Контакт напівпровідників n- і p- типів - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №1

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №2

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №3

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №4

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №5

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №6

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №7

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №8

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №9

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №10

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №11

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №12

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №13

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №14

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №15

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №16

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №17

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №18

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №19

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №20

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №21

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №22

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №23

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №24

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №25

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №26

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №27

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №28

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №29

Контакт напівпровідників n- і p- типів, слайд №30

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Контакт напівпровідників n- і p- типів. Доклад-сообщение содержит 30 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 04 P-n перехід Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2

Описание слайда:

Контакт напівпровідників n- і p- типів

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Бар’єрна ємність В області переходу має місце значне зменшення концентрації носіїв заряду. Електронно-дірковий перехід являє собою шар низької питомої провідності, який розміщений між областями високої питомої провідності, тому має властивості конденсатора. Ємність на одиницю площі називається бар’єрною ємністю.

Слайд 7

Описание слайда:

Випрямлення на p-n переході Енергетична діаграма p-n переходу при термодинаміч-ній рівновазі (а), при подачі на прехід прямого (б) і оберненого (в) зміщення.

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

При оберненому зміщенні p-n переходу струм основних носіїв заряду буде меншим, ніж в рівноважному стані, а струм неосновних носіїв заряду практично не зміниться. Тому сумарний струм через p-n перехід буде направлений від n-області до p-області і зі збільшенням оберненої напруги спочатку буде незначно зростати, а потім прагнути до деякої величини, яка називається струмом насичення. Отже, p-n перехід має нелінійну вольт-амперну характеристику. При оберненому зміщенні p-n переходу струм основних носіїв заряду буде меншим, ніж в рівноважному стані, а струм неосновних носіїв заряду практично не зміниться. Тому сумарний струм через p-n перехід буде направлений від n-області до p-області і зі збільшенням оберненої напруги спочатку буде незначно зростати, а потім прагнути до деякої величини, яка називається струмом насичення. Отже, p-n перехід має нелінійну вольт-амперну характеристику.

Слайд 10

Описание слайда:

Різкий p-n перехід Різкий перехід при тепловій рівновазі. а- розподіл просторового заряду (штриховими лініями позначені “хвости” розподілу основних носіїв); б- розподіл електричного поля; в- зміна потенціалу з відстанню (Vbi=c - контактна різниця потенціалів); г- зонна діаграма.

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Залежність дебаєвської довжини в Si від концентрації домішки. Залежність дебаєвської довжини в Si від концентрації домішки.

Слайд 14

Описание слайда:

Бар’єрна ємність

Слайд 15

Описание слайда:

Плавний лінійний перехід Плавний лінійний перехід в тепловій рівновазі. а - розподіл просторового заряду; б – розподіл електричного поля; в – зміна потенціалу з відстанню; г – зонна діаграма.

Слайд 16

Описание слайда:

Слайд 17

Описание слайда:

Залежність ширини збідненого шару і питомої бар’єрної ємності від градієнту концентрації домішки для лінійних переходів в Si. Залежність ширини збідненого шару і питомої бар’єрної ємності від градієнту концентрації домішки для лінійних переходів в Si.

Слайд 18

Описание слайда:

Вольт-амперні характеристики Ідеальні вольт-амперні характеристики Допущення: 1. Наближення збідненого шару з різкими границями. 2. Наближення Больцмана, тобто в збідненій області справедливий розподіл Больцмана. 3. Наближення низького рівня інжекції, тобто густина інжектованих неосновних носіїв мала в порівнянні з концентрацією основних носіїв. 4. Відсутність в збідненому шарі струмів генерації і постійність електронного і діркового струмів, що протікають через нього.

Слайд 19

Описание слайда:

Вольт-амперні характеристики ідеального переходу. Вольт-амперні характеристики ідеального переходу. а- лінійний масштаб; б- напівлогарифмічний масштаб.

Слайд 20

Описание слайда:

Пробій p-n переходу 1. Теплова нестійкість 2. Тунельний ефект 3. Лавинне помноження Зворотня вітка воль-амперної характеристики при тепловому пробої ( VU- напруга теплової нестійкості).

Слайд 21

Описание слайда:

Тунельний ефект Вольт-амперна характеристика переходу з тунельним пробоєм.

Слайд 22

Описание слайда:

Лавинне помноження Коефіцієнти іонізації електронів і дірок (n і p). Коефіцієнт помноження дірок- Mp. Напруга лавинного пробою це напруга, при якій Mp прагне до нескінченності. Умова пробою задається інтегралом іонізації

Слайд 23

Описание слайда:

Слайд 24

Описание слайда:

Cхемні функції

Слайд 25

Описание слайда:

Слайд 26

Описание слайда:

Стабілітрони Стабілітрони Стабілітрон- плоский діод, що працює при оберненому зміщенні в режимі пробою. Стабілізація напруги на рівні напруги пробою. Лавинний пробій- Тунельний пробій- Пробій залежить від обох механізмів-