Дислокации в тонких пленках - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Дислокации в тонких пленках. Доклад-сообщение содержит 24 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Наномеханика Nanomechanics of materials and systems Lecture 8 Дислокации в тонких пленках. Dislocations in thin films.

Слайд 2

Описание слайда:

Работа создания дислокации Creation work of dislocation

Слайд 3

Описание слайда:

Сила, действующая на дислокацию вблизи поверхности Force acting on a dislocation near surface

Слайд 4

Описание слайда:

Упругая энергия напряженной тонкой пленки Elastic energy of stressed thin film

Слайд 5

Описание слайда:

Работа по созданию дислокации в напряженной пленке Creation work for a dislocation in stressed film

Слайд 6

Описание слайда:

Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке: Critical thickness

Слайд 7

Описание слайда:

Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке Matthews-Blakeslee critical thickness for dislocation formation in a stressed thin film

Слайд 8

Описание слайда:

Критическая толщина. Теория Critical thickness with different dislocation cores

Слайд 9

Описание слайда:

Критическая толщина. Эксперимент Critical thickness. Experiment

Слайд 10

Описание слайда:

Зависимость критической толщины от кристаллографической ориентации Critical thickness for different crystallographic orientations

Слайд 11

Описание слайда:

Дислокации несоответствия на гетерогранице Si/SiGe

Слайд 12

Описание слайда:

Критическая толщина для GeSi/Si (001) Critical thickness for GeSi/Si (001)

Слайд 13

Описание слайда:

Дислокации несоответствия на гетерогранице GaAs/CdTe Misfit dislocations at GaAs/CdTe interface

Слайд 14

Описание слайда:

Механизмы формирования дислокаций несоответствия в гетероэпитаксиальных системах Mechanisms of formation of misfit dislocations Зарождение дислокаций на поверхности и скольжение к интефейсу. Nucleation at growth surface and gliding to the interface Зарождение дислокаций непосредственно на интерфейсе на начальных стадиях роста. Direct formation at the interface during initial stage of growth Изгиб дислокаций, прорастающих из подложки. Bending of threading dislocations

Слайд 15

Описание слайда:

Зарождение дислокаций на поверхности и скольжение к интефейсу Dislocations gliding to the interface

Слайд 16

Описание слайда:

Зарождение дислокаций непосредственно на интерфейсе на начальных стадиях роста Dislocations in quantum dots

Слайд 17

Описание слайда:

Дислокации на гетероэпитаксиальном интерфейсе GaN(0001)/GaAs(111)

Слайд 18

Описание слайда:

Изгиб прорастающих дислокаций Bending of threading dislocations

Слайд 19

Описание слайда:

Плотность дислокаций несоответствия Density of misfit dislocations

Слайд 20

Описание слайда:

Методы понижения плотности дислокаций в структурах Reduction of dislocation density in heterostructures Блокирование движения дислокаций Blocking the dislocation motion Изгиб дислокаций в плоскость интефейса и вывод на боковые грани кристалла Bending the dislocations into interface Блокирование источников дислокаций Blocking the dislocation sources

Слайд 21

Описание слайда:

Сверхрешетка как средство борьбы с прорастающими дислокациями Supelattice as a tool to block dislocations

Слайд 22

Описание слайда:

Lateral epitaxial overgrowth technique

Слайд 23

Описание слайда:

Заключение Conclusion Дислокации могут быть равновесными в напряженных гетероструктурах. Dislocations can be equilibrium defects in heterostructures. Дислокации в гетероструктурах обеспечивают релаксацию энергии упругой деформации. Dislocations reduce total elastic energy in heterostructures. Формирование дислокаций несоответствия носит пороговый характер. Formation of dislocations has a threshold. Механизм формирования дислокаций в гетероструктурах зависит от величины собственных деформаций, характера их распределения, кристаллогеометрии гетероструктуры, наличия источников дислокаций и точечных дефектов. Dislocation formation mechanism depends on eigenstrain value and distribution, crystallography and geometry, presence of dislocation sources and point defects.