🗊Презентация Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №1Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №2Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №3Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №4Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №5Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №6Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №7Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №8Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №9Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №10Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №11Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №12Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №13Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №14Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №15Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №16Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №17Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №18Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №19Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №20Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии, слайд №21

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии. Доклад-сообщение содержит 21 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Оборудование для проекционной фотолитографии
Описание слайда:
Оборудование для проекционной фотолитографии

Слайд 2





Фотолитография
Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике. Является одним из важнейших и дорогостоящих этапов микроэлектронного производства.
Описание слайда:
Фотолитография Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике. Является одним из важнейших и дорогостоящих этапов микроэлектронного производства.

Слайд 3





Этапы фотолитографии
Описание слайда:
Этапы фотолитографии

Слайд 4





Очистка и подготовка поверхности
При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть отмыта в ходе двухступенчатого процесса: очистка ацетоном, для устранения органических загрязнений и последующее полоскание в изопропаноле для удаления оставшегося ацетона.
Описание слайда:
Очистка и подготовка поверхности При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть отмыта в ходе двухступенчатого процесса: очистка ацетоном, для устранения органических загрязнений и последующее полоскание в изопропаноле для удаления оставшегося ацетона.

Слайд 5





Нанесение фоторезиста
Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста:
Центрифугирование
Погружение в фотогрезист
Аэрозольное распыление
Описание слайда:
Нанесение фоторезиста Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста: Центрифугирование Погружение в фотогрезист Аэрозольное распыление

Слайд 6





Предварительное задубливание
После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для этого образец выдерживается несколько минут в печи, при температуре 100—120° С.
Описание слайда:
Предварительное задубливание После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для этого образец выдерживается несколько минут в печи, при температуре 100—120° С.

Слайд 7





Экспонирование
Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового диапазона.
Наиболее стандартными длинами волны экспонирования в фотолитографии являются i-линия (365нм), h-линия (405нм) и g-линия (436нм).
Описание слайда:
Экспонирование Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового диапазона. Наиболее стандартными длинами волны экспонирования в фотолитографии являются i-линия (365нм), h-линия (405нм) и g-линия (436нм).

Слайд 8





Основные параметрами экспонирования
Основными параметрами экспонирования являются:
Длина волны
Время экспонирования
Мощность источника излучения
Описание слайда:
Основные параметрами экспонирования Основными параметрами экспонирования являются: Длина волны Время экспонирования Мощность источника излучения

Слайд 9





Проявление фоторезиста и обработка поверхности
Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность подвергается травлению, ионной имплантации или электроосаждению.
Описание слайда:
Проявление фоторезиста и обработка поверхности Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность подвергается травлению, ионной имплантации или электроосаждению.

Слайд 10





Снятие фоторезиста
Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. 
Для удаления фоторезиста с обработанной поверхности используют специальную жидкость — сниматель.
Описание слайда:
Снятие фоторезиста Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. Для удаления фоторезиста с обработанной поверхности используют специальную жидкость — сниматель.

Слайд 11





Фотошаблоны
Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем – покрытием, образующим трафарет с прозрачными и непрозрачными для оптического излучения участками.
Описание слайда:
Фотошаблоны Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем – покрытием, образующим трафарет с прозрачными и непрозрачными для оптического излучения участками.

Слайд 12





Фотошаблоны
К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует отнести следующие:
Высокая оптическая плотность маскирующего материала
Толщина маскирующего материала – не более 100 нм
Отражательная способность не выше 15%
Высокая разрешающая способность
Малая микро-дефектность, стойкость к истиранию
Описание слайда:
Фотошаблоны К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует отнести следующие: Высокая оптическая плотность маскирующего материала Толщина маскирующего материала – не более 100 нм Отражательная способность не выше 15% Высокая разрешающая способность Малая микро-дефектность, стойкость к истиранию

Слайд 13





Фоторезисты
Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.
Описание слайда:
Фоторезисты Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.

Слайд 14





Фоторезисты
Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя.
Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.
Описание слайда:
Фоторезисты Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя. Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.

Слайд 15





Виды фотолитографии
Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии.
При контактном способе фотошаблон и пластина соприкасаются
При бесконтактном между фотошаблоном и пластиной оставляют зазор 10 – 25 мкм
При проекционном способе контакта фотошаблона и подложки нет.
Описание слайда:
Виды фотолитографии Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии. При контактном способе фотошаблон и пластина соприкасаются При бесконтактном между фотошаблоном и пластиной оставляют зазор 10 – 25 мкм При проекционном способе контакта фотошаблона и подложки нет.

Слайд 16





Виды фотолитографии
Описание слайда:
Виды фотолитографии

Слайд 17





Виды фотолитографии
Описание слайда:
Виды фотолитографии

Слайд 18





Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б
Установка предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.
Описание слайда:
Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б Установка предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.

Слайд 19





SUSS MJB4
Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка пластин до 100мм
Описание слайда:
SUSS MJB4 Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка пластин до 100мм

Слайд 20





SUSS MA200
Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках.
Описание слайда:
SUSS MA200 Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках.

Слайд 21





Сравнение установок
Описание слайда:
Сравнение установок



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию