🗊Презентация Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №1Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №2Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №3Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №4Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №5Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №6Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №7Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №8Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №9Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №10Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №11Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №12Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №13Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №14Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №15Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №16Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №17Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №18Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №19Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №20Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №21Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №22Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №23Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №24Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №25Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №26Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №27Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №28Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №29Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №30Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №31Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №32Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №33

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия. Доклад-сообщение содержит 33 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Моделирование технологических процессов
Лекция 3
Описание слайда:
Моделирование технологических процессов Лекция 3

Слайд 2





Вопросы к экзамену
Механизмы диффузии. Уравнения диффузии примесей, макроскопическое и микроскопическое определения коэффициента диффузии. 
Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
Модель связанной диффузии, основные уравнения.
Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
Описание слайда:
Вопросы к экзамену Механизмы диффузии. Уравнения диффузии примесей, макроскопическое и микроскопическое определения коэффициента диффузии. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний. Модель связанной диффузии, основные уравнения. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.

Слайд 3





Теоретические основы процесса диффузии примесей 
 Диффузия – физический процесс, обуславливающий миграцию атомов легирующих примесей в кристаллической решетке кремния 
Диффузия приобретает направленное движение под влиянием либо градиента концентрации, либо градиента температуры (в микроэлектронном производстве градиенты температуры в подложке в качестве управляющего фактора не используются). 
Если диффундируют заряженные частицы, то на процесс диффузии влияет электрическое поле.
Описание слайда:
Теоретические основы процесса диффузии примесей Диффузия – физический процесс, обуславливающий миграцию атомов легирующих примесей в кристаллической решетке кремния Диффузия приобретает направленное движение под влиянием либо градиента концентрации, либо градиента температуры (в микроэлектронном производстве градиенты температуры в подложке в качестве управляющего фактора не используются). Если диффундируют заряженные частицы, то на процесс диффузии влияет электрическое поле.

Слайд 4





Твердые растворы на основе кремния 
В кристаллической решетке кремния в растворенном состоянии могут находиться многие химические элементы. Растворенный элемент называется замещающим, если его атомы занимают регулярные положения в узлах решетки растворителя, замещая его атомы. 
В случае, когда растворенные атомы занимают любые свободные межузельные положения в кристаллической решетке растворителя, о растворе говорят как о растворе внедрения.
Описание слайда:
Твердые растворы на основе кремния В кристаллической решетке кремния в растворенном состоянии могут находиться многие химические элементы. Растворенный элемент называется замещающим, если его атомы занимают регулярные положения в узлах решетки растворителя, замещая его атомы. В случае, когда растворенные атомы занимают любые свободные межузельные положения в кристаллической решетке растворителя, о растворе говорят как о растворе внедрения.

Слайд 5





Многие химические элементы растворяются в кремнии как в междоузельном, так и в замещающем виде. Однако отношение растворимостей в этих состояниях может изменяться на несколько порядков. 
Многие химические элементы растворяются в кремнии как в междоузельном, так и в замещающем виде. Однако отношение растворимостей в этих состояниях может изменяться на несколько порядков. 
Элементы III и V группы образуют прочные ковалентные связи с собственными атомами кристаллической решетки кремния и, соответственно, растворы замещения. В этом состоянии энергия их ионизация очень невелика, что делает их идеальными легирующими примесями в кремнии.
Описание слайда:
Многие химические элементы растворяются в кремнии как в междоузельном, так и в замещающем виде. Однако отношение растворимостей в этих состояниях может изменяться на несколько порядков. Многие химические элементы растворяются в кремнии как в междоузельном, так и в замещающем виде. Однако отношение растворимостей в этих состояниях может изменяться на несколько порядков. Элементы III и V группы образуют прочные ковалентные связи с собственными атомами кристаллической решетки кремния и, соответственно, растворы замещения. В этом состоянии энергия их ионизация очень невелика, что делает их идеальными легирующими примесями в кремнии.

Слайд 6





Механизмы диффузии 
Диффузия примесей нарушает упорядоченность решетки и представляет собой процесс, скоординированный с движением дефектов кристаллической решетки и с движением ее собственных атомов. 
Упрощенно выделяется несколько основных механизмов диффузии:
диффузия по междоузлиям;
диффузия посредством вакансий;
диффузия по междоузлиям с замещением (эстафетный механизм);
миграция по протяженным дефектам (границам зерен, дислокациям и др.)
Описание слайда:
Механизмы диффузии Диффузия примесей нарушает упорядоченность решетки и представляет собой процесс, скоординированный с движением дефектов кристаллической решетки и с движением ее собственных атомов. Упрощенно выделяется несколько основных механизмов диффузии: диффузия по междоузлиям; диффузия посредством вакансий; диффузия по междоузлиям с замещением (эстафетный механизм); миграция по протяженным дефектам (границам зерен, дислокациям и др.)

Слайд 7





Механизмы диффузии 
В настоящее время считается, что точные представления о диффузии примеси в кристаллической решетке полупроводника могут быть получены только на основе описания взаимосвязанного  процесса диффузии атомов примеси и дефектов решетки, с учетом образования комплексов дефект - атом примеси, а также с учетом возможных зарядовых состояний атомов, дефектов и комплексов.
Описание слайда:
Механизмы диффузии В настоящее время считается, что точные представления о диффузии примеси в кристаллической решетке полупроводника могут быть получены только на основе описания взаимосвязанного процесса диффузии атомов примеси и дефектов решетки, с учетом образования комплексов дефект - атом примеси, а также с учетом возможных зарядовых состояний атомов, дефектов и комплексов.

Слайд 8





Диффузия примесного атома в присутствии вакансии
Описание слайда:
Диффузия примесного атома в присутствии вакансии

Слайд 9





Уравнения диффузии
Описание слайда:
Уравнения диффузии

Слайд 10


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11





Коэффициент диффузии
Описание слайда:
Коэффициент диффузии

Слайд 12





Исследование зависимости коэффициента диффузии от температуры
Описание слайда:
Исследование зависимости коэффициента диффузии от температуры

Слайд 13





Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма
Описание слайда:
Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма

Слайд 14


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15





Изменение свободной энергии системы в процессе самодиффузии в идеализированной решетке по моновакансионному механизму
Описание слайда:
Изменение свободной энергии системы в процессе самодиффузии в идеализированной решетке по моновакансионному механизму

Слайд 16





Расчет коэффициента самодиффузии
Описание слайда:
Расчет коэффициента самодиффузии

Слайд 17


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №17
Описание слайда:

Слайд 18


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №18
Описание слайда:

Слайд 19





Изменения энергии системы в процессе диффузии бора по эстафетному механизму
Описание слайда:
Изменения энергии системы в процессе диффузии бора по эстафетному механизму

Слайд 20





Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний
Описание слайда:
Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний

Слайд 21


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №30
Описание слайда:

Слайд 31


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Лекция 3. Моделирование технологических процессов. Диффузия, слайд №33
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию