🗊Презентация Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №1Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №2Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №3Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №4Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №5Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №6Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №7Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №8Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №9Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №10Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №11Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №12Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №13Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №14Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №15

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2





1.Мультивибратор в автоколебательном режиме.
1.Мультивибратор в автоколебательном режиме.
2.Мультивибратор в ждущем режиме.
3.Интегриальный мультивибратор в автоколебательном режиме.
4.Интегральный мультивибратор в ждущем режиме.
Описание слайда:
1.Мультивибратор в автоколебательном режиме. 1.Мультивибратор в автоколебательном режиме. 2.Мультивибратор в ждущем режиме. 3.Интегриальный мультивибратор в автоколебательном режиме. 4.Интегральный мультивибратор в ждущем режиме.

Слайд 3





Общим для всех генераторов является наличие положительной обратной связи. В цепи положительной обратной связи должно выполняться два условия:
Общим для всех генераторов является наличие положительной обратной связи. В цепи положительной обратной связи должно выполняться два условия:
1)   баланс фаз (0° или 360°)- напряжение,      
подаваемое по цепи П.О.С должно быть в фазе
с напряжением на входе или кратно 360°.
2) баланс амплитуда которая должна быть достаточной чтобы скомпенсировать потери.
Описание слайда:
Общим для всех генераторов является наличие положительной обратной связи. В цепи положительной обратной связи должно выполняться два условия: Общим для всех генераторов является наличие положительной обратной связи. В цепи положительной обратной связи должно выполняться два условия: 1) баланс фаз (0° или 360°)- напряжение, подаваемое по цепи П.О.С должно быть в фазе с напряжением на входе или кратно 360°. 2) баланс амплитуда которая должна быть достаточной чтобы скомпенсировать потери.

Слайд 4


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5





1. Мультивибратор в автоколебательном режиме

  Мультивибратор, рисунок 1 состоит из двух каскадов на транзисторах VТ1 и VТ2. Причем вход каждого каскада (база) подключен через конденсатор к выходу другого (к коллектору). Такое включение обеспечивает наличие петли положительной обратной связи в то время, когда оба транзистора работают в активном режиме. 
   Работа схемы: в схеме нет устойчивых состояний.
Допустим VТ1-закрыт, VТ2-открыт формируется импульс на выходе первого транзистора. Фронт длительности первого импульса tи1 равен времени заряда конденсатора С1:
tф1=3*С1*Rк1
Длительность импульса зависит от разряда конденсатор С2 по цепи через +С2,Rб1,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллектор,VТ2,-С2.
Описание слайда:
1. Мультивибратор в автоколебательном режиме Мультивибратор, рисунок 1 состоит из двух каскадов на транзисторах VТ1 и VТ2. Причем вход каждого каскада (база) подключен через конденсатор к выходу другого (к коллектору). Такое включение обеспечивает наличие петли положительной обратной связи в то время, когда оба транзистора работают в активном режиме. Работа схемы: в схеме нет устойчивых состояний. Допустим VТ1-закрыт, VТ2-открыт формируется импульс на выходе первого транзистора. Фронт длительности первого импульса tи1 равен времени заряда конденсатора С1: tф1=3*С1*Rк1 Длительность импульса зависит от разряда конденсатор С2 по цепи через +С2,Rб1,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллектор,VТ2,-С2.

Слайд 6





  Положительный потенциал на базе VТ1 уменьшается стремясь –Ек. В момент времени t1 по диаграммам напряжение на базе VТ1 становиться равным пороговому значению, VТ1 приоткрывается положительный перепад с его коллектора передается на базу VТ1 призакрывая его, за счет П.О.С схема переключается VТ1-откроется, VТ2-закроется   кончается формирование импульса tи1 на первом выходе.
  Положительный потенциал на базе VТ1 уменьшается стремясь –Ек. В момент времени t1 по диаграммам напряжение на базе VТ1 становиться равным пороговому значению, VТ1 приоткрывается положительный перепад с его коллектора передается на базу VТ1 призакрывая его, за счет П.О.С схема переключается VТ1-откроется, VТ2-закроется   кончается формирование импульса tи1 на первом выходе.
                     tи1=0,7*С2*Rб1
  В момент переключения формируется спад на первом выходе и фронт на втором выходе. Время спада 
tc=(2÷3)/fmax VT1
Время фронта tф2 определяется зарядной цепью конденсатора С2,
tф2=tвосс2=3*С2*Rк2
Описание слайда:
Положительный потенциал на базе VТ1 уменьшается стремясь –Ек. В момент времени t1 по диаграммам напряжение на базе VТ1 становиться равным пороговому значению, VТ1 приоткрывается положительный перепад с его коллектора передается на базу VТ1 призакрывая его, за счет П.О.С схема переключается VТ1-откроется, VТ2-закроется кончается формирование импульса tи1 на первом выходе. Положительный потенциал на базе VТ1 уменьшается стремясь –Ек. В момент времени t1 по диаграммам напряжение на базе VТ1 становиться равным пороговому значению, VТ1 приоткрывается положительный перепад с его коллектора передается на базу VТ1 призакрывая его, за счет П.О.С схема переключается VТ1-откроется, VТ2-закроется кончается формирование импульса tи1 на первом выходе. tи1=0,7*С2*Rб1 В момент переключения формируется спад на первом выходе и фронт на втором выходе. Время спада tc=(2÷3)/fmax VT1 Время фронта tф2 определяется зарядной цепью конденсатора С2, tф2=tвосс2=3*С2*Rк2

Слайд 7





Формирование импульса на втором выходе tи2 определяется разрядной цепью конденсатора С1. Конденсатор С1 разряжается по цепи +С1,Rб2,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллек-тор VТ1,-С1.
Формирование импульса на втором выходе tи2 определяется разрядной цепью конденсатора С1. Конденсатор С1 разряжается по цепи +С1,Rб2,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллек-тор VТ1,-С1.
В момент времени t2 по диаграммам напряжение на базе VТ2 становиться равным пороговому значению,VТ2 открывается. При 2-х открытых транзисторах действует ПОС и схема переключается в исходное не устойчивое состояние. Заканчивается формирование импульса на втором выходе tи2
 tи2=0,7*С1*Rб2
Способы регулировки параметров выходного напряжения:
1.Основным время задающим элементом является конденсаторы С1, С2.
Описание слайда:
Формирование импульса на втором выходе tи2 определяется разрядной цепью конденсатора С1. Конденсатор С1 разряжается по цепи +С1,Rб2,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллек-тор VТ1,-С1. Формирование импульса на втором выходе tи2 определяется разрядной цепью конденсатора С1. Конденсатор С1 разряжается по цепи +С1,Rб2,-Ек,+Ек(общ),эмиттер-коллек-тор VТ1,-С1. В момент времени t2 по диаграммам напряжение на базе VТ2 становиться равным пороговому значению,VТ2 открывается. При 2-х открытых транзисторах действует ПОС и схема переключается в исходное не устойчивое состояние. Заканчивается формирование импульса на втором выходе tи2 tи2=0,7*С1*Rб2 Способы регулировки параметров выходного напряжения: 1.Основным время задающим элементом является конденсаторы С1, С2.

Слайд 8





2.Базовые резисторы можно использовать как подстроечные,  изменять в небольших пределах, так как они определяют режим работы транзисторов. 
2.Базовые резисторы можно использовать как подстроечные,  изменять в небольших пределах, так как они определяют режим работы транзисторов.
Описание слайда:
2.Базовые резисторы можно использовать как подстроечные, изменять в небольших пределах, так как они определяют режим работы транзисторов. 2.Базовые резисторы можно использовать как подстроечные, изменять в небольших пределах, так как они определяют режим работы транзисторов.

Слайд 9





2. Мультивибратор в ждущем режиме
Описание слайда:
2. Мультивибратор в ждущем режиме

Слайд 10





    Работа схемы:
    Работа схемы:
Исходное устойчивое состояние схемы: VТ1-закрыт,VТ2-открыт. Конденсатор С1 заряжен по цепи +Ек,Rк1,C1,база-эмиттер VТ2,-Ек(общ).
При поступлении отрицательного импульса на базу VT2 схема лавинообразно переключается во второе не устойчивое состояние VТ1-откроется,VТ2-закроется, начинается формирование импульса на втором выходе.
Длительность импульса определяется разрядной цепью конденсатора C1: +С1, коллектор-эмиттер VТ1,-Ек(общ),+Ек, -Rб2,-С1.
tи2=0,7*С1*Rб2
Описание слайда:
Работа схемы: Работа схемы: Исходное устойчивое состояние схемы: VТ1-закрыт,VТ2-открыт. Конденсатор С1 заряжен по цепи +Ек,Rк1,C1,база-эмиттер VТ2,-Ек(общ). При поступлении отрицательного импульса на базу VT2 схема лавинообразно переключается во второе не устойчивое состояние VТ1-откроется,VТ2-закроется, начинается формирование импульса на втором выходе. Длительность импульса определяется разрядной цепью конденсатора C1: +С1, коллектор-эмиттер VТ1,-Ек(общ),+Ек, -Rб2,-С1. tи2=0,7*С1*Rб2

Слайд 11





По мере разряда ток уменьшается потенциал базы VT2 увеличивается, транзистор VT2-открывается, переключается в исходное устойчивое состояние. Кончается формирование импульса tи2. Длительность импульса на первом выходе tи1:
По мере разряда ток уменьшается потенциал базы VT2 увеличивается, транзистор VT2-открывается, переключается в исходное устойчивое состояние. Кончается формирование импульса tи2. Длительность импульса на первом выходе tи1:
tи1=Т-tи2
Способы регулировки параметров выходного напряжения:
1. f, Т–определяется частотой и периодом импульсов запуска
2. Длительность импульса на втором выходе (tи2) зависит только от элементов схемы  Rб2 и С1:   
С1-время задающий 
Rб2-определяет режим VT2, может быть подстроечным.
Описание слайда:
По мере разряда ток уменьшается потенциал базы VT2 увеличивается, транзистор VT2-открывается, переключается в исходное устойчивое состояние. Кончается формирование импульса tи2. Длительность импульса на первом выходе tи1: По мере разряда ток уменьшается потенциал базы VT2 увеличивается, транзистор VT2-открывается, переключается в исходное устойчивое состояние. Кончается формирование импульса tи2. Длительность импульса на первом выходе tи1: tи1=Т-tи2 Способы регулировки параметров выходного напряжения: 1. f, Т–определяется частотой и периодом импульсов запуска 2. Длительность импульса на втором выходе (tи2) зависит только от элементов схемы Rб2 и С1: С1-время задающий Rб2-определяет режим VT2, может быть подстроечным.

Слайд 12


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15


Импульсная техника. Мультивибраторы на транзисторах, слайд №15
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию