🗊Презентация Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5)

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №1Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №2Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №3Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №4Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №5Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №6Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №7Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №8Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №9Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №10Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №11Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №12Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №13Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №14Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №15Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №16Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №17Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №18Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №19Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №20Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №21Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №22Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №23Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №24Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №25Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №26Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №27Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №28Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №29Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №30Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №31Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №32Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №33Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №34Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №35Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №36Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №37Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №38Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №39Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №40Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №41Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №42Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №43Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №44Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №45Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №46Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №47Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №48Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №49Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №50Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №51Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №52

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5). Доклад-сообщение содержит 52 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10





Модуль 5. Раздел 2.
Модуль 5. Раздел 2.
	Важнейшие инструментальные группы, необходимые для осуществления эксперимента по диагностике поверхности:
Источники воздействия (электронные и ионные пушки или ускорители, источники рентгеновских , ультрафиолетовых  и др. -квантов).
Анализаторы (энергетические, массовые, монохроматоры).
Детекторы отклика поверхности [цилиндры Фарадея, вторичные электронные и фотоэлектронные умножители (ВЭУ и ФЭУ), микроканальные пластины].
+ электронно- и ионно-оптические устройства
Все это в высоком или сверхвысоком вакууме!!!! +
+ Электронные приборы, обеспечивающие работу указанных приборов и устройств (в том числе, блоки питания, измерительные приборы, вычислительная техника).
Описание слайда:
Модуль 5. Раздел 2. Модуль 5. Раздел 2. Важнейшие инструментальные группы, необходимые для осуществления эксперимента по диагностике поверхности: Источники воздействия (электронные и ионные пушки или ускорители, источники рентгеновских , ультрафиолетовых и др. -квантов). Анализаторы (энергетические, массовые, монохроматоры). Детекторы отклика поверхности [цилиндры Фарадея, вторичные электронные и фотоэлектронные умножители (ВЭУ и ФЭУ), микроканальные пластины]. + электронно- и ионно-оптические устройства Все это в высоком или сверхвысоком вакууме!!!! + + Электронные приборы, обеспечивающие работу указанных приборов и устройств (в том числе, блоки питания, измерительные приборы, вычислительная техника).

Слайд 11





Модуль 5. Раздел 2. Тема 1. 
Электронная и ионная оптика 
Конструктивно очень простые приборы, называемые электронно- или ионно-оптическими (в частности, электронные и ионные линзы) служат для управления движением (фокусировки или, наоборот, рассеяния) потоков заряженных частиц (как первичных, так и вторичных; как ионов, так и электронов). 
Являются необходимыми узлами аналитических установок для исследования поверхности.
Используются как самостоятельные приборы, входят, в частности, в состав ионных и электронных пушек.
Оптика пучков заряженных частиц - большой раздел физики. Термин «линза» заимствован из геометрической световой оптики.
Описание слайда:
Модуль 5. Раздел 2. Тема 1. Электронная и ионная оптика Конструктивно очень простые приборы, называемые электронно- или ионно-оптическими (в частности, электронные и ионные линзы) служат для управления движением (фокусировки или, наоборот, рассеяния) потоков заряженных частиц (как первичных, так и вторичных; как ионов, так и электронов). Являются необходимыми узлами аналитических установок для исследования поверхности. Используются как самостоятельные приборы, входят, в частности, в состав ионных и электронных пушек. Оптика пучков заряженных частиц - большой раздел физики. Термин «линза» заимствован из геометрической световой оптики.

Слайд 12


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15





Модуль 5. Раздел 2. 
Тема 2. Источники воздействий в методах анализа на поверхности
Описание слайда:
Модуль 5. Раздел 2. Тема 2. Источники воздействий в методах анализа на поверхности

Слайд 16


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №16
Описание слайда:

Слайд 17





Конструктивно два блока: эмиссионный блок (или источник заряженных частиц), предназначенный для создания самих заряженных частиц (катоды в ЭП, ионизационные камеры в ИП), и блок формирования пучка, состоящий из элементов электронной (ионной) оптики, предназначенный для ускорения и фокусировки частиц. 
Конструктивно два блока: эмиссионный блок (или источник заряженных частиц), предназначенный для создания самих заряженных частиц (катоды в ЭП, ионизационные камеры в ИП), и блок формирования пучка, состоящий из элементов электронной (ионной) оптики, предназначенный для ускорения и фокусировки частиц. 
Электроны, вылетающие из катода, фокусируются в зависимости от их начальных скоростей вылета, но все траектории их пересекаются вблизи катода. 
Линзовый эффект, создаваемый первым и вторым анодами, дает изображение точки этого пересечения в другой удаленной точке. Изменение потенциала на управляющем электроде меняет полный ток в пучке путем изменения глубины минимума потенциала пространственного заряда возле катода). 
В качестве катодов электронных пушек малой мощности используются тугоплавкие металлы и оксиды редкоземельных металлов (работающие на принципах получения электронов путем термоэлектронной и автоэлектронной эмиссий); для получения мощных электронных пучков используются явления автоэлектронной и взрывной эмиссии.
Описание слайда:
Конструктивно два блока: эмиссионный блок (или источник заряженных частиц), предназначенный для создания самих заряженных частиц (катоды в ЭП, ионизационные камеры в ИП), и блок формирования пучка, состоящий из элементов электронной (ионной) оптики, предназначенный для ускорения и фокусировки частиц. Конструктивно два блока: эмиссионный блок (или источник заряженных частиц), предназначенный для создания самих заряженных частиц (катоды в ЭП, ионизационные камеры в ИП), и блок формирования пучка, состоящий из элементов электронной (ионной) оптики, предназначенный для ускорения и фокусировки частиц. Электроны, вылетающие из катода, фокусируются в зависимости от их начальных скоростей вылета, но все траектории их пересекаются вблизи катода. Линзовый эффект, создаваемый первым и вторым анодами, дает изображение точки этого пересечения в другой удаленной точке. Изменение потенциала на управляющем электроде меняет полный ток в пучке путем изменения глубины минимума потенциала пространственного заряда возле катода). В качестве катодов электронных пушек малой мощности используются тугоплавкие металлы и оксиды редкоземельных металлов (работающие на принципах получения электронов путем термоэлектронной и автоэлектронной эмиссий); для получения мощных электронных пучков используются явления автоэлектронной и взрывной эмиссии.

Слайд 18





Ионные пушки (ИП) принципиально мало отличаются от электронных, основное отличие – катодный узел (способ получения заряженных частиц)
Ионные пушки (ИП) принципиально мало отличаются от электронных, основное отличие – катодный узел (способ получения заряженных частиц)
Для диагностики поверхности применяются ИП со следующими способами получения ионов: 
электронным ударом; 
методом вакуумной искры; 
фотоионизацией; 
с помощью сильных электрических полей; 
ионно-ионной эмиссией; 
взаимодействием лазерного излучения с твердым телом; 
в результате прилипания электронов к атомам и молекулам (для получения отрицательных ионов); 
за счет ионно-молекулярных реакций; 
за счет поверхностной ионизации.
источники, в которых совмещают перечисленные способы, например, ионизацию полем и электронным ударом.
Описание слайда:
Ионные пушки (ИП) принципиально мало отличаются от электронных, основное отличие – катодный узел (способ получения заряженных частиц) Ионные пушки (ИП) принципиально мало отличаются от электронных, основное отличие – катодный узел (способ получения заряженных частиц) Для диагностики поверхности применяются ИП со следующими способами получения ионов: электронным ударом; методом вакуумной искры; фотоионизацией; с помощью сильных электрических полей; ионно-ионной эмиссией; взаимодействием лазерного излучения с твердым телом; в результате прилипания электронов к атомам и молекулам (для получения отрицательных ионов); за счет ионно-молекулярных реакций; за счет поверхностной ионизации. источники, в которых совмещают перечисленные способы, например, ионизацию полем и электронным ударом.

Слайд 19





Схема источника ионов с ионизацией полем и электронным ударом:
Описание слайда:
Схема источника ионов с ионизацией полем и электронным ударом:

Слайд 20





2.2. Источники рентгеновского и ультрафиолетового излучения
Наиболее распространенный источник рентгеновского излучения - рентгеновская трубка.
Описание слайда:
2.2. Источники рентгеновского и ультрафиолетового излучения Наиболее распространенный источник рентгеновского излучения - рентгеновская трубка.

Слайд 21


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25





3.1. Энергетические анализаторы
	Основные параметры: 1. Энергетическое разрешение (Eо/∆E). 
                                       2. Угол сбора (входной угол).
Описание слайда:
3.1. Энергетические анализаторы Основные параметры: 1. Энергетическое разрешение (Eо/∆E). 2. Угол сбора (входной угол).

Слайд 26


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №30
Описание слайда:

Слайд 31


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №33
Описание слайда:

Слайд 34


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №34
Описание слайда:

Слайд 35


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №35
Описание слайда:

Слайд 36


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №36
Описание слайда:

Слайд 37





Сделать ширину щелей S1 и S2 меньше нескольких микрон технически трудно, к тому же, это привело бы к очень малым ионным токам. Поэтому для получения R~103–104 используют большие радиусы средних траекторий r, т. е. длинные ионные траектории (до нескольких метров).
Сделать ширину щелей S1 и S2 меньше нескольких микрон технически трудно, к тому же, это привело бы к очень малым ионным токам. Поэтому для получения R~103–104 используют большие радиусы средних траекторий r, т. е. длинные ионные траектории (до нескольких метров).
Описание слайда:
Сделать ширину щелей S1 и S2 меньше нескольких микрон технически трудно, к тому же, это привело бы к очень малым ионным токам. Поэтому для получения R~103–104 используют большие радиусы средних траекторий r, т. е. длинные ионные траектории (до нескольких метров). Сделать ширину щелей S1 и S2 меньше нескольких микрон технически трудно, к тому же, это привело бы к очень малым ионным токам. Поэтому для получения R~103–104 используют большие радиусы средних траекторий r, т. е. длинные ионные траектории (до нескольких метров).

Слайд 38


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №38
Описание слайда:

Слайд 39


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №39
Описание слайда:

Слайд 40


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №40
Описание слайда:

Слайд 41


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №41
Описание слайда:

Слайд 42





В квадрупольном МА разделение ионов осуществляется в поперечном элект-рическом поле с гиперболическим рас-пределением потенциала. Поле создаёт-ся квадрупольным конденсатором, между парами стержней которого приложены постоянное и ВЧ напряжения. Пучок ионов вводится в вакуумную камеру анализатора вдоль оси квадруполя через отверстие 1. При фиксированном значениях частоты ω и амплитуды переменного напряжения U0 только у ионов с определенным значением m/e амплитуда колебаний в направлении, поперечном оси анализа-тора, не превышает расстояния между стержнями. Такие ионы за счет начальной скорости проходят через анализатор и, выходя из него через отверстие 2, регистрируются, попадая на коллектор ионов. 
В квадрупольном МА разделение ионов осуществляется в поперечном элект-рическом поле с гиперболическим рас-пределением потенциала. Поле создаёт-ся квадрупольным конденсатором, между парами стержней которого приложены постоянное и ВЧ напряжения. Пучок ионов вводится в вакуумную камеру анализатора вдоль оси квадруполя через отверстие 1. При фиксированном значениях частоты ω и амплитуды переменного напряжения U0 только у ионов с определенным значением m/e амплитуда колебаний в направлении, поперечном оси анализа-тора, не превышает расстояния между стержнями. Такие ионы за счет начальной скорости проходят через анализатор и, выходя из него через отверстие 2, регистрируются, попадая на коллектор ионов.
Описание слайда:
В квадрупольном МА разделение ионов осуществляется в поперечном элект-рическом поле с гиперболическим рас-пределением потенциала. Поле создаёт-ся квадрупольным конденсатором, между парами стержней которого приложены постоянное и ВЧ напряжения. Пучок ионов вводится в вакуумную камеру анализатора вдоль оси квадруполя через отверстие 1. При фиксированном значениях частоты ω и амплитуды переменного напряжения U0 только у ионов с определенным значением m/e амплитуда колебаний в направлении, поперечном оси анализа-тора, не превышает расстояния между стержнями. Такие ионы за счет начальной скорости проходят через анализатор и, выходя из него через отверстие 2, регистрируются, попадая на коллектор ионов. В квадрупольном МА разделение ионов осуществляется в поперечном элект-рическом поле с гиперболическим рас-пределением потенциала. Поле создаёт-ся квадрупольным конденсатором, между парами стержней которого приложены постоянное и ВЧ напряжения. Пучок ионов вводится в вакуумную камеру анализатора вдоль оси квадруполя через отверстие 1. При фиксированном значениях частоты ω и амплитуды переменного напряжения U0 только у ионов с определенным значением m/e амплитуда колебаний в направлении, поперечном оси анализа-тора, не превышает расстояния между стержнями. Такие ионы за счет начальной скорости проходят через анализатор и, выходя из него через отверстие 2, регистрируются, попадая на коллектор ионов.

Слайд 43


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №43
Описание слайда:

Слайд 44





В фарвитроне ионы образуются непосредственно в самом анализаторе при соударениях молекул с электронами, летящими с катода, и совершают колебания вдоль оси прибора между электродами с частотой ω. Колебания обусловлены распределением потенциала между электродами. При совпадении частоты ω этих колебаний с частотой переменного напряжения Uвч. подаваемого на сетку, ионы приобретают дополнителную энергию, преодолевают потенциальным барьер и попадают на коллектор. 
В фарвитроне ионы образуются непосредственно в самом анализаторе при соударениях молекул с электронами, летящими с катода, и совершают колебания вдоль оси прибора между электродами с частотой ω. Колебания обусловлены распределением потенциала между электродами. При совпадении частоты ω этих колебаний с частотой переменного напряжения Uвч. подаваемого на сетку, ионы приобретают дополнителную энергию, преодолевают потенциальным барьер и попадают на коллектор.
Описание слайда:
В фарвитроне ионы образуются непосредственно в самом анализаторе при соударениях молекул с электронами, летящими с катода, и совершают колебания вдоль оси прибора между электродами с частотой ω. Колебания обусловлены распределением потенциала между электродами. При совпадении частоты ω этих колебаний с частотой переменного напряжения Uвч. подаваемого на сетку, ионы приобретают дополнителную энергию, преодолевают потенциальным барьер и попадают на коллектор. В фарвитроне ионы образуются непосредственно в самом анализаторе при соударениях молекул с электронами, летящими с катода, и совершают колебания вдоль оси прибора между электродами с частотой ω. Колебания обусловлены распределением потенциала между электродами. При совпадении частоты ω этих колебаний с частотой переменного напряжения Uвч. подаваемого на сетку, ионы приобретают дополнителную энергию, преодолевают потенциальным барьер и попадают на коллектор.

Слайд 45


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №45
Описание слайда:

Слайд 46


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №46
Описание слайда:

Слайд 47


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №47
Описание слайда:

Слайд 48


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №48
Описание слайда:

Слайд 49


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №49
Описание слайда:

Слайд 50


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №50
Описание слайда:

Слайд 51


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №51
Описание слайда:

Слайд 52


Экспериментальные особенности и узлы аналитических установок для исследования поверхности. (Модуль 5), слайд №52
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию