Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение

Нажмите для полного просмотра!

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №2

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №3

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №4

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №5

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №6

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №7

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение, слайд №8

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение. Доклад-сообщение содержит 8 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Монокристаллы CdTe и твердые растворы на его основе. Свойства, получение, применение Горохова Е.О.

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Структура Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита Модификации: метастабильная гексагональная типа вюрцита; кубическая типа NaCl, существующая при давлениях выше 2,1 Гпа гексагональная типа b-Sn, устойчивая при давлениях выше 10 ГПа При 1017 °С и 2,1 ГПа сосуществуют жидкий и твердый CdTe с кристаллич. решетками типов сфалерита и NaCl

Слайд 4

Описание слайда:

Структура сфалерита

Слайд 5

Описание слайда:

С кристаллической решеткой типа сфалерита tпл.= 1092 °С плотн. 5,86 г/см3 С0р 50,2 Дж/(моль.К) DH0пл 44,4 кДж/моль DH0возг 192 кДж/моль DH0обр - 100,4 кДж/моль DG0обр - 98,55 кДж/моль ур-ние температурной зависимости давления пара (в Па): lgp = - 10030/T + 11,86 (822-1197 К) температурный коэф. линейного расширения (5,0-5,5).10-6 К-1

Слайд 6

Описание слайда:

Свойства CdTe CdTe – полупроводник при 300 К ширина запрещенной зоны 1,5 эВ эффективная масса электронов проводимости me = 0,14m0 дырок тр = 0,35m0 (m0 - масса своб. электрона) подвижность электронов 1050 см2/(В.с) CdTe при испарении диссоциирует на Cd и Te2 Р-римость (в ат. %): Cd - 0,1 (550 °С), 0,03 (850°С); Те - 0,03 (850°С) Не растворим в воде, разлагается конц. соляной к-той, HNO3 и H2SO4 Токсичен

Слайд 7

Описание слайда:

Получение Выращивают осаждением из газовой фазы или из р-ра в расплаве Cd и Те. Современные методы выращивания кристаллов теллурида цинка-кадмия: - зонная плавка; - способ Бриджмена при высоком и низком давлении инертного газа; - из паровой фазы

Слайд 8

Описание слайда:

Применение Материал: фоторезисторов, Фотодиодов солнечных батарей детекторов ядерных излучений Видиконов Радиолокационной техники Элементов инфракрасной оптики