Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7)

Нажмите для полного просмотра!

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №2

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №3

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №4

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №5

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №6

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №7

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №8

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №9

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №10

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №11

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №12

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №13

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №14

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №15

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №16

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №17

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №18

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №19

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №20

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №21

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №22

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №23

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7), слайд №24

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7). Доклад-сообщение содержит 24 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция 7 Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ при

Слайд 2

Описание слайда:

Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов

Слайд 3

Описание слайда:

ВАХ подзатворного диэлектрика

Слайд 4

Описание слайда:

Токи через диэлектрик

Слайд 5

Описание слайда:

Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика

Слайд 6

Описание слайда:

Эквивалентная толщина диэлектрика Тэ = Tд х кок/кд Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния) Тд - толщина high-k диэлектрика кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния

Слайд 7

Описание слайда:

Влияние диэлектрической проницаемости на физическую толщину диэлектрика

Слайд 8

Описание слайда:

Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и физическую толщины

Слайд 9

Описание слайда:

High – k диэлектрики

Слайд 10

Описание слайда:

Уменьшение подвижности носителей в канале в МОПТ с high-k диэлектриками

Слайд 11

Описание слайда:

Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла

Слайд 12

Описание слайда:

Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры high-k диэлектрика

Слайд 13

Описание слайда:

Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной толщины подзатворных диэлектриков с промежуточным окислом

Слайд 14

Описание слайда:

Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной зоны

Слайд 15

Описание слайда:

Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на токи утечки для различных эквивалентных толщин

Слайд 16

Описание слайда:

Влияние краевых эффектов на максимальную толщину high-k диэлектриков

Слайд 17

Описание слайда:

Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и DIBL- эффект

Слайд 18

Описание слайда:

Влияние диэлектрической проницаемости на поле стока в канале МОПТ

Слайд 19

Описание слайда:

Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с различной проницаемостью

Слайд 20

Описание слайда:

Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от толщины промежуточного оксида

Слайд 21

Описание слайда:

Значения работы выхода для металлов

Слайд 22

Описание слайда:

Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и металлическим затвором

Слайд 23

Описание слайда:

Микрофотография структуры с high – k диэлектриком

Слайд 24

$Литература 1. MOS Scaling: Transistor Challenges for the21st Century. Intel Technology Journal 03\98 2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS 3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003 4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011. 5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008 6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance$

Описание слайда:

Литература 1. MOS Scaling: Transistor Challenges for the21st Century. Intel Technology Journal 03\98 2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS 3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003 4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011. 5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008 6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance