🗊Презентация Электроприборы будущего. Smart технологии

Электроприборы будущего. Smart технологии.

Силовые полупроводниковые приборы Силовая электроника — область электроники, связанная с преобразованием электрической энергии, управлением ей или её переключением без управления (включением и отключением).  В случае с силовой техникой в первую очередь ставится задача уменьшения потери энергии при передаче.

Основные классы СПП Диод - это полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении – от анода к катоду. Тиристор -это полупроводниковый прибор, работающий в двух устойчивых состояниях – низкой проводимости (тиристор закрыт) и высокой проводимости (тиристор открыт). Симистор (Тиристор симметричный)-проводит ток в обоих направлениях. Стабилитрон - это полупроводниковый диод, падение напряжения на котором мало зависит от протекающего тока. Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей.

 Силовые полевые транзисторы Транзистор – электронный прибор на базе полупроводникового кристалла, обладающий тремя или более выводами, необходимый для преобразования и генерирования электрических колебаний. Изобретен в 1948 г. Дж. Бардиным, У. Браттейном и У. Шокли. Транзисторы образуют два главных крупных класса: униполярные транзисторы и биполярные транзисторы. В транзисторе есть 3 области с различной проводимостью: электронной (n) и дырочной (р). В зависимости от порядка их чередования выделяют транзисторы n-р-n-типа и р-n-р-типа. С изобретением транзисторов наступил период минимизации размеров радиоэлектронной аппаратуры на основе достижений быстро развивающейся полупроводниковой электроники. Транзисторы могут работать при низких напряжениях источников питания, потребляя в этом случае токи в несколько микроампер. Мощные транзисторы работают при напряжениях, достигающих 10—30 В, и токах до нескольких десятков ампер, отдавая мощность до 100 Вт.

Основные классы транзисторов (по принципу действия) биполярные транзисторы, полевые транзисторы, среди которых наибольшее распространение получили транзисторы типа металл-оксид-полупроводник (МОП) (MOSFET - metal oxide semiconductor field effect transistor), полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом или транзисторы со статической индукцией (СИТ) (SIT - static induction transistor), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) (IGBT - insulated gate bipolar transistor).

Развитие транзисторов нового поколения полупроводниковых модулей на базе IGBT-структур (биполярные транзисторы с изолированным затвором) на токи до 1600 А, напряжение 1200 В; полупроводниковых ключевых приборов с полевым управлением на основе СИ-транзисторов (транзисторов со статической индукцией) и МОП-транзисторов (полевых транзисторов) с комплексом параметров, не уступающих IGBT.

Тиристоры В 1962 г. были созданы первые отечественные силовые тиристоры, называемые тогда управляемыми вентилями (например, ВКДУ-150 — вентиль кремниевый диффузионный управляемый на ток 150 А). Конструктивно тиристор имеет три или более p-n – переходов и три вывода. Во включенном состоянии тиристор подобен замкнутому ключу, а в выключенном – разомкнутому ключу. Кроме анода и катода, в конструкции тиристора предусмотрен третий вывод (электрод), который называется управляющим. Тиристор без управляющего электрода называется динистором. Тиристор предназначен для бесконтактной коммутации электрических цепей.

Развитие тиристоров Повышение параметров СПП для тиристоров токов 2500 А при 4400 В и 3500 А при 1000 В, для быстродействующих тиристоров — 2000 А при 2400 В и времени выключения 25–63 мкс и 3000 А при 800 В и времени выключения 8–25 мкс. В последние годы специалисты силового полупроводникового приборостроения работают над созданием следующих СПП: быстродействующих тиристоров с повторяющимся напряжением 2500 В на токи 100–1600 А и временем выключения до 16 мкс; тиристоров на токи 160–200 А, напряжения 500–700 В с временем выключения 1–2 мкс; быстродействующих тиристоров с повторяющимся напряжением 1400 В, работающих при повышенной рабочей температуре до 140–150 °С. Такие тиристоры позволят перевооружить электрифицированный транспорт, решить многие задачи топливно-энергетических отраслей; запираемых тиристоров на импульсный ток до 1250 А, напряжение до 6000 В и запираемых тиристоров с полевым управлением на ток до 250 А, напряжение до 1200 В.

Полупроводниковые диоды Это полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами, работа которого основана на свойствах p-n - перехода. Основным свойством p-n – перехода является односторонняя проводимость – ток протекает только в одну сторону (от анода к катоду). В 50-е годы появились первые маломощные полупроводниковые диоды на базе германия и кремния . С начала 60-х годов выполнялись исследования и разработки силовых приборов на основе монокристаллического кремния. В конце 50-х годов в лабораториях ВЭИ были созданы первые отечественные кремниевые вентили на токи 200 А (ВК-200). Основные функциональные элементы — p-n-переходы формировались методом сплавления алюминиевой фольги с кремниевыми дисками диаметром 25 мм. В 1961 г. были разработаны вентили серии ВКД (вентили кремниевые диффузионные) на 200 А (диаметр кремниевого диска 25 мм) на напряжения около 1000 В. Это уже позволило комплектовать ими выпрямители электровозов и мотор-вагонные секции электропоездов для эксплуатации на участках железных дорог, питаемых переменным напряжением около 25 кВ.

Развитие диодов В схемотехнике силовых полупроводниковых схем сложились типовые узлы, которые служат «строительным материалом» для создания практически любых силовых электронных устройств. Эти типовые узлы выпускаются в виде силовых интегральных модулей, использование которых облегчает задачу инженеров-разработчиков, упрощает монтаж и повышает надежность преобразователей. Получили распространение диодно-диодные модули с последовательным соединением (полумостовые схемы); диодно-тиристорные модули и тиристорно-тиристорные модули (полумостовые управляемые и полууправляемые схемы); диодные и тиристорные группы из трех вентилей с общим анодом (катодом); однофазные и трехфазные мостовые структуры. Силовые модули имеют различное конструктивное решение. Существуют потенциальные и беспотенциальные исполнения; в первых активные элементы соединены с металлическим основанием, во вторых они электрически изолированы керамическими прокладками. Следующим важным новшеством, упрощающим разработку преобразовательных устройств, стала унификация средств сопряжения силовых полупроводниковых вентилей (силовых ключей) с цепями управления.

Следующим шагом в развитии элементной базы силовой электроники стали так называемые интеллектуальные (разумные) силовые модули. Следующим шагом в развитии элементной базы силовой электроники стали так называемые интеллектуальные (разумные) силовые модули. Интеллектуальный силовой модуль представляет собой сложную интегральную силовую схему (размер корпуса соизмерим с размером калькулятора). Интеллектуальные модули комплектуются в силовой части биполярными транзисторами, транзисторами с полевым управлением, быстродействующими триристорами. В последние годы активно разрабатываются узлы силовой электроники для источников бесперебойного электропитания; локальных систем регулируемого электропривода (например, частотно-регулируемый асинхронный привод насосов, вентиляторов); корректоров коэффициента мощности для компенсации влияния реактивных и нелинейных нагрузок; преобразователей для источников возобновляемой энергии (солнце, ветер и пр.), а также для утилизации вторичных энергоресурсов; преобразователей для нового вида приводов Switched Reluctance Drive — вентильно-индукторного привода (SRD — ВИП). Ведущими зарубежными фирмами в области силовой электроники, в частности силовых модулей последних поколений, являются «Motorola» (США), «Siemens» (Германия), «Mitsubishi» (Япония), «Semikron» (Германия), IR («International Rectifier», США).