🗊Презентация Магнетронное распыление

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Магнетронное распыление, слайд №1Магнетронное распыление, слайд №2Магнетронное распыление, слайд №3Магнетронное распыление, слайд №4Магнетронное распыление, слайд №5Магнетронное распыление, слайд №6Магнетронное распыление, слайд №7

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Магнетронное распыление. Доклад-сообщение содержит 7 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1






Студент: Афонин А.Ю.
Группа: МТ8-81
Описание слайда:
Студент: Афонин А.Ю. Группа: МТ8-81

Слайд 2





Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. 
Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. 
Технологические устройства, предназначенные для реализации этой технологии, называются магнетронными распылительными системами или магнетронами.
Описание слайда:
Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. Технологические устройства, предназначенные для реализации этой технологии, называются магнетронными распылительными системами или магнетронами.

Слайд 3





Принцип действия установки основан на торможении электронов в скрещенных электрических и магнитных полях. При подаче постоянного напряжения между мишенью и анодом возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Электрон циркулирует в электромагнитной ловушке и сталкивается с атомами рабочего газа (при это он теряет энергию). Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени. 
Принцип действия установки основан на торможении электронов в скрещенных электрических и магнитных полях. При подаче постоянного напряжения между мишенью и анодом возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Электрон циркулирует в электромагнитной ловушке и сталкивается с атомами рабочего газа (при это он теряет энергию). Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени.
Описание слайда:
Принцип действия установки основан на торможении электронов в скрещенных электрических и магнитных полях. При подаче постоянного напряжения между мишенью и анодом возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Электрон циркулирует в электромагнитной ловушке и сталкивается с атомами рабочего газа (при это он теряет энергию). Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени. Принцип действия установки основан на торможении электронов в скрещенных электрических и магнитных полях. При подаче постоянного напряжения между мишенью и анодом возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Электрон циркулирует в электромагнитной ловушке и сталкивается с атомами рабочего газа (при это он теряет энергию). Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени.

Слайд 4





При использовании разряда постоянного тока можно распылять различные металлы и их сплавы 
При использовании разряда постоянного тока можно распылять различные металлы и их сплавы 
(ванадий, хром, никель, титан, медь, серебро, нержавеющая сталь, латунь, бронза и др.),
а также получать их химические соединения, добавляя в плазмообразующий газ (аргон) соответствующие реактивные газы (кислород, азот и др.).
Так, если в содержащую титановую мишень систему во время распыления вводить азот, то можно получить пленку нитрида титана, а введение, например, кислорода, позволяет получать на поверхности подложки пленку двуокиси титана.
Варьируя содержание реактивного газа и скорость напыления, удается получать пленки разной толщины, химического и фазового состава.
Описание слайда:
При использовании разряда постоянного тока можно распылять различные металлы и их сплавы При использовании разряда постоянного тока можно распылять различные металлы и их сплавы (ванадий, хром, никель, титан, медь, серебро, нержавеющая сталь, латунь, бронза и др.), а также получать их химические соединения, добавляя в плазмообразующий газ (аргон) соответствующие реактивные газы (кислород, азот и др.). Так, если в содержащую титановую мишень систему во время распыления вводить азот, то можно получить пленку нитрида титана, а введение, например, кислорода, позволяет получать на поверхности подложки пленку двуокиси титана. Варьируя содержание реактивного газа и скорость напыления, удается получать пленки разной толщины, химического и фазового состава.

Слайд 5





Адгезия металлических слоев с подложкой у пленок, полученных магнетронным способом, существенно выше, чем у таких же пленок, полученных другими способами. Это связано с более высокой энергией конденсирующихся частиц при магнетронном распылении и дополнительной активацией поверхности действием плазмы.
Адгезия металлических слоев с подложкой у пленок, полученных магнетронным способом, существенно выше, чем у таких же пленок, полученных другими способами. Это связано с более высокой энергией конденсирующихся частиц при магнетронном распылении и дополнительной активацией поверхности действием плазмы.
В отличие от других способов нанесения тонкопленочных покрытий, способ магнетронного распыления позволяет достаточно тонко регулировать толщину металлического слоя, а значит, его сопротивление, что очень важно при создании структур с определенной проводимостью.
Метод магнетронного распыления позволяет получать тонкие пленки высокого качества с рекордными физическими характеристиками (толщина, пористость, адгезия и пр.), а также проводить послойный синтез новых структур (структурный дизайн), создавая пленку буквально на уровне атомных плоскостей.
Описание слайда:
Адгезия металлических слоев с подложкой у пленок, полученных магнетронным способом, существенно выше, чем у таких же пленок, полученных другими способами. Это связано с более высокой энергией конденсирующихся частиц при магнетронном распылении и дополнительной активацией поверхности действием плазмы. Адгезия металлических слоев с подложкой у пленок, полученных магнетронным способом, существенно выше, чем у таких же пленок, полученных другими способами. Это связано с более высокой энергией конденсирующихся частиц при магнетронном распылении и дополнительной активацией поверхности действием плазмы. В отличие от других способов нанесения тонкопленочных покрытий, способ магнетронного распыления позволяет достаточно тонко регулировать толщину металлического слоя, а значит, его сопротивление, что очень важно при создании структур с определенной проводимостью. Метод магнетронного распыления позволяет получать тонкие пленки высокого качества с рекордными физическими характеристиками (толщина, пористость, адгезия и пр.), а также проводить послойный синтез новых структур (структурный дизайн), создавая пленку буквально на уровне атомных плоскостей.

Слайд 6





Преимущества:
Преимущества:
Плотная микро- (нано-) кристаллическая структура металлических и керамических покрытий 
Возможность нанесения покрытий на термочувствительные материалы при низких температурах
Широкий спектр покрытий различного назначения;
Высокая скорость осаждения;
Высокие свойства металлических и керамических покрытий
Недостатки:
Относительная сложность технической реализации метода при получении реактивных (керамических) покрытий;
Относительно высокая стоимость оборудования
Описание слайда:
Преимущества: Преимущества: Плотная микро- (нано-) кристаллическая структура металлических и керамических покрытий Возможность нанесения покрытий на термочувствительные материалы при низких температурах Широкий спектр покрытий различного назначения; Высокая скорость осаждения; Высокие свойства металлических и керамических покрытий Недостатки: Относительная сложность технической реализации метода при получении реактивных (керамических) покрытий; Относительно высокая стоимость оборудования

Слайд 7


Магнетронное распыление, слайд №7
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию