Біполярні транзистори - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Біполярні транзистори. Доклад-сообщение содержит 27 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 07 Біполярні транзистори Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2

Описание слайда:

Статичні характеристики. Вольт-амперні характеристики Умовне позначення і назви елементів біполярного транзистора. а) p-n-p- транзистор; б) n-p-n– транзистор.

Слайд 3

Описание слайда:

Вольт-амперні характеристики Статичні характеристики транзистора можна безпосередньо отримати із теорії p-n переходу. Вважаємо, що ВАХ емітерного і колекторного переходів відповідають рівнянням ідеального діода. Нехтуємо: - ефектами обумовленими поверхневою рекомбінацією-генерацією; - послідовним опором; -високим рівнем інжекції.

Слайд 4

Описание слайда:

Вольт-амперні характеристики Із рівняння неперервності і рівняння для густини струмів визначаються рівноважні характеристики. Для нейтральної області бази маємо:

Слайд 5

Описание слайда:

Вольт-амперні характеристики

Слайд 6

Описание слайда:

Нерівномірний розподіл домішки в базі. Нерівномірний розподіл домішки в базі. Транзистор з подібним розподілом домішки- дрейфовий транзистор, оскільки в його базу вбудоване електричне поле, що прискорює дрейф дірок. В цьому випадку повний струм колектора матиме вид де I2 - струм насичення. Кількість домішки на одиницю площі бази- число Гумеля.

Слайд 7

Описание слайда:

Типова характеристика базового струму. Типова характеристика базового струму. Можна виділити чотири ділянки: 1) область малих струмів, де базовий струм змінюється по закону exp(qVEB/mkT) з m2; 2) область ідеальної поведінки; 3) область середнього рівня інжекції, характерна значним спадом напруги на опорі бази; 4) область високого рівня інжекції. Для зменшення опору бази і послабшення ефектів обумовлених високим рівнем інжекції, необхідно змінити профіль легування бази і конструкцію самого транзистора.