Tranzystor bipolarny - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Tranzystor bipolarny. Доклад-сообщение содержит 32 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

UKŁADY ANALOGOWE WYKŁAD 03 TRANZYSTOR BIPOLARNY

Слайд 2

Описание слайда:

1904 – J.A.Fleming przedstawia projekt lampy próżniowej z dwiema elektrodami – diodę próżniową 1904 – J.A.Fleming przedstawia projekt lampy próżniowej z dwiema elektrodami – diodę próżniową 1906 – Lee de Fore przedstawia projekt lampy próżniowej z trzema elektrodami – triodę. Trzecia elektroda – siatka – steruje przepływem prądu przez lampę. W latach 20-tych XX wieku trwa gwałtowny rozwój elektroniki opartej na tych dwóch typach lamp. W 1922 wyprodukowano na całym świecie ok. 1 mln lamp, w 1930 – 100 mln Początek lat 30-tych XX wieku – powstanie lampy z 4 elektrodami ( tetrody ) a następnie z pięcioma elektrodami ( pentody ) . Powoduje to dalszy rozwój elektroniki opartej na lampach próżniowych. 23 grudnia 1947 roku – początek nowej ery rozwoju elektroniki. Tego dnia zaprezentowano nowy element elektroniczny – tranzystor.

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Obecnie produkowanych jest tysiące typów tranzystorów o różnych właściwościach Obecnie produkowanych jest tysiące typów tranzystorów o różnych właściwościach

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

PODSTAWOWE RÓWNANIA DLA TRANZYSTORA PODSTAWOWE RÓWNANIA DLA TRANZYSTORA

Слайд 11

Описание слайда:

STANY PRACY TRANZYSTORA STAN PRACY AKTYWNEJ Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzenia Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku zaporowym Prawdziwy jest związek Ic = β IE STAN PRACY INWERSYJNEJ Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowym Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku przewodzenia Ponieważ współczynnik transportu α jest mały to i wzmocnienie stałoprądowe też jest małe ( kilka … kilkanaście )

Слайд 12

Описание слайда:

STAN ZATKANIA STAN ZATKANIA Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowym Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku zaporowym Przez tranzystor płyną bardzo małe prądy zerowe, wynikające z termicznej generacji nośników ( rzędu nA dla tranzystorów krzemowych oraz μA dla germanowych ) STAN NASYCENIA Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzenia Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku przewodzenia Napięcie między kolektorem a emiterem UCE SAT jest bardzo małe ( rzędu 0.1 V i mniejsze ) . NIE jest prawdziwy związek Ic = β IE

Слайд 13

Описание слайда:

ZADANIE 1 W układzie jak na rysunku znaleźć punkt pracy tranzystora ( wartości prądów płynących przez tranzystor i napięć na jego zaciskach )

Слайд 14

Описание слайда:

ZADANIE 2 W układzie jak na rysunku znaleźć wartość rezystancji RC i RB , dla których prąd diody LED ma wartość 10 mA . Przyjmij : β = 100 , Ubep = 0.7 V , UCESAT = 0.1 V , VIN MAX = 5 V , VCC = 9 V . Napięcie na diodzie LED dla prądu 10 mA jest równe 1.5 V .

Слайд 15

Описание слайда:

ZADANIE 3 W układzie jak na rysunku znaleźć przebieg prądu bazy i kolektora oraz napięcia wyjściowego przy zmianie napięcia wejściowego od -20 V do 20 V .

Слайд 16

Описание слайда:

UKŁADY PRACY TRANZYSTORA

Слайд 17

Описание слайда:

WZMACNIACZE Z RÓŻNYMI UKŁADAMI PRACY TRANZYSTORA

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA DLA UKŁADU WSPÓLNEGO EMITERA

Слайд 20

Описание слайда:

CHARAKTERYSTYKA WEJŚCIOWA

Слайд 21

Описание слайда:

UKŁADY POLARYZACJI TRANZYSTORA Przy zmianie wartości rezystancji i napięć polaryzujących tranzystor zmieniamy położenie punktu pracy na charakterystyce wyjściowej tranzystora

Слайд 22

Описание слайда:

Może to spowodować pojawienie się niepożądanych efektów w czasie pracy układu takich jak zniekształcenia nieliniowe związane z wejściem tranzystora w stan nasycenia lub zatkania. W obu tych stanach prąd kolektora nie jest proporcjonalny do prądu bazy. Może to spowodować pojawienie się niepożądanych efektów w czasie pracy układu takich jak zniekształcenia nieliniowe związane z wejściem tranzystora w stan nasycenia lub zatkania. W obu tych stanach prąd kolektora nie jest proporcjonalny do prądu bazy.

Слайд 23

Описание слайда:

PRACA LINIOWA WZMACNIACZA

Слайд 24

Описание слайда:

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE

Слайд 25

Описание слайда:

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W ZATKANIE

Слайд 26

Описание слайда:

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE I ZATKANIE

Слайд 27

Описание слайда:

STABILIZACJA PUNKTU PRACY TRANZYSTORA CELE STABILIZACJI PUNKTU PRACY Uniezależnienie punktu pracy od zmian parametrów tranzystora pod wpływem temperatury Przy zmianie temperatury UBEP maleje ze współczynnikiem 2.3 mV/oC Przy zmianie temperatury zmienia się współczynnik wzmocnienia β tranzystora Uniezależnienie się od zmian parametrów przy wymianie tranzystora

Слайд 28

Описание слайда:

Stabilizacja wartości prądu bazy IB jest tym lepsza, im stosunek rezystancji RB / RE jest większy i im wartości rezystancji są większe Stabilizacja wartości prądu bazy IB jest tym lepsza, im stosunek rezystancji RB / RE jest większy i im wartości rezystancji są większe Stabilizacja napięcia UCE pogarsza się, im wartości rezystorów RB , RE i RC są większe

Слайд 29

Описание слайда:

W prostym układzie polaryzacji tranzystora podstawowe znaczenie ma dobór rezystora RE W prostym układzie polaryzacji tranzystora podstawowe znaczenie ma dobór rezystora RE Mała wartość rezystora RE to zła stabilizacja prądu IC a dobra napięcia UCE Duża wartość rezystora RE to dobra stabilizacja prądu IC a zła napięcia UCE Im większa wartość rezystora RE tym napięcia zasilania muszą być większe i tym większe są straty mocy w układzie Dlatego w wielu przypadkach stosuje się inne metody stabilizacji punktu pracy tranzystora w tym układy z elementem nieliniowym czy układy z zasilaniem prądowym. Oferują one znaczne zredukowanie wpływu temperatury i zmian parametrów tranzystora na zmianę punktu pracy

Слайд 30

Описание слайда:

STABILIZACJA NIELINIOWA Metoda kompensacji zmiany punktu pracy na skutek zmiany napięcia UBE pod wpływem temperatury

Слайд 31

Описание слайда:

ZASILANIE PRĄDOWE

Слайд 32

Описание слайда:

W układach scalonych stosuje się bardziej złożone układy zasilania, oparte na schemacie zasilania stałoprądowego. Wykorzystane są w nich tranzystory pracujące w roli diody kompensującej zmiany parametrów tranzystora. W układach scalonych stosuje się bardziej złożone układy zasilania, oparte na schemacie zasilania stałoprądowego. Wykorzystane są w nich tranzystory pracujące w roli diody kompensującej zmiany parametrów tranzystora.

Теги Tranzystor bipolarny

Похожие презентации