Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №1

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №2

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №3

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №4

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №5

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №6

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №7

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №8

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №9

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №10

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №11

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №12

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №13

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №14

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №15

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №16

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №17

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №18

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №19

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №20

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №21

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №22

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №23

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №24

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №25

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №26

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №27

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №28

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №29

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №30

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №31

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №32

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №33

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №34

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №35

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №36

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №37

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №38

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №39

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №40

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №41

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №42

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №43

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №44

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №45

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №46

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №47

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №48

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №49

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №50

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №51

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №52

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №53

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №54

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №55

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №56

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №57

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №58

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №59

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №60

Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8), слайд №61

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8). Доклад-сообщение содержит 61 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Полевые (униполярные) транзисторы JFET (junction field-effect transistor) Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. Т.е. управление в таком транзисторе осуществляется полем. Полевые транзисторы часто называют униполярными. Т.к. в канале протекают носители одного типа. Полевые транзисторы бывают двух видов; с управляющим p-n переходом (бывают с каналом n-типа или с каналом p-типа) со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор). Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния, поэтому их часто называют МОП-транзистор (металл-окисел-полупроводник, metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно MOSFET). МОП-транзисторы могут быть двух типов: транзисторы с встроенным каналом; транзисторы с индуцированным каналом.

Слайд 2

Описание слайда:

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника (например n – типа) по торцам которого сформированы электроды, а посередине создана область противоположного типа проводимости ( соотв. p-типа) и выводы от этой области. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n-переход.

Слайд 3

Описание слайда:

Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором. Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором. Для эффективного управления выходным током материал основного полупроводника должен быть высокоомным. Кроме того, начальная ширина канала должна быть достаточно малой – порядка нескольких микрон.

Слайд 4

Описание слайда:

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Слайд 5

Описание слайда:

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от этого изменяется его ширина. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения канала, через который проходит поток основных носителей заряда.

Слайд 6

Описание слайда:

Стоко-затворная характеристика канал n-типа

Слайд 7

Описание слайда:

Выходная характеристика канал n-типа

Слайд 8

Описание слайда:

Основные параметры ПТ

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

Эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Слайд 11

Описание слайда:

Упрощенная эквивалентная схема

Слайд 12

Описание слайда:

Преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами: высокое входное сопротивление; малые шумы; высокая термостабильность; простота изготовления.

Слайд 13

Описание слайда:

Схемы включения

Слайд 14

Описание слайда:

Схема с общим истоком Имеет большой коэффициент усиления по току и по напряжению. Изменяет фазу входного сигнала на 180 градусов. Относительно большие входное и выходное сопротивления.

Слайд 15

Описание слайда:

Слайд 16

Описание слайда:

Схема с общим стоком Подобна эмиттерному повторителю и называется истоковый повторитель. Выходное напряжение по фазе повторяет входное. Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы. Высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление.

Слайд 17

Описание слайда:

Схема с общим затвором Аналогична схеме с общей базой. Не дает усиления по току и поэтому коэффициент усиления по мощности незначителен. Фаза напряжения при усилении не изменяется. Входное сопротивление мало, так как входным током является ток истока. Поэтому отдельно практически не используется

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

МОП (МДП) -транзистор с изолированным затвором (metal-oxide-semiconductor field effect transistor, Depletion- MOSFET, D-MOSFET)

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Слайд 24

Описание слайда:

Слайд 25

Описание слайда:

Слайд 26

Описание слайда:

Характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом

Слайд 27

Описание слайда:

Эквивалентная схема МДП-транзистора с встроенным каналом

Слайд 28

Описание слайда:

МДП-транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, Enhancement MOSFET , E-MOSFET)

Слайд 29

Описание слайда:

Слайд 30

Описание слайда:

Слайд 31

Описание слайда:

Слайд 32

Описание слайда:

Слайд 33

Описание слайда:

Слайд 34

Описание слайда:

Преимущества МДП-транзисторов Преимущества МДП – транзисторов по сравнению с полевыми транзисторами с управляющим p-n-переходом: лучшие температурные характеристики; лучшие шумовые характеристики; большое входное сопротивление (до 1015Ом) при любой полярности входного напряжения; меньшее значение входной емкости, следовательно, предельная частота может достигать сотен МГц; простота конструктивной реализации, особенно транзисторов с индуцированным каналом.

Слайд 35

Описание слайда:

Включение ПТ в схемах

Слайд 36

Описание слайда:

Слайд 37

Описание слайда:

КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) В более общем случае — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости.

Слайд 38

Описание слайда:

Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями является очень малое энергопотребление в статическом режиме. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями является очень малое энергопотребление в статическом режиме. Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов; Как следствие, КМОП-схемы обладают более высокой скоростью действия и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки. Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.