Нанотехнологияның пайда болуы - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №10

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №11

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №12

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №13

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №14

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №15

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №16

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №17

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №18

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №19

Нанотехнологияның пайда болуы, слайд №20

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Нанотехнологияның пайда болуы. Доклад-сообщение содержит 20 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Пленка

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Лэнгмюр-Блоджетт пленкасы

Слайд 6

Описание слайда:

Сипаттамасы: Бұл әдіс Нобель сыйлығының лауреаты Ленгмюрмен 1920 жылы ұсынылған және 1935 жылы оның әріптесі Блоджетпен ары қарай дамытылған. Ленгмюр-Блоджет ваннасының көмегімен сұйық фаза бетіндегі пленканы қатты бетке ауыстырады. Нәтижесінде, молекулярлы қабаттар саны реттелген ұйымдасқан нанопленка алынады.Судың беттік қабатында металл иондары мен оның комплекстері кіре алатын Беттік Активті Зат моноқабаты қалыптасады. Судың бетіне амфифильді қоспадағы (БАЗ) ерітнндіні бұркиміз. Амфифильді қоспа – сулы және сулы емес ерітінділерде ассоциаттар түзе алатын молекулалары полярлы және неполярлы топтарға ие. Амфифильді қоспалар – әр түрлі бет деңгейлерінде активті болып келеді және ерітіндіде агрегаттар түзе алады. Бұл БАЗ қа сай, көптеген процестерде кең қолданылады. Заттың мөлшері оның моноқабатының ауданы Ленгмюр ваннасының жұмыс бетінің ауданынан аспау керек.

Слайд 7

Описание слайда:

Моноқабатты сұйық кристалды күйге ауыстыру үшін және оны қатты төсеніштің бетіне көшіру үшін жүзбелі тосқауыл арқылы беттік қысым беріледі. Бұл қысым арнайы таразылармен бақыланады. Ары қарай микрометрлік өлшем бойынша моноқабықша жанынан см/мин тен см/сек ке дейінгі жылдамдықпен төсеніш төмен түсіріледі немесе жоғары көтеріледі. Әр қабықшаны төсеу алдында бұл пленкада қысымды ұстап тұру үшін тосқауыл автоматты түрде солға қарай жылжиды,. Моноқабатты сұйық кристалды күйге ауыстыру үшін және оны қатты төсеніштің бетіне көшіру үшін жүзбелі тосқауыл арқылы беттік қысым беріледі. Бұл қысым арнайы таразылармен бақыланады. Ары қарай микрометрлік өлшем бойынша моноқабықша жанынан см/мин тен см/сек ке дейінгі жылдамдықпен төсеніш төмен түсіріледі немесе жоғары көтеріледі. Әр қабықшаны төсеу алдында бұл пленкада қысымды ұстап тұру үшін тосқауыл автоматты түрде солға қарай жылжиды,.

Слайд 8

Описание слайда:

Моноқабықшаларды төсенішке тұндыру ерітінді температурасына және рН көрсеткішіне тәуелді. Төсеніштің орнын жылжыту бағытына қарай Л-Б пленкасы әр түрлі молекулярлы ориентациямен түзіледі. Төсенішті төменге қарай жылжытқанда Қатты гидрофобты бетте төсенішке БАЗ гидрофобты хвосттарымен бағытталған монослой қалыптасады, бұл Х-типті құрылымды түзеді (а), ал гидрофильді төсенішті жоғары қарай жылжытұда Z –типті құрылым қалыптасады. Моноқабықшаларды төсенішке тұндыру ерітінді температурасына және рН көрсеткішіне тәуелді. Төсеніштің орнын жылжыту бағытына қарай Л-Б пленкасы әр түрлі молекулярлы ориентациямен түзіледі. Төсенішті төменге қарай жылжытқанда Қатты гидрофобты бетте төсенішке БАЗ гидрофобты хвосттарымен бағытталған монослой қалыптасады, бұл Х-типті құрылымды түзеді (а), ал гидрофильді төсенішті жоғары қарай жылжытұда Z –типті құрылым қалыптасады.