Контакт метал - напівпровідник - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Контакт метал - напівпровідник, слайд №1

Контакт метал - напівпровідник, слайд №2

Контакт метал - напівпровідник, слайд №3

Контакт метал - напівпровідник, слайд №4

Контакт метал - напівпровідник, слайд №5

Контакт метал - напівпровідник, слайд №6

Контакт метал - напівпровідник, слайд №7

Контакт метал - напівпровідник, слайд №8

Контакт метал - напівпровідник, слайд №9

Контакт метал - напівпровідник, слайд №10

Контакт метал - напівпровідник, слайд №11

Контакт метал - напівпровідник, слайд №12

Контакт метал - напівпровідник, слайд №13

Контакт метал - напівпровідник, слайд №14

Контакт метал - напівпровідник, слайд №15

Контакт метал - напівпровідник, слайд №16

Контакт метал - напівпровідник, слайд №17

Контакт метал - напівпровідник, слайд №18

Контакт метал - напівпровідник, слайд №19

Контакт метал - напівпровідник, слайд №20

Контакт метал - напівпровідник, слайд №21

Контакт метал - напівпровідник, слайд №22

Контакт метал - напівпровідник, слайд №23

Контакт метал - напівпровідник, слайд №24

Контакт метал - напівпровідник, слайд №25

Контакт метал - напівпровідник, слайд №26

Контакт метал - напівпровідник, слайд №27

Контакт метал - напівпровідник, слайд №28

Контакт метал - напівпровідник, слайд №29

Контакт метал - напівпровідник, слайд №30

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Контакт метал - напівпровідник. Доклад-сообщение содержит 30 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 03 Контакт метал - напівпровідник Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2

Описание слайда:

Ідеальна модель і поверхневі стани Зонні енергетичні діаграми контактів метал-напівпровідник

Слайд 3

Описание слайда:

Збіднений шар

Слайд 4

Описание слайда:

Рівняння Пуасона: 2=-/0s Рівняння Пуасона: 2=-/0s Різкий несиметричний p-n перехід; Наближення різкої границі збідненого шару: (qND при xW ) W- ширина збідненого шару.

Слайд 5

Описание слайда:

Питома ємність збідненого шару Питома ємність збідненого шару

Слайд 6

Описание слайда:

Ефект Шотткі Енергетична діаграма системи метал-вакуум. Ефективна робота виходу при прикладанні зовнішнього електричного поля зменшується. Це зменшення є наслідком суперпозиції зовнішнього електричного поля і сили зображення.

Слайд 7

Описание слайда:

Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si. Зниження енергетичного бар’єра як функція електричного поля в діодах Au – Si.

Слайд 8

Описание слайда:

Теорія процесів переносу заряда Чотири основні процеси переносу при прямому зміщенні.

Слайд 9

Описание слайда:

1. Теорія термоелектронної емісії.

Слайд 10

Описание слайда:

2. Дифузійна теорія Припущення: 1. Висота бар’єру qBn набагато більша kT шарі грає суттєву роль. 3. Концентрація носіїв при x=0 і x=W не залежить від 2. Розсіяння електронів при їх русі в збідненому струму. 4. Концентрація домішок в напівпровіднику досить мала, і виродження відсутнє. Необхідно враховувати дві компоненти струму (дифузійну та польову):

Слайд 11

Описание слайда:

Розподіл потенціалу в бар’єрі Шотткі:

Слайд 12

Описание слайда:

3. Термоемісійна- дифузійна теорія. Енергетична діаграма контакту з урахуванням ефекту Шотткі. q(x)– потенціальна енергія електрона, q(x) - положення квазірівня Фермі.

Слайд 13

Описание слайда:

Якщо vD>>vR, то передекспоненційному члені залишається лише vR і справедлива теорія термоелектронної емісії. Якщо vD

Слайд 14

Описание слайда:

Ефективна постійна Річардсона Розрахункові значення ефективної постійної Річардсона як функціії електричного поля в бар’єрі метал-кремній.

Слайд 15

Описание слайда:

4. Тунельний струм Дві компоненти струму: термоелектронна і тунельна.

Слайд 16

Описание слайда:

Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Залежності густини струму насичення (а) и фактору неідеальності n (б) від концентрації легуючої домішки в діоді Au-Si при різних температурах. Відношення тунельного струму до струму термоелектронної емісії в діодах Au-Si.

Слайд 17

Описание слайда:

5. Інжекція неосновних носіїв. Енергетична діаграма епітаксійного бар’єру Шотткі.

Слайд 18

Описание слайда:

Висота бар’єра Детальна енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник – типу при наявності проміжного шару товщиною порядку міжатомних відстаней.

Слайд 19

Описание слайда:

Висота бар’єра Два припущення: 1.Товщина проміжного шару між металом і напівпровідником або дорівнює нулю, або порядку міжатомних розмірів і тому він є тунельно прозорим для електронів , а його вплив зводиться лише до падіння потенціалу на ньому. 2. Енергетична густина поверхневих станів не залежить від типу металу і визначається лише властивостями поверхні напівпровідника. Густина заряду на поверхневих станах:

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Виміри висоти бар’єру. 1. Метод вольт-амперної характеристики Залежність густини струму в діодах W-Si і W-GaAs від прикладеної в прямому зміщенні напруги.