🗊Презентация Электронно дырочный переход, р-n переход

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №1Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №2Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №3Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №4Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №5Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №6Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №7Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №8Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №9Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №10Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №11Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №12Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №13Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №14Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №15
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно дырочный переход, р-n переход. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Электро дырочный переход Р-N ПЕРЕХОД
Описание слайда:
Электро дырочный переход Р-N ПЕРЕХОД

Слайд 2


p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
Описание слайда:
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других

Слайд 3


Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Из чего делают полупрводник Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен.
Описание слайда:
Из чего делают полупрводник Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен.

Слайд 6


Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Условное обазначение полупроводника
Описание слайда:
Условное обазначение полупроводника

Слайд 8


Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


Принцып работы В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны. Дырка - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника.
Описание слайда:
Принцып работы В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны. Дырка - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника.

Слайд 10


Р-N Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа. Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.
Описание слайда:
Р-N Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа. Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.

Слайд 11


Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной проводимости. Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р- и n- типа называют p-n переходом.
Описание слайда:
Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной проводимости. Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р- и n- типа называют p-n переходом.

Слайд 12


В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа
Описание слайда:
В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа

Слайд 13


Если подать обратное напряжение на катод (+) а на анод (-) созданное источником напряжения, на контакты полупроводника ,тогда внешнее поле  созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода  которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом. 
Описание слайда:
Если подать обратное напряжение на катод (+) а на анод (-) созданное источником напряжения, на контакты полупроводника ,тогда внешнее поле  созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода  которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом. 

Слайд 14


Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ) Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
Описание слайда:
Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ) Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других

Слайд 15


А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф. И. Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002. В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с. https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html
Описание слайда:
А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф. И. Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002. В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с. https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию