🗊Презентация Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №1Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №2Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №3Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №4Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №5Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №6Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №7Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №8Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №9Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №10Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №11Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №12Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №13Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №14Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №15Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №16Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №17Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №18Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №19Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №20Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №21Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №22Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №23Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №24Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №25Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №26Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №27Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №28Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №29Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №30Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №31Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №32Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №33Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №34Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №35Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №36Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №37Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №38Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №39Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №40Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №41
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление. Доклад-сообщение содержит 41 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Моделирование технологических процессов Лекция 7
Описание слайда:
Моделирование технологических процессов Лекция 7

Слайд 2


Вопросы к экзамену Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии. Моделирование процесса литографии. Расчет изображения на поверхности фоторезиста. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста. Моделирование процесса проявления.
Описание слайда:
Вопросы к экзамену Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии. Моделирование процесса литографии. Расчет изображения на поверхности фоторезиста. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста. Моделирование процесса проявления.

Слайд 3


Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Выбор моделей травления/осаждения
Описание слайда:
Выбор моделей травления/осаждения

Слайд 5


Примеры различных типов моделей.
Описание слайда:
Примеры различных типов моделей.

Слайд 6


Особенности использования геометрических алгоритмов
Описание слайда:
Особенности использования геометрических алгоритмов

Слайд 7


Примеры моделирования процессов травления/осаждения
Описание слайда:
Примеры моделирования процессов травления/осаждения

Слайд 8


Примеры моделирования процессов травления/осаждения
Описание слайда:
Примеры моделирования процессов травления/осаждения

Слайд 9


Алгоритм струны
Описание слайда:
Алгоритм струны

Слайд 10


Алгоритм струны (продолжение)
Описание слайда:
Алгоритм струны (продолжение)

Слайд 11


Схема расчета элементарных продвижений точек закрепления струны
Описание слайда:
Схема расчета элементарных продвижений точек закрепления струны

Слайд 12


Расчет результирующего перемещения
Описание слайда:
Расчет результирующего перемещения

Слайд 13


Расчет результирующего перемещения
Описание слайда:
Расчет результирующего перемещения

Слайд 14


Точность алгоритма продвижения струны
Описание слайда:
Точность алгоритма продвижения струны

Слайд 15


Алгоритм продвижения струны в присутствии маски
Описание слайда:
Алгоритм продвижения струны в присутствии маски

Слайд 16


Преобразования струны с добавлением новой точки
Описание слайда:
Преобразования струны с добавлением новой точки

Слайд 17


Сужение углов между сегментами
Описание слайда:
Сужение углов между сегментами

Слайд 18


Образование областей затенения
Описание слайда:
Образование областей затенения

Слайд 19


Выделение участков затенения
Описание слайда:
Выделение участков затенения

Слайд 20


Обобщенная геометрическая модель травления
Описание слайда:
Обобщенная геометрическая модель травления

Слайд 21


Результаты моделирования
Описание слайда:
Результаты моделирования

Слайд 22


Цель моделирования фотолитографии
Описание слайда:
Цель моделирования фотолитографии

Слайд 23


Основные этапы численного моделирования фотолитографии расчет распределения интенсивности света, падающего на поверхность резистивной пленки, или фронтального изображения расчет интенсивности света в пленке как функции глубины расчет нормализованной концентрации светочувствительного компонента (М) в позитивном резисте как функции координат и времени определение скорости проявления R(x,y,z) в каждой точке резистивной пленки расчет процесса проявления с использованием алгоритма продвижения струны
Описание слайда:
Основные этапы численного моделирования фотолитографии расчет распределения интенсивности света, падающего на поверхность резистивной пленки, или фронтального изображения расчет интенсивности света в пленке как функции глубины расчет нормализованной концентрации светочувствительного компонента (М) в позитивном резисте как функции координат и времени определение скорости проявления R(x,y,z) в каждой точке резистивной пленки расчет процесса проявления с использованием алгоритма продвижения струны

Слайд 24


Расчет изображения на поверхности фоторезиста
Описание слайда:
Расчет изображения на поверхности фоторезиста

Слайд 25


Распределение освещенности в плоскости фоторезиста
Описание слайда:
Распределение освещенности в плоскости фоторезиста

Слайд 26


Распределение освещенности в плоскости фоторезиста в случае точечного источника
Описание слайда:
Распределение освещенности в плоскости фоторезиста в случае точечного источника

Слайд 27


Распределение освещенности в плоскости фоторезиста для протяженного источника
Описание слайда:
Распределение освещенности в плоскости фоторезиста для протяженного источника

Слайд 28


Два фактора, приводящих к деградации изображения - дифракционные максимумы, которые уменьшаются при увеличении размера источника света; - область полутени, которая увеличивается при увеличении размера источника
Описание слайда:
Два фактора, приводящих к деградации изображения - дифракционные максимумы, которые уменьшаются при увеличении размера источника света; - область полутени, которая увеличивается при увеличении размера источника

Слайд 29


Формирование изображения на поверхности фоторезиста
Описание слайда:
Формирование изображения на поверхности фоторезиста

Слайд 30


Параметры, характеризующие маску
Описание слайда:
Параметры, характеризующие маску

Слайд 31


Параметры, характеризующие маску
Описание слайда:
Параметры, характеризующие маску

Слайд 32


Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста Полная интенсивность I0 уменьшается с глубиной в результате поглощения света резистивным материалом Отражение света от подложки вызывает наложение стоячих волн в пленке на распределение интенсивности по глубине Материал резистивного слоя претерпевает химические изменения в процесс экспонирования Распределение интенсивности по глубине меняется во времени и должно рассчитываться в каждый момент времени отдельно по каждой из имеющихся длин волн Распределение интенсивности света с длиной волны λ в пленке есть функция трех координат и времени: Iλ = Iλ(x, y, z, t)
Описание слайда:
Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста Полная интенсивность I0 уменьшается с глубиной в результате поглощения света резистивным материалом Отражение света от подложки вызывает наложение стоячих волн в пленке на распределение интенсивности по глубине Материал резистивного слоя претерпевает химические изменения в процесс экспонирования Распределение интенсивности по глубине меняется во времени и должно рассчитываться в каждый момент времени отдельно по каждой из имеющихся длин волн Распределение интенсивности света с длиной волны λ в пленке есть функция трех координат и времени: Iλ = Iλ(x, y, z, t)

Слайд 33


Физические и химические факторы, учитываемые при расчете распределения интенсивности по глубине интенсивность освещения на поверхности резистивной пленки уменьшение интенсивности с глубиной, связанное с поглощением света материалом пленки отражение света от подложки и возникновение вертикальных стоячих волн распад светочувствительного компонента в процессе экспонирования (отбеливание фоторезиста) в результате химических реакций и, как следствие, зависимость свойств материала пленки от времени
Описание слайда:
Физические и химические факторы, учитываемые при расчете распределения интенсивности по глубине интенсивность освещения на поверхности резистивной пленки уменьшение интенсивности с глубиной, связанное с поглощением света материалом пленки отражение света от подложки и возникновение вертикальных стоячих волн распад светочувствительного компонента в процессе экспонирования (отбеливание фоторезиста) в результате химических реакций и, как следствие, зависимость свойств материала пленки от времени

Слайд 34


Моделирование нестационарного процесса отбеливания материала резиста
Описание слайда:
Моделирование нестационарного процесса отбеливания материала резиста

Слайд 35


Схема алгоритма анализа прохождения света в тонких пленках
Описание слайда:
Схема алгоритма анализа прохождения света в тонких пленках

Слайд 36


Пример расчетных кривых для распределения интенсивности света в пленке фоторезиста
Описание слайда:
Пример расчетных кривых для распределения интенсивности света в пленке фоторезиста

Слайд 37


Моделирование процесса проявления
Описание слайда:
Моделирование процесса проявления

Слайд 38


Скорость травления химически однородных резистов
Описание слайда:
Скорость травления химически однородных резистов

Слайд 39


Полиномиальная аппроксимация скорости травления
Описание слайда:
Полиномиальная аппроксимация скорости травления

Слайд 40


Типичный профиль края линии в фоторезисте
Описание слайда:
Типичный профиль края линии в фоторезисте

Слайд 41


Усовершенствованные методы фотолитографии для формирования наноразмерных структур Оптическая коррекция фотошаблонов Фазовая коррекция Программные средства для моделирования: Sentaurus Lithography
Описание слайда:
Усовершенствованные методы фотолитографии для формирования наноразмерных структур Оптическая коррекция фотошаблонов Фазовая коррекция Программные средства для моделирования: Sentaurus Lithography

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию