🗊 Презентация Физические основы электроники

Категория: Образование
Нажмите для полного просмотра!
Физические основы электроники, слайд №1 Физические основы электроники, слайд №2 Физические основы электроники, слайд №3 Физические основы электроники, слайд №4 Физические основы электроники, слайд №5 Физические основы электроники, слайд №6 Физические основы электроники, слайд №7 Физические основы электроники, слайд №8 Физические основы электроники, слайд №9 Физические основы электроники, слайд №10 Физические основы электроники, слайд №11 Физические основы электроники, слайд №12 Физические основы электроники, слайд №13 Физические основы электроники, слайд №14 Физические основы электроники, слайд №15 Физические основы электроники, слайд №16 Физические основы электроники, слайд №17 Физические основы электроники, слайд №18 Физические основы электроники, слайд №19 Физические основы электроники, слайд №20 Физические основы электроники, слайд №21 Физические основы электроники, слайд №22 Физические основы электроники, слайд №23 Физические основы электроники, слайд №24 Физические основы электроники, слайд №25 Физические основы электроники, слайд №26 Физические основы электроники, слайд №27 Физические основы электроники, слайд №28 Физические основы электроники, слайд №29 Физические основы электроники, слайд №30 Физические основы электроники, слайд №31 Физические основы электроники, слайд №32 Физические основы электроники, слайд №33 Физические основы электроники, слайд №34 Физические основы электроники, слайд №35 Физические основы электроники, слайд №36 Физические основы электроники, слайд №37 Физические основы электроники, слайд №38 Физические основы электроники, слайд №39 Физические основы электроники, слайд №40 Физические основы электроники, слайд №41 Физические основы электроники, слайд №42 Физические основы электроники, слайд №43 Физические основы электроники, слайд №44 Физические основы электроники, слайд №45 Физические основы электроники, слайд №46 Физические основы электроники, слайд №47 Физические основы электроники, слайд №48 Физические основы электроники, слайд №49 Физические основы электроники, слайд №50 Физические основы электроники, слайд №51 Физические основы электроники, слайд №52 Физические основы электроники, слайд №53 Физические основы электроники, слайд №54 Физические основы электроники, слайд №55 Физические основы электроники, слайд №56 Физические основы электроники, слайд №57 Физические основы электроники, слайд №58 Физические основы электроники, слайд №59 Физические основы электроники, слайд №60 Физические основы электроники, слайд №61 Физические основы электроники, слайд №62 Физические основы электроники, слайд №63 Физические основы электроники, слайд №64 Физические основы электроники, слайд №65 Физические основы электроники, слайд №66 Физические основы электроники, слайд №67 Физические основы электроники, слайд №68 Физические основы электроники, слайд №69 Физические основы электроники, слайд №70 Физические основы электроники, слайд №71 Физические основы электроники, слайд №72 Физические основы электроники, слайд №73 Физические основы электроники, слайд №74 Физические основы электроники, слайд №75 Физические основы электроники, слайд №76 Физические основы электроники, слайд №77 Физические основы электроники, слайд №78 Физические основы электроники, слайд №79 Физические основы электроники, слайд №80 Физические основы электроники, слайд №81 Физические основы электроники, слайд №82 Физические основы электроники, слайд №83 Физические основы электроники, слайд №84 Физические основы электроники, слайд №85 Физические основы электроники, слайд №86 Физические основы электроники, слайд №87 Физические основы электроники, слайд №88 Физические основы электроники, слайд №89 Физические основы электроники, слайд №90 Физические основы электроники, слайд №91 Физические основы электроники, слайд №92 Физические основы электроники, слайд №93 Физические основы электроники, слайд №94 Физические основы электроники, слайд №95 Физические основы электроники, слайд №96 Физические основы электроники, слайд №97 Физические основы электроники, слайд №98 Физические основы электроники, слайд №99 Физические основы электроники, слайд №100 Физические основы электроники, слайд №101 Физические основы электроники, слайд №102 Физические основы электроники, слайд №103 Физические основы электроники, слайд №104 Физические основы электроники, слайд №105 Физические основы электроники, слайд №106 Физические основы электроники, слайд №107 Физические основы электроники, слайд №108 Физические основы электроники, слайд №109 Физические основы электроники, слайд №110 Физические основы электроники, слайд №111 Физические основы электроники, слайд №112 Физические основы электроники, слайд №113 Физические основы электроники, слайд №114 Физические основы электроники, слайд №115 Физические основы электроники, слайд №116 Физические основы электроники, слайд №117 Физические основы электроники, слайд №118 Физические основы электроники, слайд №119 Физические основы электроники, слайд №120 Физические основы электроники, слайд №121 Физические основы электроники, слайд №122 Физические основы электроники, слайд №123 Физические основы электроники, слайд №124 Физические основы электроники, слайд №125 Физические основы электроники, слайд №126 Физические основы электроники, слайд №127 Физические основы электроники, слайд №128 Физические основы электроники, слайд №129 Физические основы электроники, слайд №130 Физические основы электроники, слайд №131 Физические основы электроники, слайд №132 Физические основы электроники, слайд №133
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Физические основы электроники. Доклад-сообщение содержит 133 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Конспект лекций
Описание слайда:
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Конспект лекций

Слайд 2


Автор – доцент Рудь Виктор Васильевич
Описание слайда:
Автор – доцент Рудь Виктор Васильевич

Слайд 3


1. Элементы зонной теории твёрдого тела Объектами исследования являются: ─ элементарные частицы, ─ ядра атомов, ─ химические элементы, ─ молекулы, ─...
Описание слайда:
1. Элементы зонной теории твёрдого тела Объектами исследования являются: ─ элементарные частицы, ─ ядра атомов, ─ химические элементы, ─ молекулы, ─ газы, ─ плазма, ─ жидкие среды, ─ твёрдые тела.

Слайд 4


1.1. Модель атома и свойства электрона
Описание слайда:
1.1. Модель атома и свойства электрона

Слайд 5


Физические основы электроники, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Физические основы электроники, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Универсальные физические постоянные микромира
Описание слайда:
Универсальные физические постоянные микромира

Слайд 8


Физические основы электроники, слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА ДЛЯ ВОДОРОДОПОДОБНЫХ АТОМНЫХ СИСТЕМ
Описание слайда:
РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА ДЛЯ ВОДОРОДОПОДОБНЫХ АТОМНЫХ СИСТЕМ

Слайд 10


КВАНТОВЫЕ ЧИСЛА 1. Главное квантовое число n = 1, 2,…, ∞. 2. Побочное (орбитальное или азимутальное) квантовое число l = 0, 1, 2,…, n – 1. 3....
Описание слайда:
КВАНТОВЫЕ ЧИСЛА 1. Главное квантовое число n = 1, 2,…, ∞. 2. Побочное (орбитальное или азимутальное) квантовое число l = 0, 1, 2,…, n – 1. 3. Магнитное квантовое число m = 0, ± 1, ±2,…, ± l. 4. Спиновое квантовое число s = ± ½. 10

Слайд 11


Физические основы электроники, слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12


Физические основы электроники, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Физические основы электроники, слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Физические основы электроники, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15


1.2. Понятие об энергетических уровнях и зонах
Описание слайда:
1.2. Понятие об энергетических уровнях и зонах

Слайд 16


Рис.1.5. Энергетическая диаграмма кристалла
Описание слайда:
Рис.1.5. Энергетическая диаграмма кристалла

Слайд 17


Рис.1.6. Схема расщепления энергетических уровней
Описание слайда:
Рис.1.6. Схема расщепления энергетических уровней

Слайд 18


Пояснение процесса образования энергетических зон в кристалле
Описание слайда:
Пояснение процесса образования энергетических зон в кристалле

Слайд 19


Энергетические диаграммы материалов электроники
Описание слайда:
Энергетические диаграммы материалов электроники

Слайд 20


Рис.1.8. Энергетическая диаграмма полупроводника типа i
Описание слайда:
Рис.1.8. Энергетическая диаграмма полупроводника типа i

Слайд 21


Классификация полупроводниковых материалов по составу и свойствам По составу: простые (элементарные) Ge, Si, Se,…; на основе бинарных соединений...
Описание слайда:
Классификация полупроводниковых материалов по составу и свойствам По составу: простые (элементарные) Ge, Si, Se,…; на основе бинарных соединений AmBn; трёхкомпонентные твёрдые растворы AxB1–xC, ACyD1–y; четырёхкомпонентные твёрдые растворы AxB1–xCyD1–y. По свойствам: собственные полупроводники (i–типа), электронные полупроводники (n–типа), дырочные полупроводники (p–типа).

Слайд 22


Продолжение
Описание слайда:
Продолжение

Слайд 23


1.3. Кристаллическая решётка
Описание слайда:
1.3. Кристаллическая решётка

Слайд 24


Рис. 1.10. Типы элементарных ячеек
Описание слайда:
Рис. 1.10. Типы элементарных ячеек

Слайд 25


Рис. 1.11. Примеры ячеек кристаллических решёток
Описание слайда:
Рис. 1.11. Примеры ячеек кристаллических решёток

Слайд 26


Рис. 1.12. Индексы Миллера
Описание слайда:
Рис. 1.12. Индексы Миллера

Слайд 27


Рис.1.13. Кристаллические решётки полупроводников
Описание слайда:
Рис.1.13. Кристаллические решётки полупроводников

Слайд 28


Рис.1.14. Типы химических связей в кристаллах
Описание слайда:
Рис.1.14. Типы химических связей в кристаллах

Слайд 29


Рис.1.15. Дефекты кристаллической решётки
Описание слайда:
Рис.1.15. Дефекты кристаллической решётки

Слайд 30


Рис.1.16. Дефекты кристаллической решётки
Описание слайда:
Рис.1.16. Дефекты кристаллической решётки

Слайд 31


1.4. Основные выводы по разделу 1. Основные полупроводниковые материалы, используемые в электронике, – кремний, германий и арсенид галлия, – имеют...
Описание слайда:
1.4. Основные выводы по разделу 1. Основные полупроводниковые материалы, используемые в электронике, – кремний, германий и арсенид галлия, – имеют кристаллическую решётку типа алмаза. Для неё характерна ковалентная химическая связь. В полупроводнике присутствуют свободные носители заряда двух типов, – электроны проводимости и дырки.

Слайд 32


2. Свойства полупроводников 2.1. Собственный полупроводник
Описание слайда:
2. Свойства полупроводников 2.1. Собственный полупроводник

Слайд 33


Физические основы электроники, слайд №33
Описание слайда:

Слайд 34


2.2. Продолжение
Описание слайда:
2.2. Продолжение

Слайд 35


2.3. Функция распределения Ферми-Дирака
Описание слайда:
2.3. Функция распределения Ферми-Дирака

Слайд 36


2.4. Вероятность распределения электронов по энергетическим уровням в полупроводнике
Описание слайда:
2.4. Вероятность распределения электронов по энергетическим уровням в полупроводнике

Слайд 37


2.5.Уровень Ферми в собственном полупроводнике
Описание слайда:
2.5.Уровень Ферми в собственном полупроводнике

Слайд 38


2.6. Эффективные массы электрона и дырки
Описание слайда:
2.6. Эффективные массы электрона и дырки

Слайд 39


Пояснение эффективной массы электрона В вакууме свободный электрон движется с ускорением а = E/mоe в поле E. Электрон в кристалле движется с...
Описание слайда:
Пояснение эффективной массы электрона В вакууме свободный электрон движется с ускорением а = E/mоe в поле E. Электрон в кристалле движется с ускорением а = E/mn, где mn – эффективная масса электрона, учитывающая взаимодействие электрона с полем кристаллической решётки. Величина mn зависит от направления движения электрона, так как электрон движется в разных направлениях в переменных полях с различными периодами, образуемых узлами кристаллической решётки, (см. рис.). Учитывая все возможные направления движения электрона и усредняя ускорение, приходим к понятию эффективной массы mn. Аналогичные рассуждения можно провести по отношению к дырке и прийти к понятию эффективной массы дырки mp. Очевидно, mn ≠ mp.

Слайд 40


2.7. Примесные полупроводники Определение понятия примесного полупроводника. Примеси в простых полупроводниках. Примеси в сложных полупроводниках....
Описание слайда:
2.7. Примесные полупроводники Определение понятия примесного полупроводника. Примеси в простых полупроводниках. Примеси в сложных полупроводниках. Электронные (типа n) и дырочные (типа p) полупроводники.

Слайд 41


2.8. Полупроводник типа n
Описание слайда:
2.8. Полупроводник типа n

Слайд 42


2.9. Полупроводник типа p
Описание слайда:
2.9. Полупроводник типа p

Слайд 43


2.10. Соотношения между концентрациями подвижных зарядов в примесных полупроводниках
Описание слайда:
2.10. Соотношения между концентрациями подвижных зарядов в примесных полупроводниках

Слайд 44


2.10. Продолжение
Описание слайда:
2.10. Продолжение

Слайд 45


2.11. Зависимости равновесных концентраций подвижных зарядов от степени легирования полупроводников примесями
Описание слайда:
2.11. Зависимости равновесных концентраций подвижных зарядов от степени легирования полупроводников примесями

Слайд 46


2.12. Уровни Ферми в примесных полупроводниках
Описание слайда:
2.12. Уровни Ферми в примесных полупроводниках

Слайд 47


2.12. Продолжение
Описание слайда:
2.12. Продолжение

Слайд 48


2.13. Зависимость уровней Ферми от концентраций примесей
Описание слайда:
2.13. Зависимость уровней Ферми от концентраций примесей

Слайд 49


2.14. Механизмы образования подвижных зарядов
Описание слайда:
2.14. Механизмы образования подвижных зарядов

Слайд 50


2.15. Основные и неосновные носители зарядов
Описание слайда:
2.15. Основные и неосновные носители зарядов

Слайд 51


2.16. Токи в полупроводнике. 2.16.1. Ток дрейфа.
Описание слайда:
2.16. Токи в полупроводнике. 2.16.1. Ток дрейфа.

Слайд 52


2.16.2. Электропроводность полупроводников в электрическом поле
Описание слайда:
2.16.2. Электропроводность полупроводников в электрическом поле

Слайд 53


2.16.3. Ток диффузии. Полный ток.
Описание слайда:
2.16.3. Ток диффузии. Полный ток.

Слайд 54


2.17. Время жизни неравновесных зарядов
Описание слайда:
2.17. Время жизни неравновесных зарядов

Слайд 55


2.18. Диффузионная длина неравновесных зарядов
Описание слайда:
2.18. Диффузионная длина неравновесных зарядов

Слайд 56


2.4. Влияние поверхностных состояний
Описание слайда:
2.4. Влияние поверхностных состояний

Слайд 57


2.5. Эффект внешнего поля
Описание слайда:
2.5. Эффект внешнего поля

Слайд 58


Рис.2.15. Термическая ионизация (эффект Френкеля)
Описание слайда:
Рис.2.15. Термическая ионизация (эффект Френкеля)

Слайд 59


Рис.2.16. Эффект Зинера (туннельный эффект)
Описание слайда:
Рис.2.16. Эффект Зинера (туннельный эффект)

Слайд 60


2.6. Основные выводы по разделу 2 В полупроводнике, находящемся в состоянии равновесия, распределение электронов по энергетическим уровням...
Описание слайда:
2.6. Основные выводы по разделу 2 В полупроводнике, находящемся в состоянии равновесия, распределение электронов по энергетическим уровням соответствует распределению Ферми–Дирака. По типу электропроводности полупроводники разделяются на собственные (полупроводники i–типа), электронные (полупроводники п–типа) и дырочные (полупроводники р–типа). Существует два вида направленного движения свободных носителей заряда в полупроводнике, – дрейф и диффузия. Под действием внешнего электрического поля могут изменяться концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводникового кристалла.

Слайд 61


3. Контактные явления. Контакты металл–полупроводник. 3.1.1. Работа выхода.
Описание слайда:
3. Контактные явления. Контакты металл–полупроводник. 3.1.1. Работа выхода.

Слайд 62


Контактные явления. Работа выхода и контактная разность потенциалов
Описание слайда:
Контактные явления. Работа выхода и контактная разность потенциалов

Слайд 63


Контакт металла с полупроводниками n–типа
Описание слайда:
Контакт металла с полупроводниками n–типа

Слайд 64


3.1.2. Потенциальные барьеры на границе токопроводящих материалов и вакуума
Описание слайда:
3.1.2. Потенциальные барьеры на границе токопроводящих материалов и вакуума

Слайд 65


3.2.1. Виды контактов металл–полупроводник. Условия реализации
Описание слайда:
3.2.1. Виды контактов металл–полупроводник. Условия реализации

Слайд 66


3.2.2. Виды контактов металл–полупроводник. Выпрямляющие контакты
Описание слайда:
3.2.2. Виды контактов металл–полупроводник. Выпрямляющие контакты

Слайд 67


3.2.3. Виды контактов металл–полупроводник. Омические контакты.
Описание слайда:
3.2.3. Виды контактов металл–полупроводник. Омические контакты.

Слайд 68


3.2.4. Вольтамперные характеристики контактов металл–полупроводник
Описание слайда:
3.2.4. Вольтамперные характеристики контактов металл–полупроводник

Слайд 69


Рис.3.8. Выпрямление на контакте металла с полупроводником n–типа
Описание слайда:
Рис.3.8. Выпрямление на контакте металла с полупроводником n–типа

Слайд 70


Формулы для контактов металл–полупроводник
Описание слайда:
Формулы для контактов металл–полупроводник

Слайд 71


Преобразование выражений (3.13…3.16)
Описание слайда:
Преобразование выражений (3.13…3.16)

Слайд 72


Выражения для δ0 и С0
Описание слайда:
Выражения для δ0 и С0

Слайд 73


Рис.3.9. Графики Δφ(U), I(U), δ(U) и C(U)
Описание слайда:
Рис.3.9. Графики Δφ(U), I(U), δ(U) и C(U)

Слайд 74


Нормирование функций δ(U), Δφ(U) и С(U)
Описание слайда:
Нормирование функций δ(U), Δφ(U) и С(U)

Слайд 75


Рис.3.10. Графики нормированных функций δ(U), Δφ(U) и С(U)
Описание слайда:
Рис.3.10. Графики нормированных функций δ(U), Δφ(U) и С(U)

Слайд 76


3.3. Основной вывод по разделу 3 Существует два вида переходов металл–полупроводник, – выпрямляющие переходы и омические контакты. Выпрямляющие...
Описание слайда:
3.3. Основной вывод по разделу 3 Существует два вида переходов металл–полупроводник, – выпрямляющие переходы и омические контакты. Выпрямляющие переходы обладают свойством односторонней проводимости. Омические контакты не обладают таким свойством.

Слайд 77


4. Электронно-дырочный переход 4.1. Структура электронно-дырочного перехода
Описание слайда:
4. Электронно-дырочный переход 4.1. Структура электронно-дырочного перехода

Слайд 78


4.2. Электронно–дырочный переход в состоянии равновесия 4.2.1. Контакт двух полупроводников. Рис.4.2. Образование p–n–перехода
Описание слайда:
4.2. Электронно–дырочный переход в состоянии равновесия 4.2.1. Контакт двух полупроводников. Рис.4.2. Образование p–n–перехода

Слайд 79


4.2.2. Факторы динамического равновесия
Описание слайда:
4.2.2. Факторы динамического равновесия

Слайд 80


4.2.3. Равновесное состояние перехода
Описание слайда:
4.2.3. Равновесное состояние перехода

Слайд 81


4.2.4. Распределение зарядов в p–n–переходе
Описание слайда:
4.2.4. Распределение зарядов в p–n–переходе

Слайд 82


Формулы к рис.4.5
Описание слайда:
Формулы к рис.4.5

Слайд 83


4.2.5. Распределение поля и потенциала в p–n–переходе
Описание слайда:
4.2.5. Распределение поля и потенциала в p–n–переходе

Слайд 84


Формулы к рис.4.6
Описание слайда:
Формулы к рис.4.6

Слайд 85


4.2.6. Энергетическая диаграмма p–n–перехода в равновесном состоянии
Описание слайда:
4.2.6. Энергетическая диаграмма p–n–перехода в равновесном состоянии

Слайд 86


Формулы для равновесного p–n–перехода
Описание слайда:
Формулы для равновесного p–n–перехода

Слайд 87


4.2.7. Энергетическая диаграмма p–n–перехода при U > 0
Описание слайда:
4.2.7. Энергетическая диаграмма p–n–перехода при U > 0

Слайд 88


4.2.8. Энергетическая диаграмма p–n-перехода при U < 0
Описание слайда:
4.2.8. Энергетическая диаграмма p–n-перехода при U < 0

Слайд 89


Формулы для неравновесного состояния перехода
Описание слайда:
Формулы для неравновесного состояния перехода

Слайд 90


4.3. Прямое и обратное включение р–п–перехода
Описание слайда:
4.3. Прямое и обратное включение р–п–перехода

Слайд 91


4.4. Инжекция и экстракция. Вольт–амперная характеристика р–п–перехода
Описание слайда:
4.4. Инжекция и экстракция. Вольт–амперная характеристика р–п–перехода

Слайд 92


Аналитическое представление ВАХ
Описание слайда:
Аналитическое представление ВАХ

Слайд 93


Вольтамперная характеристика p–n–перехода
Описание слайда:
Вольтамперная характеристика p–n–перехода

Слайд 94


4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р–п–перехода
Описание слайда:
4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р–п–перехода

Слайд 95


Нормированные функции δ, Δφ, С и Е
Описание слайда:
Нормированные функции δ, Δφ, С и Е

Слайд 96


Графики нормированных функций
Описание слайда:
Графики нормированных функций

Слайд 97


4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р–п–перехода
Описание слайда:
4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р–п–перехода

Слайд 98


Физические основы электроники, слайд №98
Описание слайда:

Слайд 99


4.6. Инерционные свойства р–п–перехода
Описание слайда:
4.6. Инерционные свойства р–п–перехода

Слайд 100


4.6. Основные выводы по разделу 4 В р–п–переходе образуются обеднённый слой, внутреннее электрическое поле и потенциальный барьер. При прямом...
Описание слайда:
4.6. Основные выводы по разделу 4 В р–п–переходе образуются обеднённый слой, внутреннее электрическое поле и потенциальный барьер. При прямом включении р–п–переход обладает малым сопротивлением, а при обратном включении – большим сопротивлением. Вольт–амперная характеристика р–п–перехода нелинейна. Электронно–дырочный переход обладает барьерной и диффузионной ёмкостями. Барьерная ёмкость обусловлена зарядами примесных ионов, сосредоточенными в обеднённом слое. Диффузионная ёмкость обусловлена неравновесными свободными носителями заряда, сконцентрированными вне обеднённого слоя.

Слайд 101


5. Физические явления, вызывающие отклонения от идеализированной модели р–п–перехода 5.1. Тепловой пробой
Описание слайда:
5. Физические явления, вызывающие отклонения от идеализированной модели р–п–перехода 5.1. Тепловой пробой

Слайд 102


Физические основы электроники, слайд №102
Описание слайда:

Слайд 103


5.2. Электрический (лавинный) пробой
Описание слайда:
5.2. Электрический (лавинный) пробой

Слайд 104


5.3. Туннельный эффект
Описание слайда:
5.3. Туннельный эффект

Слайд 105


Физические основы электроники, слайд №105
Описание слайда:

Слайд 106


5.4. Основные выводы по разделу 5 Тепловой пробой р–п–перехода обусловлен увеличением концентраций свободных носителей заряда, сопровождающимся...
Описание слайда:
5.4. Основные выводы по разделу 5 Тепловой пробой р–п–перехода обусловлен увеличением концентраций свободных носителей заряда, сопровождающимся увеличением температуры полупроводника. Лавинный пробой р–п–перехода обусловлен увеличением концентраций свободных носителей заряда, происходящим в результате ударной ионизации атомов полупроводника. Туннельный пробой р–п–перехода обусловлен проникновением электронов сквозь потенциальный барьер, что возможно при больших значениях концентраций примесей в р– и п–области, а также при большом по модулю обратном напряжении, приложенном к переходу.

Слайд 107


6. Гетеропереходы
Описание слайда:
6. Гетеропереходы

Слайд 108


Физические основы электроники, слайд №108
Описание слайда:

Слайд 109


Основной вывод по разделу 6 Переходы между полупроводниками с различной шириной запрещённой зоны обладают свойством односторонней проводимости.
Описание слайда:
Основной вывод по разделу 6 Переходы между полупроводниками с различной шириной запрещённой зоны обладают свойством односторонней проводимости.

Слайд 110


7. Фотоэлектрические явления 7.1. Воздействие оптического излучения на полупроводник
Описание слайда:
7. Фотоэлектрические явления 7.1. Воздействие оптического излучения на полупроводник

Слайд 111


7.2. Фотопроводимость
Описание слайда:
7.2. Фотопроводимость

Слайд 112


Физические основы электроники, слайд №112
Описание слайда:

Слайд 113


7.3. Фотогальванический эффект
Описание слайда:
7.3. Фотогальванический эффект

Слайд 114


Физические основы электроники, слайд №114
Описание слайда:

Слайд 115


7.4. Основные выводы по разделу 7 Под действием светового облучения может происходить увеличение проводимости полупроводника. При световом облучении...
Описание слайда:
7.4. Основные выводы по разделу 7 Под действием светового облучения может происходить увеличение проводимости полупроводника. При световом облучении р–п–перехода в нём возникает фото–ЭДС.

Слайд 116


8. Термоэлектрические явления в полупроводниках 8.1. Эффект Зеебека
Описание слайда:
8. Термоэлектрические явления в полупроводниках 8.1. Эффект Зеебека

Слайд 117


Физические основы электроники, слайд №117
Описание слайда:

Слайд 118


8.2. Эффект Зеебека
Описание слайда:
8.2. Эффект Зеебека

Слайд 119


8.3. Основные выводы по разделу 8 При различной температуре контактов в цепи с термоэлементом появляется ЭДС. При пропускании постоянного тока в...
Описание слайда:
8.3. Основные выводы по разделу 8 При различной температуре контактов в цепи с термоэлементом появляется ЭДС. При пропускании постоянного тока в спаях термоэлемента происходит поглощение и выделение тепла.

Слайд 120


9. Гальваномагнитный эффект Холла
Описание слайда:
9. Гальваномагнитный эффект Холла

Слайд 121


Физические основы электроники, слайд №121
Описание слайда:

Слайд 122


Основной вывод по разделу 9 Под действием постоянного магнитного поля в полупроводнике возникает ЭДС.
Описание слайда:
Основной вывод по разделу 9 Под действием постоянного магнитного поля в полупроводнике возникает ЭДС.

Слайд 123


10. Электронная эмиссия 10.1. Термоэлектронная эмиссия
Описание слайда:
10. Электронная эмиссия 10.1. Термоэлектронная эмиссия

Слайд 124


Физические основы электроники, слайд №124
Описание слайда:

Слайд 125


Физические основы электроники, слайд №125
Описание слайда:

Слайд 126


10.4. Фотоэлектронная эмиссия
Описание слайда:
10.4. Фотоэлектронная эмиссия

Слайд 127


10.5. Основные выводы по разделу 10 В электровакуумных приборах используются 4 вида электронной эмиссии: 1) термоэлектронная эмиссия, – эмиссия...
Описание слайда:
10.5. Основные выводы по разделу 10 В электровакуумных приборах используются 4 вида электронной эмиссии: 1) термоэлектронная эмиссия, – эмиссия электронов из катода под действием тепловой энергии; 2) вторичная электронная эмиссия, – эмиссия электронов, происходящая при бомбардировке поверхности катода потоками электронов или ионов; 3) автоэлектронная эмиссия, – эмиссия электронов из катода под действием электрического поля; 4) фотоэлектронная эмиссия, – эмиссия электронов из катода под действием светового облучения.

Слайд 128


11. Электрический разряд в газе 11.1. Взаимодействие частиц в газовой среде
Описание слайда:
11. Электрический разряд в газе 11.1. Взаимодействие частиц в газовой среде

Слайд 129


Физические основы электроники, слайд №129
Описание слайда:

Слайд 130


11.2. Виды электрических разрядов
Описание слайда:
11.2. Виды электрических разрядов

Слайд 131


Физические основы электроники, слайд №131
Описание слайда:

Слайд 132


11.3. Основной вывод по разделу 11 Различают 4 вида электрических разрядов в газе: тихий разряд, тлеющий разряд, дуговой разряд и коронный разряд.
Описание слайда:
11.3. Основной вывод по разделу 11 Различают 4 вида электрических разрядов в газе: тихий разряд, тлеющий разряд, дуговой разряд и коронный разряд.

Слайд 133


ЛИТЕРАТУРА 1. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. 2. Петров К. С. Радиоматериалы,...
Описание слайда:
ЛИТЕРАТУРА 1. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. 2. Петров К. С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. – СПб.: Питер, 2003. 3. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000. 4. Электронные приборы/ В. Н. Дулин, Н. А. Аваев, В. П. Дёмин и др.; Под ред. Г. Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. 5. Фридрихов С. А., Мовнин С. М. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1982. 6. Батушев В. А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. 7. Арефьев А.С., Рудь В.В. Физические основы электроники. –Самара: ООО «САМБР», 2006. – 52 с.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию