Электронно дырочный переход, р-n переход - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №1

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №2

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №3

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №4

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №5

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №6

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №7

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №8

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №9

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №10

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №11

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №12

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №13

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №14

Электронно дырочный переход, р-n переход, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно дырочный переход, р-n переход. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Электро дырочный переход Р-N ПЕРЕХОД

Слайд 2

Описание слайда:

p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Из чего делают полупрводник Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен.

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Условное обазначение полупроводника

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Принцып работы В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны. Дырка - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника.

Слайд 10

Описание слайда:

Р-N Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа. Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.

Слайд 11

Описание слайда:

Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной проводимости. Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р- и n- типа называют p-n переходом.

Слайд 12

Описание слайда:

В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа

Слайд 13

Описание слайда:

Если подать обратное напряжение на катод (+) а на анод (-) созданное источником напряжения, на контакты полупроводника ,тогда внешнее поле созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом.

Слайд 14

Описание слайда:

Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ) Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других

Слайд 15

Описание слайда:

А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф. И. Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002. В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с.