🗊Презентация Контакт метал - напівпровідник

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Контакт метал - напівпровідник, слайд №1Контакт метал - напівпровідник, слайд №2Контакт метал - напівпровідник, слайд №3Контакт метал - напівпровідник, слайд №4Контакт метал - напівпровідник, слайд №5Контакт метал - напівпровідник, слайд №6Контакт метал - напівпровідник, слайд №7Контакт метал - напівпровідник, слайд №8Контакт метал - напівпровідник, слайд №9Контакт метал - напівпровідник, слайд №10Контакт метал - напівпровідник, слайд №11Контакт метал - напівпровідник, слайд №12Контакт метал - напівпровідник, слайд №13Контакт метал - напівпровідник, слайд №14Контакт метал - напівпровідник, слайд №15Контакт метал - напівпровідник, слайд №16Контакт метал - напівпровідник, слайд №17Контакт метал - напівпровідник, слайд №18Контакт метал - напівпровідник, слайд №19Контакт метал - напівпровідник, слайд №20Контакт метал - напівпровідник, слайд №21Контакт метал - напівпровідник, слайд №22Контакт метал - напівпровідник, слайд №23Контакт метал - напівпровідник, слайд №24Контакт метал - напівпровідник, слайд №25Контакт метал - напівпровідник, слайд №26Контакт метал - напівпровідник, слайд №27Контакт метал - напівпровідник, слайд №28Контакт метал - напівпровідник, слайд №29Контакт метал - напівпровідник, слайд №30
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Контакт метал - напівпровідник. Доклад-сообщение содержит 30 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 03 Контакт метал - напівпровідник Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Описание слайда:
ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 03 Контакт метал - напівпровідник Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2


Ідеальна модель і поверхневі стани Зонні енергетичні діаграми контактів метал-напівпровідник
Описание слайда:
Ідеальна модель і поверхневі стани Зонні енергетичні діаграми контактів метал-напівпровідник

Слайд 3


Збіднений шар
Описание слайда:
Збіднений шар

Слайд 4


Рівняння Пуасона: 2=-/0s Рівняння Пуасона: 2=-/0s Різкий несиметричний p-n перехід; Наближення різкої границі збідненого шару: (qND при x<W і 0, dV/dx0 при x>W ) W- ширина збідненого шару.
Описание слайда:
Рівняння Пуасона: 2=-/0s Рівняння Пуасона: 2=-/0s Різкий несиметричний p-n перехід; Наближення різкої границі збідненого шару: (qND при x<W і 0, dV/dx0 при x>W ) W- ширина збідненого шару.

Слайд 5


Питома ємність збідненого шару Питома ємність збідненого шару
Описание слайда:
Питома ємність збідненого шару Питома ємність збідненого шару

Слайд 6


Ефект Шотткі Енергетична діаграма системи метал-вакуум. Ефективна робота виходу при прикладанні зовнішнього електричного поля зменшується. Це зменшення є наслідком суперпозиції зовнішнього електричного поля і сили зображення.
Описание слайда:
Ефект Шотткі Енергетична діаграма системи метал-вакуум. Ефективна робота виходу при прикладанні зовнішнього електричного поля зменшується. Це зменшення є наслідком суперпозиції зовнішнього електричного поля і сили зображення.

Слайд 7


Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si. Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si.
Описание слайда:
Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si. Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si.

Слайд 8


Теорія процесів переносу заряда Чотири основні процеси переносу при прямому зміщенні.
Описание слайда:
Теорія процесів переносу заряда Чотири основні процеси переносу при прямому зміщенні.

Слайд 9


1. Теорія термоелектронної емісії.
Описание слайда:
1. Теорія термоелектронної емісії.

Слайд 10


2. Дифузійна теорія Припущення: 1. Висота бар’єру qBn набагато більша kT шарі грає суттєву роль. 3. Концентрація носіїв при x=0 і x=W не залежить від 2. Розсіяння електронів при їх русі в збідненому струму. 4. Концентрація домішок в напівпровіднику досить мала, і виродження відсутнє. Необхідно враховувати дві компоненти струму (дифузійну та польову):
Описание слайда:
2. Дифузійна теорія Припущення: 1. Висота бар’єру qBn набагато більша kT шарі грає суттєву роль. 3. Концентрація носіїв при x=0 і x=W не залежить від 2. Розсіяння електронів при їх русі в збідненому струму. 4. Концентрація домішок в напівпровіднику досить мала, і виродження відсутнє. Необхідно враховувати дві компоненти струму (дифузійну та польову):

Слайд 11


Розподіл потенціалу в бар’єрі Шотткі:
Описание слайда:
Розподіл потенціалу в бар’єрі Шотткі:

Слайд 12


3. Термоемісійна- дифузійна теорія. Енергетична діаграма контакту з урахуванням ефекту Шотткі. q(x)– потенціальна енергія електрона, q(x) - положення квазірівня Фермі.
Описание слайда:
3. Термоемісійна- дифузійна теорія. Енергетична діаграма контакту з урахуванням ефекту Шотткі. q(x)– потенціальна енергія електрона, q(x) - положення квазірівня Фермі.

Слайд 13


Якщо vD>>vR, то передекспоненційному члені залишається лише vR і справедлива теорія термоелектронної емісії. Якщо vD<<vR, то переважає процес дифузії. Остаточний вираз для вольт-амперної характеристики:
Описание слайда:
Якщо vD>>vR, то передекспоненційному члені залишається лише vR і справедлива теорія термоелектронної емісії. Якщо vD<<vR, то переважає процес дифузії. Остаточний вираз для вольт-амперної характеристики:

Слайд 14


Ефективна постійна Річардсона Розрахункові значення ефективної постійної Річардсона як функціії електричного поля в бар’єрі метал-кремній.
Описание слайда:
Ефективна постійна Річардсона Розрахункові значення ефективної постійної Річардсона як функціії електричного поля в бар’єрі метал-кремній.

Слайд 15


4. Тунельний струм Дві компоненти струму: термоелектронна і тунельна.
Описание слайда:
4. Тунельний струм Дві компоненти струму: термоелектронна і тунельна.

Слайд 16


Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Відношення тунельного струму до струму термоелектронної емісії в діодах Au-Si.
Описание слайда:
Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Відношення тунельного струму до струму термоелектронної емісії в діодах Au-Si.

Слайд 17


5. Інжекція неосновних носіїв. Енергетична діаграма епітаксійного бар’єру Шотткі.
Описание слайда:
5. Інжекція неосновних носіїв. Енергетична діаграма епітаксійного бар’єру Шотткі.

Слайд 18


Висота бар’єра Детальна енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник – типу при наявності проміжного шару товщиною порядку міжатомних відстаней.
Описание слайда:
Висота бар’єра Детальна енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник – типу при наявності проміжного шару товщиною порядку міжатомних відстаней.

Слайд 19


Висота бар’єра Два припущення: 1.Товщина проміжного шару між металом і напівпровідником або дорівнює нулю, або порядку міжатомних розмірів і тому він є тунельно прозорим для електронів , а його вплив зводиться лише до падіння потенціалу на ньому. 2. Енергетична густина поверхневих станів не залежить від типу металу і визначається лише властивостями поверхні напівпровідника. Густина заряду на поверхневих станах:
Описание слайда:
Висота бар’єра Два припущення: 1.Товщина проміжного шару між металом і напівпровідником або дорівнює нулю, або порядку міжатомних розмірів і тому він є тунельно прозорим для електронів , а його вплив зводиться лише до падіння потенціалу на ньому. 2. Енергетична густина поверхневих станів не залежить від типу металу і визначається лише властивостями поверхні напівпровідника. Густина заряду на поверхневих станах:

Слайд 20


Контакт метал - напівпровідник, слайд №20
Описание слайда:

Слайд 21


Контакт метал - напівпровідник, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Виміри висоти бар’єру. 1. Метод вольт-амперної характеристики Залежність густини струму в діодах W-Si і W-GaAs від прикладеної в прямому зміщенні напруги.
Описание слайда:
Виміри висоти бар’єру. 1. Метод вольт-амперної характеристики Залежність густини струму в діодах W-Si і W-GaAs від прикладеної в прямому зміщенні напруги.

Слайд 23


2. Метод енергії активації. Залежність струму від температури в координатах, що використовуються для визначення висоти бар’єру.
Описание слайда:
2. Метод енергії активації. Залежність струму від температури в координатах, що використовуються для визначення висоти бар’єру.

Слайд 24


3. Метод вольт-фарадної характеристики Залежність 1/C2 від прикладеної напруги для діодів W-Si і W-GaAs.
Описание слайда:
3. Метод вольт-фарадної характеристики Залежність 1/C2 від прикладеної напруги для діодів W-Si і W-GaAs.

Слайд 25


Контакт метал - напівпровідник, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


4. Фотоелектричний метод. Принципова схема установки для фотоелектричних вимірювань (а) і енергетична діаграма процесів фотозбудження (б).
Описание слайда:
4. Фотоелектричний метод. Принципова схема установки для фотоелектричних вимірювань (а) і енергетична діаграма процесів фотозбудження (б).

Слайд 27


Контакт метал - напівпровідник, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Омічний контакт. Теоретичні і експериментальні залежності питомого опору контактів від 1/ND .
Описание слайда:
Омічний контакт. Теоретичні і експериментальні залежності питомого опору контактів від 1/ND .

Слайд 29


Контакт метал - напівпровідник, слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30


Дякую за увагу!
Описание слайда:
Дякую за увагу!

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию