia pomiarów Połączyć układ pomiarowy przedstawiony na rys.8. (RG = 560k, RD = 1k, T – tranzystor polowy złączowy z kanałem typu n BF 245. Określić napięcie progowe tranzystora UP. Ustawić zasilaczem ED napięcie UDS na wartość około 2V. Zwiększając (co do bezwzględnej wartości) zasilaczem EG napięcie UGS obserwujemy zmniejszające się wartości prądu drenu ID . Odczytujemy napięcie UP= UGS , jeżeli wartość prądu drenu będzie bliska zeru np. ID = 0,05 mA. Wypełnić w Tabeli 1 kolumnę napięcia UGS od wartości 0 do napięcia UP . Wykonać pomiary charakterystyki przejściowej dla kilku (określa prowadzący) stałych wartości napięć UDS. Pomiar polega na ustawieniu regulowanym zasilaczem EG napięcia UGS (woltomierz VGS), ustawieniu regulowanym zasilaczem ED określonej stałej wartości napięcia UDS (woltomierzem VDS), i odczycie prądu drenu ID (miliamperomierz mA). Ustawić kolejną wartość napięcia UDS i odczytać prąd ID Wyniki notujemy w tabeli 1., którą wypełniamy kolejnymi wierszami. Wykonać pomiary charakterystyki wyjściowej dla stałych wartości napięcia UGS.: UGS1=0, UGS2=0,5UP-0,2 UGS3=0,5UP UGS4=0,5UP+0,2. UGS5=0,75UP Pomiary wykonujemy analogicznie jak dla charakterystyki przejściowej. Wyniki notujemy w tabeli 2., którą wypełniamy kolumnami.

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Слайд 24

Описание слайда:

2.3. Opracowanie wyników pomiaru W sprawozdaniu należy zamieścić: Schematy układów pomiarowych realizowanych na ćwiczeniu. Tabele pomiarowe z wynikami. Charakterystyki tranzystora polowego złączowego sporządzone na podstawie przeprowadzonych pomiarów. Wyznaczenie parametrów rd, gm, ku dla określonego punktu pracy P (UGS3, UDS3). W tabelach pomiarowych należy zaznaczyć (np. innym kolorem, pogrubić) pomiary (punkty P1, P2, P3, P4), które posłużyły do wyznaczenia parametrów. Na wykreślonych charakterystykach statycznych tranzystora zaznaczyć punkty P oraz punkty pomocnicze P1, P2, P3, P4. Wnioski.