🗊Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап

Категория: Обществознание
Нажмите для полного просмотра!
Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №1Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №2Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №3Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №4Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №5Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №6Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №7Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №8Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №9Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №10Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №11Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №12Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №13Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №14Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №15Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №16Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №17Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №18Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №19Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №20Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №21Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №22Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №23Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №24Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №25Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №26Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №27Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №28Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №29Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №30
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап. Презентация содержит 30 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного направления д.т.н., профессор Трубочкина Надежда Константиновна nadin@miem.edu.ru http://nadin.miem.edu.ru
Описание слайда:
Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного направления д.т.н., профессор Трубочкина Надежда Константиновна nadin@miem.edu.ru http://nadin.miem.edu.ru

Слайд 2


Актуальность Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на новых знаниях и предназначенные для новых производственных процессов и устройств. Промышленность и общество могут извлечь пользу из новых знаний посредством разработки новых продуктов и технологических процессов. Необходима согласованность национальных исследовательских программ и инвестиций. Это должно гарантировать обеспечение страны командами и соответствующей инфраструктурой, нацеленными на решение актуальных задач.
Описание слайда:
Актуальность Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на новых знаниях и предназначенные для новых производственных процессов и устройств. Промышленность и общество могут извлечь пользу из новых знаний посредством разработки новых продуктов и технологических процессов. Необходима согласованность национальных исследовательских программ и инвестиций. Это должно гарантировать обеспечение страны командами и соответствующей инфраструктурой, нацеленными на решение актуальных задач.

Слайд 3


Прошлое и настоящее схемотехники
Описание слайда:
Прошлое и настоящее схемотехники

Слайд 4


Настоящее и будущее схемотехники
Описание слайда:
Настоящее и будущее схемотехники

Слайд 5


Новизна Представлен новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработана соответствующая подходу схемотехника. Разработано программное обеспечение, позволяющее синтезировать новые интегральные структуры, а также «совершать экскурсию» внутрь интеллектуального кристалла и «гулять» там.
Описание слайда:
Новизна Представлен новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработана соответствующая подходу схемотехника. Разработано программное обеспечение, позволяющее синтезировать новые интегральные структуры, а также «совершать экскурсию» внутрь интеллектуального кристалла и «гулять» там.

Слайд 6


Теория Разработана переходная схемотехника для 3-d СБИС. Компонент схемотехники - физический переход между материалами с различными свойствами. Математические модели интеллектуальных элементов содержат минимальное количество переходов и физических областей с различными свойствами. Некоторые модели «совпадают» по структуре с органическими молекулами, имеющими те же логические функции.
Описание слайда:
Теория Разработана переходная схемотехника для 3-d СБИС. Компонент схемотехники - физический переход между материалами с различными свойствами. Математические модели интеллектуальных элементов содержат минимальное количество переходов и физических областей с различными свойствами. Некоторые модели «совпадают» по структуре с органическими молекулами, имеющими те же логические функции.

Слайд 7


Теоретические основы переходной схемотехники (ТОПС 1) Математической моделью функционально-интегрированного элемента (ФИЭ) является неориентированный граф G (X, А, Г), где: X = (х1, х2, …хN) – множество вершин, А = (а1,а2,…аМ) – множество ребер. Предикат Г является трехместным предикатом и описывается логическим высказыванием Г (xi, ak, xj), которое означает, что ребро aк соединяет вершины хi и xj.
Описание слайда:
Теоретические основы переходной схемотехники (ТОПС 1) Математической моделью функционально-интегрированного элемента (ФИЭ) является неориентированный граф G (X, А, Г), где: X = (х1, х2, …хN) – множество вершин, А = (а1,а2,…аМ) – множество ребер. Предикат Г является трехместным предикатом и описывается логическим высказыванием Г (xi, ak, xj), которое означает, что ребро aк соединяет вершины хi и xj.

Слайд 8


ТОПС 2 Элементу множества вершин хi соответствует часть интегральной структуры Fi Тi , в которой Тi определяет качественный состав части интегральной структуры, Fi – элемент функционального множества. Т = {Ti}(i=1,n) = (p,n,p+,n+,…SiO2, Al, Ga…) = П U Д U М – множество элементов типа частей структуры (р – полупроводниковая область р-типа, n – полупроводниковая область n-типа, SiO2 – область двуокиси кремния, Аl – область алюминия, Ga – область галия и т.д.), П – подмножество областей полупроводников, Д – подмножество областей диэлектриков, М – подмножество проводников.
Описание слайда:
ТОПС 2 Элементу множества вершин хi соответствует часть интегральной структуры Fi Тi , в которой Тi определяет качественный состав части интегральной структуры, Fi – элемент функционального множества. Т = {Ti}(i=1,n) = (p,n,p+,n+,…SiO2, Al, Ga…) = П U Д U М – множество элементов типа частей структуры (р – полупроводниковая область р-типа, n – полупроводниковая область n-типа, SiO2 – область двуокиси кремния, Аl – область алюминия, Ga – область галия и т.д.), П – подмножество областей полупроводников, Д – подмножество областей диэлектриков, М – подмножество проводников.

Слайд 9


ТОПС 3 Функциональное множество F = Fy U FH состоит из двух подмножеств: Fy = {Fyi} = (E1,…,Ek1,I1,…,Ik2,φ1,…,φk3…) подмножества управляющих воздействий в виде напряжения Еi, тока Ij, света φк и FH = {FHi} = (вх1,…,вхm,вых1,…,выхn) подмножества назначения, задающего входные и выходные функции областям из подмножества Т, по отношению к которым определяются передаточные характеристики элементов. N – число областей интегральной структуры, размерность элемента.
Описание слайда:
ТОПС 3 Функциональное множество F = Fy U FH состоит из двух подмножеств: Fy = {Fyi} = (E1,…,Ek1,I1,…,Ik2,φ1,…,φk3…) подмножества управляющих воздействий в виде напряжения Еi, тока Ij, света φк и FH = {FHi} = (вх1,…,вхm,вых1,…,выхn) подмножества назначения, задающего входные и выходные функции областям из подмножества Т, по отношению к которым определяются передаточные характеристики элементов. N – число областей интегральной структуры, размерность элемента.

Слайд 10


ТОПС 4 Элементам множества ребер ак, аi соответствуют переходы между различными частями интегральной структуры, выполняющие определенные функции, причем существуют xi, xj ( хi ≠ xj & Г (xi , ак , xj ) & Г (xj , ак , xi). Примерами переходов – компонентов переходной схемотехники – являются: Пi – Пj переход - переход между полупроводниками, например, р – n переход, переход между полупроводниками р и n типа, выполняющий диодную функцию, Пi – Дj переход - переход между полупроводником и диэлектриком, Пi – Мj переход - переход между полупроводником и металлом (диод Шоттки), переходы между прозрачными и непрозрачными слоями в оптоэлектронных элементах, мембраны в биологических элементах и т.д, Инциндентор Г (xi, ak, xj) означает, что область xi, имеет с областью xj физическую границу – переход ak.
Описание слайда:
ТОПС 4 Элементам множества ребер ак, аi соответствуют переходы между различными частями интегральной структуры, выполняющие определенные функции, причем существуют xi, xj ( хi ≠ xj & Г (xi , ак , xj ) & Г (xj , ак , xi). Примерами переходов – компонентов переходной схемотехники – являются: Пi – Пj переход - переход между полупроводниками, например, р – n переход, переход между полупроводниками р и n типа, выполняющий диодную функцию, Пi – Дj переход - переход между полупроводником и диэлектриком, Пi – Мj переход - переход между полупроводником и металлом (диод Шоттки), переходы между прозрачными и непрозрачными слоями в оптоэлектронных элементах, мембраны в биологических элементах и т.д, Инциндентор Г (xi, ak, xj) означает, что область xi, имеет с областью xj физическую границу – переход ak.

Слайд 11


ТОПС 5 Графовые модели интегральных элементов могут представлять собой деревья, а могут содержать и циклы. цепь открытий и изобретений, давших три последних поколения вычислительных машин, всего лишь начальные элементы таблицы оптимальных математических моделей элементов переходной (p-n) схемотехники.
Описание слайда:
ТОПС 5 Графовые модели интегральных элементов могут представлять собой деревья, а могут содержать и циклы. цепь открытий и изобретений, давших три последних поколения вычислительных машин, всего лишь начальные элементы таблицы оптимальных математических моделей элементов переходной (p-n) схемотехники.

Слайд 12


ТОПС 6. Генерация структур Процедура генерации структурных формул интегральных структур по математической модели элемента переходной схемотехники: а) – структурная формула элемента И-НЕ, б) – структура элемента, выполненного по эпитаксиально-nланарной технологии, в) – структурная формула И-НЕ, г) – структура элемента с локальными эпитаксиальными областями, д) – структурная формула И-НЕ, е) – структура элемента с многослойной (трехмерной) конструкцией
Описание слайда:
ТОПС 6. Генерация структур Процедура генерации структурных формул интегральных структур по математической модели элемента переходной схемотехники: а) – структурная формула элемента И-НЕ, б) – структура элемента, выполненного по эпитаксиально-nланарной технологии, в) – структурная формула И-НЕ, г) – структура элемента с локальными эпитаксиальными областями, д) – структурная формула И-НЕ, е) – структура элемента с многослойной (трехмерной) конструкцией

Слайд 13


Пример проектирования ФИЭ а) – математическая модель (объединение двух n-p-n транзисторов по эмиттерам и коллекторам), б) – вертикальная оптимальная интегральная структура, в) – вертикальная структура с разбиением вершины nвых , г) – горизонтальная структура на изоляторе
Описание слайда:
Пример проектирования ФИЭ а) – математическая модель (объединение двух n-p-n транзисторов по эмиттерам и коллекторам), б) – вертикальная оптимальная интегральная структура, в) – вертикальная структура с разбиением вершины nвых , г) – горизонтальная структура на изоляторе

Слайд 14


RS-триггер в переходной схемотехнике Уравнение синтеза RS-триггер в переходной схемотехнике: а) – структура, б) – топология
Описание слайда:
RS-триггер в переходной схемотехнике Уравнение синтеза RS-триггер в переходной схемотехнике: а) – структура, б) – топология

Слайд 15


N-разрядный регистр на RS-триггерах в переходной схемотехнике а) – уравнение синтеза, б) – ДНК, в) – интегральная структура, г) – топология одного разряда
Описание слайда:
N-разрядный регистр на RS-триггерах в переходной схемотехнике а) – уравнение синтеза, б) – ДНК, в) – интегральная структура, г) – топология одного разряда

Слайд 16


Биочипы (подобие углеродной и кремниевой переходных схемотехник) На рисунке показан синтез комплиментарной цепи ДНК из нуклеотидов, модели которых удивительно похожи на математические модели триггеров в переходной схемотехнике.
Описание слайда:
Биочипы (подобие углеродной и кремниевой переходных схемотехник) На рисунке показан синтез комплиментарной цепи ДНК из нуклеотидов, модели которых удивительно похожи на математические модели триггеров в переходной схемотехнике.

Слайд 17


Программное обеспечение (ПО 1) SGenerator – генерация 2-d интегральной структуры по математической модели ФИЭ
Описание слайда:
Программное обеспечение (ПО 1) SGenerator – генерация 2-d интегральной структуры по математической модели ФИЭ

Слайд 18


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №18
Описание слайда:

Слайд 19


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №19
Описание слайда:

Слайд 20


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №20
Описание слайда:

Слайд 21


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Моделирование 3-d наносхемотехники Россия, Москва Московский институт электроники и математики (МИЭМ) Руководитель научного нап, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Результаты Система оптимальных математических моделей интеллектуальных элементов различной степени сложности для 3-d СБИС. Моделирующее программное обеспечение. Побочный культурологический эффект: 3-d технологии в интернете (3-d сайты) http://nadin.miem.edu.ru/my_img/3d_room/3d_p_1_1.html
Описание слайда:
Результаты Система оптимальных математических моделей интеллектуальных элементов различной степени сложности для 3-d СБИС. Моделирующее программное обеспечение. Побочный культурологический эффект: 3-d технологии в интернете (3-d сайты) http://nadin.miem.edu.ru/my_img/3d_room/3d_p_1_1.html

Слайд 27


Обучение Разработан учебный курс, включающий: курс лекций, практикум по компьютерному моделированию, тестирование на сайте http://testing.miem.edu.ru методические материалы
Описание слайда:
Обучение Разработан учебный курс, включающий: курс лекций, практикум по компьютерному моделированию, тестирование на сайте http://testing.miem.edu.ru методические материалы

Слайд 28


Дополнительная литература Трубочкина Н.К. Синтез на ЭВМ функционально-интегрированных элементов. Вопросы радиоэлектроники, сер. Технология производства и оборудование, вып.1, 1985, с.20. Трубочкина Н.К. Логические элементы статических БИС. М: МИЭМ, 1987. Трубочкина Н.К. Машинное моделирование функционально-интегрированных элементов. Учебное пособие. М.: МИЭМ, 1989. Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция. Концепция. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.49-70. Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция элементов и устройств. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.70-88. Трубочкина Н.К. Схемотехника ЭВМ. М: МИЭМ, 2008.
Описание слайда:
Дополнительная литература Трубочкина Н.К. Синтез на ЭВМ функционально-интегрированных элементов. Вопросы радиоэлектроники, сер. Технология производства и оборудование, вып.1, 1985, с.20. Трубочкина Н.К. Логические элементы статических БИС. М: МИЭМ, 1987. Трубочкина Н.К. Машинное моделирование функционально-интегрированных элементов. Учебное пособие. М.: МИЭМ, 1989. Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция. Концепция. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.49-70. Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция элементов и устройств. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.70-88. Трубочкина Н.К. Схемотехника ЭВМ. М: МИЭМ, 2008.

Слайд 29


О руководителе научного направления Трубочкина Надежда Константиновна - доктор технических наук, профессор, Россия, Москва, МИЭМ, кафедра вычислительных систем и сетей. Работает в области информационных, компьютерных и интернет-технологий, занимается теоретическими разработками в области переходной схемотехники для 3-d СБИС. Автор более 80 научных работ и изобретений в области создания элементной базы и программного обеспечения для проектирования компьютерных систем. Читает лекции в Московском институте электроники и математики по компьютерной схемотехнике и Web-дизайну. Ведет курс в интернете по Flash-технологиям. Имеет сайты: http://nadin.miem.edu.ru http://distant.miem.edu.ru http://testing.miem.edu.ru
Описание слайда:
О руководителе научного направления Трубочкина Надежда Константиновна - доктор технических наук, профессор, Россия, Москва, МИЭМ, кафедра вычислительных систем и сетей. Работает в области информационных, компьютерных и интернет-технологий, занимается теоретическими разработками в области переходной схемотехники для 3-d СБИС. Автор более 80 научных работ и изобретений в области создания элементной базы и программного обеспечения для проектирования компьютерных систем. Читает лекции в Московском институте электроники и математики по компьютерной схемотехнике и Web-дизайну. Ведет курс в интернете по Flash-технологиям. Имеет сайты: http://nadin.miem.edu.ru http://distant.miem.edu.ru http://testing.miem.edu.ru

Слайд 30


Контакты: Адрес: Россия, 121109, Москва, Московский институт электроники и математики (МИЭМ), Б.Трехсвятительский пер., 3/12, кафедра «Вычислительные системы и сети» (ВСиС) Тел.: 916-8909 E-mail: nadin@miem.edu.ru flash@miem.edu.ru
Описание слайда:
Контакты: Адрес: Россия, 121109, Москва, Московский институт электроники и математики (МИЭМ), Б.Трехсвятительский пер., 3/12, кафедра «Вычислительные системы и сети» (ВСиС) Тел.: 916-8909 E-mail: nadin@miem.edu.ru flash@miem.edu.ru

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию