🗊Презентация Дислокации в тонких пленках

Наномеханика Nanomechanics of materials and systems Lecture 8 Дислокации в тонких пленках. Dislocations in thin films.

Работа создания дислокации Creation work of dislocation

Сила, действующая на дислокацию вблизи поверхности Force acting on a dislocation near surface

Упругая энергия напряженной тонкой пленки Elastic energy of stressed thin film

Работа по созданию дислокации в напряженной пленке Creation work for a dislocation in stressed film

Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке: Critical thickness

Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке Matthews-Blakeslee critical thickness for dislocation formation in a stressed thin film

Критическая толщина. Теория Critical thickness with different dislocation cores

Критическая толщина. Эксперимент Critical thickness. Experiment

Зависимость критической толщины от кристаллографической ориентации Critical thickness for different crystallographic orientations

Дислокации несоответствия на гетерогранице Si/SiGe

Критическая толщина для GeSi/Si (001) Critical thickness for GeSi/Si (001)

Дислокации несоответствия на гетерогранице GaAs/CdTe Misfit dislocations at GaAs/CdTe interface

Механизмы формирования дислокаций несоответствия в гетероэпитаксиальных системах Mechanisms of formation of misfit dislocations Зарождение дислокаций на поверхности и скольжение к интефейсу. Nucleation at growth surface and gliding to the interface Зарождение дислокаций непосредственно на интерфейсе на начальных стадиях роста. Direct formation at the interface during initial stage of growth Изгиб дислокаций, прорастающих из подложки. Bending of threading dislocations

Зарождение дислокаций на поверхности и скольжение к интефейсу Dislocations gliding to the interface

Зарождение дислокаций непосредственно на интерфейсе на начальных стадиях роста Dislocations in quantum dots

Дислокации на гетероэпитаксиальном интерфейсе GaN(0001)/GaAs(111)

Изгиб прорастающих дислокаций Bending of threading dislocations

Плотность дислокаций несоответствия Density of misfit dislocations

Методы понижения плотности дислокаций в структурах Reduction of dislocation density in heterostructures Блокирование движения дислокаций Blocking the dislocation motion Изгиб дислокаций в плоскость интефейса и вывод на боковые грани кристалла Bending the dislocations into interface Блокирование источников дислокаций Blocking the dislocation sources

Сверхрешетка как средство борьбы с прорастающими дислокациями Supelattice as a tool to block dislocations

Lateral epitaxial overgrowth technique

Заключение Conclusion Дислокации могут быть равновесными в напряженных гетероструктурах. Dislocations can be equilibrium defects in heterostructures. Дислокации в гетероструктурах обеспечивают релаксацию энергии упругой деформации. Dislocations reduce total elastic energy in heterostructures. Формирование дислокаций несоответствия носит пороговый характер. Formation of dislocations has a threshold. Механизм формирования дислокаций в гетероструктурах зависит от величины собственных деформаций, характера их распределения, кристаллогеометрии гетероструктуры, наличия источников дислокаций и точечных дефектов. Dislocation formation mechanism depends on eigenstrain value and distribution, crystallography and geometry, presence of dislocation sources and point defects.

Домашнее задание (Homework) 7