🗊Презентация Модели расчета биполярных транзисторов VBIC, HICUM, MEXTRAM

Модели расчета биполярных транзисторов VBIC, HICUM, MEXTRAM Выполнил: ст. гр. ЭЭМО-02-16 Савельев Д.В.

Эквивалентная схема VBIC при большом сигнале

Эквивалентная схема HICUM при большом сигнале

Эквивалентная схема MEXTRAM при большом сигнале

Прямой и обратный токи

Заряд базы VBIC Нормированный заряд (отношение полного заряда основных НЗ в базе к встроенному заряду НЗ в базе, состоит из q1, учитывающего эффект Эрли, и q2, учитывающего большую инжекцию. q1 нормированный заряд qjbe и qjbc. Также используется параметр NKF для лучшей симуляции отрицательного наклона коэффициента усиления по току. HICUM Используется абсолютное значение заряда Qpt, компоненты времени переноса заряда Tft. В него входят компонента зависящая от напряжения Tf0, позволяющая учитывать эффект Эрли, и компонента зависящая от тока, позволяющая учитывать эффект насыщения скорости дрейфа НЗ в ОПЗ. MEXTRAM Используется нормированное значение заряда. Q2 рассчитывается с помощью концентрации электронов, нормированной на ток в точке перегиба ВАХ.

Ток базы VBIC Используется разделение тока базы на внутренний и внешний, как и в других моделях. Эти компоненты рассчитываются с помощью введения параметра WBE. Компоненты туннельного тока имеют экспоненциальную зависимость. Внутренний ток кб определяется в главном npn транзисторе, а внешний определяется как ток базы паразитного pnp транзистора. HICUM Внутренние и внешние компоненты содержат неидеальности. MEXTRAM Используется коэффициент усиления по току. Для расчета идеальной составляющей тока используется разделяющий параметр Ib1, для расчета неидеальной составляющей Ib2 не используется. Для расчета тока кб используются идеальные компоненты Iex, XIEx, определяемые узлами В и В1. Неидеальная компонента, определяемая В1 и неразделенная.

Сопротивление базы VBIC Сопротивление активной базы модулируется только нормированным зарядом. Сопротивление базы на схеме представлено двумя резисторами: постоянный резистор RBX представляет сумму сопротивлений контакта к базе и пассивной базы, а переменный резистор RBI - переменное сопротивление активной базы. Таким образом косвенно учитывается эффект оттеснения тока. HICUM переменное сопротивление базы представлено на эквивалентной схеме двумя отдельными резисторами: rBx и rBi. rBx - суммарное сопротивление пассивной базы и контакта к базе, а rBi – сопротивление активной базы, зависящее от концентрации носителей заряда в базе, поверхностного сопротивления и геометрических размеров активной базы, эффекта оттеснения тока в переходе эмиттер-база. Модель предоставляет наибольшее количество параметров для описания эффекта модуляции ширины базы, что позволяет точнее подогнать характеристики под эксперимент. MEXTRAM Включается так же параметр модели – сопротивление активной базы при нулевых напряжениях на переходах. Сопротивление постоянного и переменного тока вычисляются одновременно.

Паразитные эффекты VBIC Введены дополнительные емкости QBCP и QBEP, которые учитывают только паразитные емкости перекрытия поликремниевых слоев. HICUM включены как внутренние, так и внешние паразитные емкости. Однако, в эквивалентной схеме внутренний QBCx и внешний QBC’x составляющие паразитных емкостей представлены отдельными конденсаторами. MEXTRAM в эквивалентную схему входят дополнительные элементы QBE0 и QBC0, включающие в себя сумму внутренних и внешних паразитных емкостей транзисторной структуры.