Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №1

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №2

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №3

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №4

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №5

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №6

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №7

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №8

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №9

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №10

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №11

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №12

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №13

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №14

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №15

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №16

Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода, слайд №17

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода. Доклад-сообщение содержит 17 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Общая характеристика пробоя p-n перехода Пробой p-n перехода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, которое приводит к резкому увеличению обратного тока, при достижении критического значения обратного напряжения. Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа p-n перехода и может иметь величину от единиц до сотен вольт.

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Тепловой пробой p-n перехода характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями; причина – нарушение теплового баланса; обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока.

Слайд 5

Описание слайда:

В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением: Отводимая от p-n перехода мощность: Тепловое сопротивление определяет перепад T, необходимый для отвода 1 Вт мощности от p-n перехода в окружающую среду.

Слайд 6

Описание слайда:

Тепловой пробой p-n перехода В установившемся режиме При нарушении теплового баланса Тепловой режим перехода теряет устойчивость: Т и ток перехода неограниченно растут. Возникает тепловой пробой.

Слайд 7

Описание слайда:

участок АВ: rДИФ = dUобр / dIобр < 0

Слайд 8

Описание слайда:

Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя : ТКНТЕПЛ = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 , Т = Т2 – Т1. Тепловой пробой – необратимый пробой, приводит к разрушению перехода. Он характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов.

Слайд 9

Описание слайда:

Полевой пробой p-n перехода электрический вид пробоя характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра) обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями напряженность электрического поля туннельный эффект – явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода

Слайд 10

Описание слайда:

Энергетическая диаграмма при полевом пробое

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя : ТКНпол = Uпроб/Т  0, где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 при Iобр = const, Т = Т2 – Т1 . Напряжение полевого пробоя определяется эмпирическим соотношением: Uпроб = Аn+Вp где n и p – удельные сопротивления n- и p-областей, прилегающих к переходу.

Слайд 13

Описание слайда:

Лавинный пробой p-n перехода электрический вид пробоя проявляется в p-n переходах ширина, которых достаточно большая напряженность электрического поля EКР=(80−120) кВ/см ударная ионизация нейтральных атомов полупроводника непосредственно в p-n переходе быстрыми электронами (дырками), которые получили достаточное ускорение за счет действия электрического поля p-n перехода.

Слайд 14

Описание слайда:

Механизм ударной ионизации

Слайд 15

Описание слайда:

Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В, где б – удельное сопротивление базы перехода, А, В – коэффициенты, зависящие от материала и типа электропроводности полупроводника. Например, для p-n перехода с базой n-типа Чем меньше в базе, тем выше б , шире p-n переход, меньше Еобр , тем больше напряжение лавинного пробоя. Температурный коэффициент напряжения при лавинном пробое: ТКНЛАВ = Uпроб/Т  0

Слайд 16

Описание слайда:

Слайд 17

Описание слайда:

Выводы Тепловой пробой – необратимый пробой, причина – нарушение теплового баланса, характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов. Электрические виды пробоя: полевой и лавинный. Напряжение лавинного пробоя более 7 В, полевого пробоя менее 5 В. ТКН лавинного пробоя – положительный, полевого и теплового пробоя – отрицательный. Уменьшение степени легирования приводит к увеличению напряжения лавинного и полевого пробоя.