🗊Презентация Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6)

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №1Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №2Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №3Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №4Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №5Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №6Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №7Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №8Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №9Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №10Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №11Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №12Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №13Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №14Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №15Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №16Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №17Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №18Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №19Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №20Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №21Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №22Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №23Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №24Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №25Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №26Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №27Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №28Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №29Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №30Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №31Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №32Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №33Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №34Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №35Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №36Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №37

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6). Доклад-сообщение содержит 37 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





ФОРМИРОВАНИЕ РАДИОСИГНАЛОВ С АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
Описание слайда:
ФОРМИРОВАНИЕ РАДИОСИГНАЛОВ С АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ

Слайд 2





1 Классификация видов модуляции, основные характеристики радиосигналов.
Для осуществления радиосвязи необходимо каким-то образом изменять один из параметров радиочастотного колебания, называемого несущим, в соответствии с передаваемым низкочастотным сигналом. Это достигается с помощью модуляции радиочастотного колебания.
Известно, что гармоническое колебание
u = Ucos(t+)
характеризуется тремя, независимыми параметрами: амплитудой, частотой и фазой. 
Соответственно различают три основных вида модуляции: 
- амплитудная,
- частотная,
- фазовая.
Амплитудной модуляцией (АМ) называют такой вид воздействия на несущее колебание, в результате которого его амплитуда изменяется по закону передаваемого (модулирующего) сигнала.
Описание слайда:
1 Классификация видов модуляции, основные характеристики радиосигналов. Для осуществления радиосвязи необходимо каким-то образом изменять один из параметров радиочастотного колебания, называемого несущим, в соответствии с передаваемым низкочастотным сигналом. Это достигается с помощью модуляции радиочастотного колебания. Известно, что гармоническое колебание u = Ucos(t+) характеризуется тремя, независимыми параметрами: амплитудой, частотой и фазой. Соответственно различают три основных вида модуляции: - амплитудная, - частотная, - фазовая. Амплитудной модуляцией (АМ) называют такой вид воздействия на несущее колебание, в результате которого его амплитуда изменяется по закону передаваемого (модулирующего) сигнала.

Слайд 3





Считаем, что модулирующий сигнал имеет вид гармонического колебания с частотой 
Считаем, что модулирующий сигнал имеет вид гармонического колебания с частотой 
u = Ucost,
много меньшей частоты несущего колебания . 
В результате модуляции амплитуда напряжения несущего колебания должна изменяться пропорционально напряжению модулирующего сигнала u (рис. 1):
UAM = U + kUcost = U + Ucost,                         (1)
где U - амплитуда напряжения несущего радиочастотного колебания;
U=kU - приращение амплитуды.
Описание слайда:
Считаем, что модулирующий сигнал имеет вид гармонического колебания с частотой  Считаем, что модулирующий сигнал имеет вид гармонического колебания с частотой  u = Ucost, много меньшей частоты несущего колебания . В результате модуляции амплитуда напряжения несущего колебания должна изменяться пропорционально напряжению модулирующего сигнала u (рис. 1): UAM = U + kUcost = U + Ucost, (1) где U - амплитуда напряжения несущего радиочастотного колебания; U=kU - приращение амплитуды.

Слайд 4





Уравнение амплитудно-модулированных колебаний, в этом случае, принимает вид  
Уравнение амплитудно-модулированных колебаний, в этом случае, принимает вид  
u AM = UAM cost = (U + Ucost) cost = U (1+ ΔU/U cost) cost
(2)
По такому же закону будет изменяться и ток iAM при модуляции.
Величина, характеризующая отношение величины измене-ния амплитуды колебаний U к их амплитуде в отсутствии модуляции U, называется коэффициентом (глубиной) модуляции
                                                                                                  (3)
Из этого следует, что максимальная амплитуда колебаний   Umax = U + U = U (1+m) 
минимальная амплитуда  Umin= U (1-m).
Описание слайда:
Уравнение амплитудно-модулированных колебаний, в этом случае, принимает вид Уравнение амплитудно-модулированных колебаний, в этом случае, принимает вид u AM = UAM cost = (U + Ucost) cost = U (1+ ΔU/U cost) cost (2) По такому же закону будет изменяться и ток iAM при модуляции. Величина, характеризующая отношение величины измене-ния амплитуды колебаний U к их амплитуде в отсутствии модуляции U, называется коэффициентом (глубиной) модуляции (3) Из этого следует, что максимальная амплитуда колебаний Umax = U + U = U (1+m) минимальная амплитуда Umin= U (1-m).

Слайд 5





Из уравнения (2) видно, что в простейшем случае модулированные колебания представляют собой сумму трех колебаний
Из уравнения (2) видно, что в простейшем случае модулированные колебания представляют собой сумму трех колебаний
UAM = U(1+ mcost)cost = 
Ucost + m cos( - )t + m cos( + )t   
Первое слагаемое – колебания передатчика в отсутствии модуляции (режим молчания). Вторые – колебания боковых частот.
Описание слайда:
Из уравнения (2) видно, что в простейшем случае модулированные колебания представляют собой сумму трех колебаний Из уравнения (2) видно, что в простейшем случае модулированные колебания представляют собой сумму трех колебаний UAM = U(1+ mcost)cost = Ucost + m cos( - )t + m cos( + )t Первое слагаемое – колебания передатчика в отсутствии модуляции (режим молчания). Вторые – колебания боковых частот.

Слайд 6


Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7





Если модуляция осуществляется сложным низкочастотным сигналом со спектром от Fmin до Fmax , то спектр полученного АМ сигнала имеет вид, изображенный на рис. Занимаемая АМ - сигналом полоса частот Δfс не зависит от m и равна
Если модуляция осуществляется сложным низкочастотным сигналом со спектром от Fmin до Fmax , то спектр полученного АМ сигнала имеет вид, изображенный на рис. Занимаемая АМ - сигналом полоса частот Δfс не зависит от m и равна
Δfс = 2Fmax                                              (5)
Возникновение колебаний боковых частот при модуляции приводит к необходимости расширения полосы пропускания контуров передатчика (и, соответственно, приемника). Она должна быть
                                                                                                        (6)
где Q - добротность контуров,
     f - абсолютная расстройка,
    fк - полоса пропускания контура.
На рис. спектральные составляющие, соответствующие нижним модулирующим частотам (Fmin) имеют меньшие ординаты.
Описание слайда:
Если модуляция осуществляется сложным низкочастотным сигналом со спектром от Fmin до Fmax , то спектр полученного АМ сигнала имеет вид, изображенный на рис. Занимаемая АМ - сигналом полоса частот Δfс не зависит от m и равна Если модуляция осуществляется сложным низкочастотным сигналом со спектром от Fmin до Fmax , то спектр полученного АМ сигнала имеет вид, изображенный на рис. Занимаемая АМ - сигналом полоса частот Δfс не зависит от m и равна Δfс = 2Fmax (5) Возникновение колебаний боковых частот при модуляции приводит к необходимости расширения полосы пропускания контуров передатчика (и, соответственно, приемника). Она должна быть (6) где Q - добротность контуров, f - абсолютная расстройка, fк - полоса пропускания контура. На рис. спектральные составляющие, соответствующие нижним модулирующим частотам (Fmin) имеют меньшие ординаты.

Слайд 8





Это объясняется следующим обстоятельством. У большинства видов сигналов (например, речевых), поступающих на вход передатчика, амплитуды высокочастотных составляющих спектра малы по сравнению с составляющими низких и средних частот. 
Это объясняется следующим обстоятельством. У большинства видов сигналов (например, речевых), поступающих на вход передатчика, амплитуды высокочастотных составляющих спектра малы по сравнению с составляющими низких и средних частот. 
Что касается шумов на входе детектора в приемнике, то их спектральная плотность постоянна в пределах полосы пропускания приемника. В результате коэффициент модуляции и отношение сигнал-шум на входе детектора приемника для высоких частот модулирующего сигнала оказываются малыми. 
Для увеличения отношения сигнал-шум высокочастотные составляющие модулирующего сигнала при передаче подчеркиваются путем усиления высокочастотных составляющих в большее число раз по сравнению с составляющими низких и средних частот, а при приеме до или после детектора во столько же раз ослабляются. 
Ослабление высокочастотных составляющих до детектора происходит практически всегда в высокочастотных резонансных цепях приемника.  
Необходимо отметить, что искусственное подчеркивание верхних модулирующих частот допустимо, пока оно не приводит к перемодуляции (m > 1).
Описание слайда:
Это объясняется следующим обстоятельством. У большинства видов сигналов (например, речевых), поступающих на вход передатчика, амплитуды высокочастотных составляющих спектра малы по сравнению с составляющими низких и средних частот. Это объясняется следующим обстоятельством. У большинства видов сигналов (например, речевых), поступающих на вход передатчика, амплитуды высокочастотных составляющих спектра малы по сравнению с составляющими низких и средних частот. Что касается шумов на входе детектора в приемнике, то их спектральная плотность постоянна в пределах полосы пропускания приемника. В результате коэффициент модуляции и отношение сигнал-шум на входе детектора приемника для высоких частот модулирующего сигнала оказываются малыми. Для увеличения отношения сигнал-шум высокочастотные составляющие модулирующего сигнала при передаче подчеркиваются путем усиления высокочастотных составляющих в большее число раз по сравнению с составляющими низких и средних частот, а при приеме до или после детектора во столько же раз ослабляются. Ослабление высокочастотных составляющих до детектора происходит практически всегда в высокочастотных резонансных цепях приемника. Необходимо отметить, что искусственное подчеркивание верхних модулирующих частот допустимо, пока оно не приводит к перемодуляции (m > 1).

Слайд 9


Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10





Основные энергетические показатели каскадов при амплитудной модуляции. 
В процессе модуляции напряжение и ток изменяются в соответствии с (2). Тогда средняя мощность за период высокой частоты при амплитудной модуляции
            
                                                                             (7) 
где  -                              средняя мощность за период высокой частоты в режиме молчания,
       Rэ   - сопротивление нагрузки для активного элемента каскада, в котором осуществляется модуляция.
Описание слайда:
Основные энергетические показатели каскадов при амплитудной модуляции. В процессе модуляции напряжение и ток изменяются в соответствии с (2). Тогда средняя мощность за период высокой частоты при амплитудной модуляции (7) где - средняя мощность за период высокой частоты в режиме молчания, Rэ - сопротивление нагрузки для активного элемента каскада, в котором осуществляется модуляция.

Слайд 11





Мощность в максимальном и минимальном  режимах  при АМ выражается  через мощность  в  режиме  несущей  частоты согласно  (7)  когда cost = 1
Мощность в максимальном и минимальном  режимах  при АМ выражается  через мощность  в  режиме  несущей  частоты согласно  (7)  когда cost = 1
Рmax = Р(1+ m)2;           Рmin = Р(1 m)2.
При m = 1 мощность в максимальном режиме в 4 раза больше, чем в режиме несущей частоты, а в минимальном равна нулю. Средняя мощность за период модулирующего напряжения (телефонная мощность)
                                                                                              (8)
При m = 1 мощность в телефонном режиме в 1,5 раза превосходит мощность в режиме несущей частоты. Из соотношения (8) можно установить, что мощность обеих боковых полос, в которых заключена передаваемая информация, определяется соотношением
                                                    (9)
Энергетические характеристики генератора при АМ в течение длительного отрезка времени работы определяются некоторыми среднестатистическими параметрами информационного сигнала.
Описание слайда:
Мощность в максимальном и минимальном режимах при АМ выражается через мощность в режиме несущей частоты согласно (7) когда cost = 1 Мощность в максимальном и минимальном режимах при АМ выражается через мощность в режиме несущей частоты согласно (7) когда cost = 1 Рmax = Р(1+ m)2; Рmin = Р(1 m)2. При m = 1 мощность в максимальном режиме в 4 раза больше, чем в режиме несущей частоты, а в минимальном равна нулю. Средняя мощность за период модулирующего напряжения (телефонная мощность) (8) При m = 1 мощность в телефонном режиме в 1,5 раза превосходит мощность в режиме несущей частоты. Из соотношения (8) можно установить, что мощность обеих боковых полос, в которых заключена передаваемая информация, определяется соотношением (9) Энергетические характеристики генератора при АМ в течение длительного отрезка времени работы определяются некоторыми среднестатистическими параметрами информационного сигнала.

Слайд 12





Оценим среднестатистические характеристики работающего генератора введя некоторый усредненный коэффициент глубины модуляции mср, значения которого определяются следующим образом
Оценим среднестатистические характеристики работающего генератора введя некоторый усредненный коэффициент глубины модуляции mср, значения которого определяются следующим образом
                                                                     (10)  
где р - пик-фактор, представляющий собой отношение максимального и среднего действующего (эффективного) значений напряжения или тока модулирующего сигнала.
Описание слайда:
Оценим среднестатистические характеристики работающего генератора введя некоторый усредненный коэффициент глубины модуляции mср, значения которого определяются следующим образом Оценим среднестатистические характеристики работающего генератора введя некоторый усредненный коэффициент глубины модуляции mср, значения которого определяются следующим образом (10) где р - пик-фактор, представляющий собой отношение максимального и среднего действующего (эффективного) значений напряжения или тока модулирующего сигнала.

Слайд 13


Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14





Для наиболее распространенных информационных сигналов (музыкальных и речевых) значения р лежат в пределах 3,5...4. 
Для наиболее распространенных информационных сигналов (музыкальных и речевых) значения р лежат в пределах 3,5...4. 
Полагая      m max  = 1, получим:  mср = 0,35...0,4. Это означает, что мощность   обеих   боковых  полос,  которая  в  соответствии  с  (9)  равна  
составляет всего лишь около 5-10% от мощности генератора в максимальном режиме Рmax = 4Р. Такие низкие энергетические показатели являются серьезным недостатком АМ.
Описание слайда:
Для наиболее распространенных информационных сигналов (музыкальных и речевых) значения р лежат в пределах 3,5...4. Для наиболее распространенных информационных сигналов (музыкальных и речевых) значения р лежат в пределах 3,5...4. Полагая m max = 1, получим: mср = 0,35...0,4. Это означает, что мощность обеих боковых полос, которая в соответствии с (9) равна составляет всего лишь около 5-10% от мощности генератора в максимальном режиме Рmax = 4Р. Такие низкие энергетические показатели являются серьезным недостатком АМ.

Слайд 15





Структурные и принципиальные схемы осуществления амплитудной модуляции
Различают модулятор и модуляционное устройство. 
Модуляционное устройство – устройство, которое вырабатывает модулирующее напряжение, управляющее изменением информационного параметра ВЧ колебания. В РПдУ СС с АМ таким устройством обычно является УЗЧ, который усиливает сигнал, например с микрофона. 
Модулятор – устройство, в котором непосредственно осуществляется модуляция. 
Рассмотрим процесс АМ с точки зрения теории ГВВ. При осуществлении АМ необходимо обеспечить линейную зависимость изменения амплитуды первой гармоники тока на выходе каскада от амплитуды модулирующего напряжения. Изменение амплитуды тока осуществляется изменением одного из параметров выходного каскада (ВК).
Описание слайда:
Структурные и принципиальные схемы осуществления амплитудной модуляции Различают модулятор и модуляционное устройство. Модуляционное устройство – устройство, которое вырабатывает модулирующее напряжение, управляющее изменением информационного параметра ВЧ колебания. В РПдУ СС с АМ таким устройством обычно является УЗЧ, который усиливает сигнал, например с микрофона. Модулятор – устройство, в котором непосредственно осуществляется модуляция. Рассмотрим процесс АМ с точки зрения теории ГВВ. При осуществлении АМ необходимо обеспечить линейную зависимость изменения амплитуды первой гармоники тока на выходе каскада от амплитуды модулирующего напряжения. Изменение амплитуды тока осуществляется изменением одного из параметров выходного каскада (ВК).

Слайд 16





Для ламповых ВК на триоде различают способы осуществления АМ:
Для ламповых ВК на триоде различают способы осуществления АМ:
Сеточная модуляция смещением.
Модуляция внешним возбуждением.
Анодная модуляция.
Модуляция изменением величины сопротивления нагрузки.
Кроме названных способов осуществляют комбинированные способы (двойная модуляция), например, анодно-сеточная модуляция.
Для транзисторных ВК различают способы осуществления АМ:
Базовая модуляция смещением.
Модуляция возбуждением.
Коллекторная модуляция.
Наибольшее применение находят коллекторная и коллекторно-базовая модуляции.
Описание слайда:
Для ламповых ВК на триоде различают способы осуществления АМ: Для ламповых ВК на триоде различают способы осуществления АМ: Сеточная модуляция смещением. Модуляция внешним возбуждением. Анодная модуляция. Модуляция изменением величины сопротивления нагрузки. Кроме названных способов осуществляют комбинированные способы (двойная модуляция), например, анодно-сеточная модуляция. Для транзисторных ВК различают способы осуществления АМ: Базовая модуляция смещением. Модуляция возбуждением. Коллекторная модуляция. Наибольшее применение находят коллекторная и коллекторно-базовая модуляции.

Слайд 17





Качество амплитудной модуляции оценивается модуляционными характеристиками (статическими и дина-мическими), коэффициентом нелинейных искажений.
Качество амплитудной модуляции оценивается модуляционными характеристиками (статическими и дина-мическими), коэффициентом нелинейных искажений.
Статическая модуляционная характеристика представляет собой зависимость первой гармоники тока  (анодного/коллек-торного) от изменения постоянного напряжения на электроде, по которому производится модуляция. Например, при сеточной модуляции смещением изменяется напряжение смещения на управляющей сетке Ес(t) и статическая модуляционная характе-ристика имеет вид:
Описание слайда:
Качество амплитудной модуляции оценивается модуляционными характеристиками (статическими и дина-мическими), коэффициентом нелинейных искажений. Качество амплитудной модуляции оценивается модуляционными характеристиками (статическими и дина-мическими), коэффициентом нелинейных искажений. Статическая модуляционная характеристика представляет собой зависимость первой гармоники тока (анодного/коллек-торного) от изменения постоянного напряжения на электроде, по которому производится модуляция. Например, при сеточной модуляции смещением изменяется напряжение смещения на управляющей сетке Ес(t) и статическая модуляционная характе-ристика имеет вид:

Слайд 18





По статическим модуляционным характеристикам выбирают исходный режим работы модулируемого каскада для обеспечения наименьших нелинейных искажений.
По статическим модуляционным характеристикам выбирают исходный режим работы модулируемого каскада для обеспечения наименьших нелинейных искажений.
Динамические модуляционные характеристики (амплитудная и частотная) позволяют оценить качество модуляции в реальных условиях - при воздействии  на модулируемый каскад переменного модулирующего напряжения U.
Амплитудной динамической модуляционной характеристикой называют зависимость коэффициента модуляции от амплитуды модулирующего напряжения   m = (U)   при    заданной   частоте    модуляции   (обычно   при F = 400 Гц). Типичный вид такой характеристики изображен на рис.
Описание слайда:
По статическим модуляционным характеристикам выбирают исходный режим работы модулируемого каскада для обеспечения наименьших нелинейных искажений. По статическим модуляционным характеристикам выбирают исходный режим работы модулируемого каскада для обеспечения наименьших нелинейных искажений. Динамические модуляционные характеристики (амплитудная и частотная) позволяют оценить качество модуляции в реальных условиях - при воздействии на модулируемый каскад переменного модулирующего напряжения U. Амплитудной динамической модуляционной характеристикой называют зависимость коэффициента модуляции от амплитуды модулирующего напряжения m = (U) при заданной частоте модуляции (обычно при F = 400 Гц). Типичный вид такой характеристики изображен на рис.

Слайд 19





Амплитудная динамическая модуляционная характеристика снимается для положительного и отрицательного полупериодов модулирующего напряжения U, т.е. снимаются  m+ = (U)  и  m = (U). Совпадение m+ и m говорит о симметричности модуляции, а следовательно, о малых нелинейных искажениях.
Амплитудная динамическая модуляционная характеристика снимается для положительного и отрицательного полупериодов модулирующего напряжения U, т.е. снимаются  m+ = (U)  и  m = (U). Совпадение m+ и m говорит о симметричности модуляции, а следовательно, о малых нелинейных искажениях.
Частотной динамической модуляционной характеристикой называют зависимость коэффициента модуляции от частоты модулирующего напряжения m = () при заданной амплитуде этого напряжения. Один из примеров подобных характеристик приведен на рис.
Описание слайда:
Амплитудная динамическая модуляционная характеристика снимается для положительного и отрицательного полупериодов модулирующего напряжения U, т.е. снимаются m+ = (U) и m = (U). Совпадение m+ и m говорит о симметричности модуляции, а следовательно, о малых нелинейных искажениях. Амплитудная динамическая модуляционная характеристика снимается для положительного и отрицательного полупериодов модулирующего напряжения U, т.е. снимаются m+ = (U) и m = (U). Совпадение m+ и m говорит о симметричности модуляции, а следовательно, о малых нелинейных искажениях. Частотной динамической модуляционной характеристикой называют зависимость коэффициента модуляции от частоты модулирующего напряжения m = () при заданной амплитуде этого напряжения. Один из примеров подобных характеристик приведен на рис.

Слайд 20





Коэффициент нелинейных искажений связан с характеристикой качества формирования АМ сигнала – разборчивостью речи (артикуляцией) и  определяется формулой
Коэффициент нелинейных искажений связан с характеристикой качества формирования АМ сигнала – разборчивостью речи (артикуляцией) и  определяется формулой
                                                                                   
где А - амплитуда соответствующих гармоник тока или напряжения в спектре  огибающей сигнала после модуляции.
У радиовещательных станций КНИ равен (1...2%), у служебных - до 15%.
Артикуляция (разборчивость) определяется отношением числа правильно принятых слов к общему числу переданных слов. Артикуляция дает итоговую оценку качества работы передатчика.
Описание слайда:
Коэффициент нелинейных искажений связан с характеристикой качества формирования АМ сигнала – разборчивостью речи (артикуляцией) и определяется формулой Коэффициент нелинейных искажений связан с характеристикой качества формирования АМ сигнала – разборчивостью речи (артикуляцией) и определяется формулой где А - амплитуда соответствующих гармоник тока или напряжения в спектре огибающей сигнала после модуляции. У радиовещательных станций КНИ равен (1...2%), у служебных - до 15%. Артикуляция (разборчивость) определяется отношением числа правильно принятых слов к общему числу переданных слов. Артикуляция дает итоговую оценку качества работы передатчика.

Слайд 21





Анализ модуляции смещением проведем применительно к ламповому модулятору.
Описание слайда:
Анализ модуляции смещением проведем применительно к ламповому модулятору.

Слайд 22





Рассмотрим графики токов и напряжений, поясняющие работу модулятора при сеточной модуляции смещением.
Описание слайда:
Рассмотрим графики токов и напряжений, поясняющие работу модулятора при сеточной модуляции смещением.

Слайд 23





Если изменять  напряжение   смещения линейно от Есmin до Есmax  Uc = const импульсы анодного тока будут линейно нарастать по амплитуде, т.е. при модуляции напряжением смещения изменяется угол отсечки и амплитуда импульсов анодного тока. 
Если изменять  напряжение   смещения линейно от Есmin до Есmax  Uc = const импульсы анодного тока будут линейно нарастать по амплитуде, т.е. при модуляции напряжением смещения изменяется угол отсечки и амплитуда импульсов анодного тока. 
На рис. показана статическая модуляционная характеристика Ia1 = f (Ec), и характеристика Iao = f (Ec). По этим характеристикам выбирается начальное напряжение смещения, т.е. значение Ес в режиме молчания (без модуляции). 
Если напряжение смещения изменять по гармоническому закону, то результирующее напряжение на сетке лампы будет
ес = Ec+Ucost + Uсcost.
В результате огибающая импульсов анодного тока также будет изменяться по гармоническому закону, а напряжение на выходном контуре будет иметь вид АМ колебаний.
Можно показать, что косинус угла отсечки в пределах изменения угла  = 40...110 пропорционален напряжению смещения (первая гармоника анодного тока также линейно связана с cos(θ): Ia1 = SUc(1 - cos(θ))α1 ). Следовательно, в указанных пределах между Ia1 и напряжением смещения существует линейная зависимость, позволяющая производить неискаженную модуляцию.
Описание слайда:
Если изменять напряжение смещения линейно от Есmin до Есmax Uc = const импульсы анодного тока будут линейно нарастать по амплитуде, т.е. при модуляции напряжением смещения изменяется угол отсечки и амплитуда импульсов анодного тока. Если изменять напряжение смещения линейно от Есmin до Есmax Uc = const импульсы анодного тока будут линейно нарастать по амплитуде, т.е. при модуляции напряжением смещения изменяется угол отсечки и амплитуда импульсов анодного тока. На рис. показана статическая модуляционная характеристика Ia1 = f (Ec), и характеристика Iao = f (Ec). По этим характеристикам выбирается начальное напряжение смещения, т.е. значение Ес в режиме молчания (без модуляции). Если напряжение смещения изменять по гармоническому закону, то результирующее напряжение на сетке лампы будет ес = Ec+Ucost + Uсcost. В результате огибающая импульсов анодного тока также будет изменяться по гармоническому закону, а напряжение на выходном контуре будет иметь вид АМ колебаний. Можно показать, что косинус угла отсечки в пределах изменения угла  = 40...110 пропорционален напряжению смещения (первая гармоника анодного тока также линейно связана с cos(θ): Ia1 = SUc(1 - cos(θ))α1 ). Следовательно, в указанных пределах между Ia1 и напряжением смещения существует линейная зависимость, позволяющая производить неискаженную модуляцию.

Слайд 24





Для нормальной работы модулятора номинальная полезная мощность активного элемента (лампы, транзистора) должна быть не менее мощности Рmax 
Для нормальной работы модулятора номинальная полезная мощность активного элемента (лампы, транзистора) должна быть не менее мощности Рmax 
Рном  Рmax = Р(1+m)2.
Максимальное значение мощности потребляемой от источника питания
Ро max = Iао max Еа = Ро(1+ m).                                
Тогда коэффициент полезного действия в максимальном режиме
                              
где  -                     коэффициент полезного действия ГВВ без    модуляции.
Если, например, при угле отсечки в максимальном режиме max = 110, m = 0,8, max = 0,63 и тогда 
Учитывая, что эксплуатационный КПД определяется данными режима молчания – низкий КПД является недостатком модуляции смещением.
Достоинство – малая мощность модуляционного устройства – усилителя звуковой частоты (УЗЧ).
Описание слайда:
Для нормальной работы модулятора номинальная полезная мощность активного элемента (лампы, транзистора) должна быть не менее мощности Рmax Для нормальной работы модулятора номинальная полезная мощность активного элемента (лампы, транзистора) должна быть не менее мощности Рmax Рном  Рmax = Р(1+m)2. Максимальное значение мощности потребляемой от источника питания Ро max = Iао max Еа = Ро(1+ m). Тогда коэффициент полезного действия в максимальном режиме где - коэффициент полезного действия ГВВ без модуляции. Если, например, при угле отсечки в максимальном режиме max = 110, m = 0,8, max = 0,63 и тогда Учитывая, что эксплуатационный КПД определяется данными режима молчания – низкий КПД является недостатком модуляции смещением. Достоинство – малая мощность модуляционного устройства – усилителя звуковой частоты (УЗЧ).

Слайд 25





Анодная (коллекторная) модуляция. Осуществляется подачей модулирующего напряжения на анод генераторной лампы. 
Последовательно с источником постоянного напряжения Еа включается  вторичная обмотка модуляционного трансфор-матора, поэтому напряжение источника анодного питания суммируется с модулирующим напряжением.
Описание слайда:
Анодная (коллекторная) модуляция. Осуществляется подачей модулирующего напряжения на анод генераторной лампы. Последовательно с источником постоянного напряжения Еа включается вторичная обмотка модуляционного трансфор-матора, поэтому напряжение источника анодного питания суммируется с модулирующим напряжением.

Слайд 26





В случае линейной статической модуляционной характеристики первая гармоника анодного тока и его постоянная составляющая изменяются по закону
В случае линейной статической модуляционной характеристики первая гармоника анодного тока и его постоянная составляющая изменяются по закону
  Iа1(t) = Iа1н(1 + mcost) ,                                
  Iаo(t) = Iаoн(1 + mcost) .                               
В режиме молчания напряжение на аноде выбирается обычно равным номинальному (паспортному) значению 
Еа = Еа ном.
Описание слайда:
В случае линейной статической модуляционной характеристики первая гармоника анодного тока и его постоянная составляющая изменяются по закону В случае линейной статической модуляционной характеристики первая гармоника анодного тока и его постоянная составляющая изменяются по закону Iа1(t) = Iа1н(1 + mcost) , Iаo(t) = Iаoн(1 + mcost) . В режиме молчания напряжение на аноде выбирается обычно равным номинальному (паспортному) значению Еа = Еа ном.

Слайд 27





В этом случае выходная мощность в максимальном режиме
В этом случае выходная мощность в максимальном режиме
где    
При m = 1   
Таким образом, поскольку Еа = Еаном, в максимальном режиме лампа отдает удвоенную мощность. При этом в отдельные моменты времени напряжение на аноде превышает номинальное (паспортное) значение в два раза. 
Однако подобный режим не является опасным для лампы, поскольку среднее за период низкой частоты напряжение на аноде лампы равно Еа.
В качестве вывода необходимо отметить достоинства и недостатки анодной (коллекторной) амплитудной модуляции.
Достоинства – высокий КПД модулятора в режиме несущей η = ηmax, недостаток - большой требуемый уровень мощности модуляционного устройства, сравнимый с мощностью модулятора.
Описание слайда:
В этом случае выходная мощность в максимальном режиме В этом случае выходная мощность в максимальном режиме где При m = 1 Таким образом, поскольку Еа = Еаном, в максимальном режиме лампа отдает удвоенную мощность. При этом в отдельные моменты времени напряжение на аноде превышает номинальное (паспортное) значение в два раза. Однако подобный режим не является опасным для лампы, поскольку среднее за период низкой частоты напряжение на аноде лампы равно Еа. В качестве вывода необходимо отметить достоинства и недостатки анодной (коллекторной) амплитудной модуляции. Достоинства – высокий КПД модулятора в режиме несущей η = ηmax, недостаток - большой требуемый уровень мощности модуляционного устройства, сравнимый с мощностью модулятора.

Слайд 28





Особенности коллекторной модуляции в транзисторных генераторах
Базовая модуляция смещением транзисторных генераторов не находит широкого применения из-за нелинейности модуляционных характеристик и трудных условий работы модуляционного устройства. 
Это связано с тем, что выход модуляционного устройства (УЗЧ) нагружается на емкость эмиттерного перехода модулируемого каскада (модулятора), величина которой зависит от уровня сигнала. Кроме того, КПД базовой модуляции смещением низок, как и при сеточной модуляции.
Коллекторная модуляция - основной вид AM, применяемый в транзисторных генераторах.
Описание слайда:
Особенности коллекторной модуляции в транзисторных генераторах Базовая модуляция смещением транзисторных генераторов не находит широкого применения из-за нелинейности модуляционных характеристик и трудных условий работы модуляционного устройства. Это связано с тем, что выход модуляционного устройства (УЗЧ) нагружается на емкость эмиттерного перехода модулируемого каскада (модулятора), величина которой зависит от уровня сигнала. Кроме того, КПД базовой модуляции смещением низок, как и при сеточной модуляции. Коллекторная модуляция - основной вид AM, применяемый в транзисторных генераторах.

Слайд 29





Так же, как и анодная модуляция в ламповых генераторах, коллекторная модуляция осуществляется в перенапряженном режиме и, требуя более мощного модуляционного устройства, позволяет получить более высокий КПД модулятора, большую глубину модуляции и лучшую линейность модуляционной характеристики.
Так же, как и анодная модуляция в ламповых генераторах, коллекторная модуляция осуществляется в перенапряженном режиме и, требуя более мощного модуляционного устройства, позволяет получить более высокий КПД модулятора, большую глубину модуляции и лучшую линейность модуляционной характеристики.
Основные особенности:
1. При коллекторной модуляции нельзя форсировать режим работы по напряжению на коллекторе, так как превышение максимального напряжения eкол доп приводит к выходу транзистора из строя. Напряжение коллекторного питания выбирают из условия
е к max= Ек+ UΩ+ Uк mах < еКдоп   
Учитывая это выигрыш по мощности по сравнению с ламповой схеме получить не удается. 
2. Если не применять подмодуляцию в предыдущем каскаде, напряженность режима транзистора в модулируемом каскаде изменяется в больших пределах. В некоторые моменты времени при достаточно малом напряжении коллектора происходит отпирание коллекторного перехода в прямом направлении. В результате колебания радиочастоты из базовой цепи поступают непосредственно в коллекторную цепь через малое сопротивление коллекторного перехода.
Описание слайда:
Так же, как и анодная модуляция в ламповых генераторах, коллекторная модуляция осуществляется в перенапряженном режиме и, требуя более мощного модуляционного устройства, позволяет получить более высокий КПД модулятора, большую глубину модуляции и лучшую линейность модуляционной характеристики. Так же, как и анодная модуляция в ламповых генераторах, коллекторная модуляция осуществляется в перенапряженном режиме и, требуя более мощного модуляционного устройства, позволяет получить более высокий КПД модулятора, большую глубину модуляции и лучшую линейность модуляционной характеристики. Основные особенности: 1. При коллекторной модуляции нельзя форсировать режим работы по напряжению на коллекторе, так как превышение максимального напряжения eкол доп приводит к выходу транзистора из строя. Напряжение коллекторного питания выбирают из условия е к max= Ек+ UΩ+ Uк mах < еКдоп Учитывая это выигрыш по мощности по сравнению с ламповой схеме получить не удается. 2. Если не применять подмодуляцию в предыдущем каскаде, напряженность режима транзистора в модулируемом каскаде изменяется в больших пределах. В некоторые моменты времени при достаточно малом напряжении коллектора происходит отпирание коллекторного перехода в прямом направлении. В результате колебания радиочастоты из базовой цепи поступают непосредственно в коллекторную цепь через малое сопротивление коллекторного перехода.

Слайд 30





Модуляционная характеристика для этого случая соответствует пунктирной кривой на рис.
Модуляционная характеристика для этого случая соответствует пунктирной кривой на рис.
Введение в предыдущем каскаде подмодуляции с 
m < 1 выравнивает напряженность режима работы транзистора и улучшает линейность модуляционной характеристики (сплошная линия на рис.) В этом случае осуществляется тройная коллекторная модуляция: на коллектор и, за счет автосмещения, на базу в оконечном каскаде, и на коллектор в предыдущем.
Описание слайда:
Модуляционная характеристика для этого случая соответствует пунктирной кривой на рис. Модуляционная характеристика для этого случая соответствует пунктирной кривой на рис. Введение в предыдущем каскаде подмодуляции с m < 1 выравнивает напряженность режима работы транзистора и улучшает линейность модуляционной характеристики (сплошная линия на рис.) В этом случае осуществляется тройная коллекторная модуляция: на коллектор и, за счет автосмещения, на базу в оконечном каскаде, и на коллектор в предыдущем.

Слайд 31


Формирование радиосигналов с амплитудной модуляцией. (Лекция 6), слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32





Усиление модулированных сигналов. 
Оно широко используется в современных передатчиках, так как часто бывает целесообразно сначала произвести модуляцию на малом уровне мощности, а затем модулированные колебания усилить.
Описание слайда:
Усиление модулированных сигналов. Оно широко используется в современных передатчиках, так как часто бывает целесообразно сначала произвести модуляцию на малом уровне мощности, а затем модулированные колебания усилить.

Слайд 33





Усиление модулированных колебаний можно интерпретировать как модуляцию напряжением возбуждения. 
Усиление модулированных колебаний можно интерпретировать как модуляцию напряжением возбуждения. 
Из графиков для лампового УМС, представленных на рис. видно, что при смещении Ес = Ес‘ угол отсечки всех импульсов анодного тока равен θ = 90°, а их амплитуда  пропорциональна амплитуде возбуждающего напряжения и усиление будет происходить без искажения до значения Uc max. При этом статическая модуляционная характеристика 
Ia1 =  f(Uc), будет линейной.
Энергетические соотношения в режиме усиления модулированных колебаний получаются таким же, как при модуляции смещением, поскольку активный элемент работает в недонапряжённом режиме.
Описание слайда:
Усиление модулированных колебаний можно интерпретировать как модуляцию напряжением возбуждения. Усиление модулированных колебаний можно интерпретировать как модуляцию напряжением возбуждения. Из графиков для лампового УМС, представленных на рис. видно, что при смещении Ес = Ес‘ угол отсечки всех импульсов анодного тока равен θ = 90°, а их амплитуда пропорциональна амплитуде возбуждающего напряжения и усиление будет происходить без искажения до значения Uc max. При этом статическая модуляционная характеристика Ia1 = f(Uc), будет линейной. Энергетические соотношения в режиме усиления модулированных колебаний получаются таким же, как при модуляции смещением, поскольку активный элемент работает в недонапряжённом режиме.

Слайд 34





ПРИМЕРЫ. 
Выходной каскад передатчика КВ/УКВ диапазонов с АМ на третью сетку
Модуляция на 3-ю сетку пентода, работающего в выходном каскаде передатчика. Вследствие отрицательного смещения на 3-й сетке выходная мощность при отсутствии модуляции устанавливается равной 25% от максимальной, которую может дать лампа. 
L2 - дроссель питания анодной цепи; катушка L1, шунтированная R5, предотвращает возникновение самовозбуждения усилителя на частотах микроволновых диапазонов.
Описание слайда:
ПРИМЕРЫ. Выходной каскад передатчика КВ/УКВ диапазонов с АМ на третью сетку Модуляция на 3-ю сетку пентода, работающего в выходном каскаде передатчика. Вследствие отрицательного смещения на 3-й сетке выходная мощность при отсутствии модуляции устанавливается равной 25% от максимальной, которую может дать лампа. L2 - дроссель питания анодной цепи; катушка L1, шунтированная R5, предотвращает возникновение самовозбуждения усилителя на частотах микроволновых диапазонов.

Слайд 35





Выходной каскад транзисторного передатчика КВ/УКВ диапазонов с АМ
AM в транзисторном выходном каскаде передатчика КВ/УКВ диапазонов. Подбором сопротивления R3 устанавливается напряжение питания выходного каскада передатчика (транзистор VT1) близким к +12 В.
Описание слайда:
Выходной каскад транзисторного передатчика КВ/УКВ диапазонов с АМ AM в транзисторном выходном каскаде передатчика КВ/УКВ диапазонов. Подбором сопротивления R3 устанавливается напряжение питания выходного каскада передатчика (транзистор VT1) близким к +12 В.

Слайд 36





Структурные и принципиальные схемы генераторов с импульсной модуляцией. 
В общем виде передатчик с импульсной АМ содержит возбудитель, умножитель частоты, усилитель мощности и модулятор, который обычно совмещен с УМ.
На   рис. приведена   схема
генератора телеграфных 
сигналов для передатчика с формированием однополосного сигнала на частоте 500 кГц. Плавное нарастание и спад телеграфного сигнала здесь достигаются зарядом и разрядом конденсатора С5.
Описание слайда:
Структурные и принципиальные схемы генераторов с импульсной модуляцией. В общем виде передатчик с импульсной АМ содержит возбудитель, умножитель частоты, усилитель мощности и модулятор, который обычно совмещен с УМ. На рис. приведена схема генератора телеграфных сигналов для передатчика с формированием однополосного сигнала на частоте 500 кГц. Плавное нарастание и спад телеграфного сигнала здесь достигаются зарядом и разрядом конденсатора С5.

Слайд 37





Крутизна фронтов телеграфной посылки определяется емкостью этого конденсатора и сопротивлением резистора R5.
Крутизна фронтов телеграфной посылки определяется емкостью этого конденсатора и сопротивлением резистора R5.
Описание слайда:
Крутизна фронтов телеграфной посылки определяется емкостью этого конденсатора и сопротивлением резистора R5. Крутизна фронтов телеграфной посылки определяется емкостью этого конденсатора и сопротивлением резистора R5.



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию