Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2)

Нажмите для полного просмотра!

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №2

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №3

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №4

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №5

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №6

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №7

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №8

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №9

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №10

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №11

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №12

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №13

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №14

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №15

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №16

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №17

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №18

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №19

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №20

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №21

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №22

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №23

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №24

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №25

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №26

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №27

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №28

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №29

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №30

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №31

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №32

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №33

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №34

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №35

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №36

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №37

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №38

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №39

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №40

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №41

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №42

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №43

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №44

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №45

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №46

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №47

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №48

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №49

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №50

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №51

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №52

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №53

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №54

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №55

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №56

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №57

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №58

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №59

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №60

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №61

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №62

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №63

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №64

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №65

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №66

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2), слайд №67

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2). Доклад-сообщение содержит 67 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция 2 Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора

Слайд 2

Описание слайда:

Зависимость выхода годных Y от минимального размера L м

Слайд 3

Описание слайда:

Закон сохранения выхода годных

Слайд 4

Описание слайда:

1. Ограничения, связанные с дисперсией размеров пыли Зависимость числа осажденных пылинок от их размера Долят в общем объеме воздуха

Слайд 5

Описание слайда:

Зависимость числа осажденных пылинок от их размера Доля в общем количестве 1/Rт т – технологический фактор Размер пылинки

Слайд 6

Описание слайда:

Влияние размера дефекта и элемента на отказ ИС

Слайд 7

Описание слайда:

Влияние размеров дефектов на степень интеграции ИС

Слайд 8

Описание слайда:

Учет влияния дисперсии размеров дефектов на выход годных ИС. Y = exp (- AэМD0 ). Если D0 = D /lт где D – constant, l – минимальный топологический размер. т – технологический фактор, и Аэ = l2N , где N – число квадратов со стороною l , определяющих площадь элемента и тогда Y = exp (- l2NMD/lт ) = exp (- NMD/lт-2 ) Рациональный путь повышения М – увеличение значения технологического фактора - т!

Слайд 9

Описание слайда:

2. Приборные (параметрические ) ограничения

Слайд 10

Описание слайда:

Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала

Слайд 11

Описание слайда:

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Слайд 12

Описание слайда:

Логика закона масштабирования

Слайд 13

Описание слайда:

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Слайд 14

Описание слайда:

Пороговое напряжение МОП-транзистора Выравнивание зон Обеднение Инверсия = + + 2

Слайд 15

Описание слайда:

Логика закона масштабирования

Слайд 16

Описание слайда:

Пороговое напряжение МОП-транзистора Выравнивание зон Обеднение Инверсия = + + 2

Слайд 17

Описание слайда:

Логика закона масштабирования

Слайд 18

Описание слайда:

Логика закона масштабирования

Слайд 19

Описание слайда:

Влияние масштабирования на параметры ИС K - коэффициент масштабирования, Е - constant Lk, Wк, Xок , Wмс, Hpn 1/k Nп k Uст 1/k E 1 ! Iст 1/k ( на один транзистор) tз 1/k ! P 1/k2 (на один транзистор) ! Ptз 1/k3 ( энергия затрачиваемая на операцию с 1 битом ) Rмс K ( при уменьшении лишь ширины дорожки межсоединений) Cмс 1/k Tз мс (Rм Cм) 1 !

Слайд 20

Описание слайда:

График закона масштабирования

Слайд 21

Описание слайда:

Ограничение графика закона масштабирования

Слайд 22

Описание слайда:

3. Физические ограничения Подзатворный диэлектрик – основная проблема уменьшения размеров МОП транзистора

Слайд 23

Описание слайда:

Зависимость величины туннельного тока через диэлектрик от напряжения на затворе

Слайд 24

Описание слайда:

Зависимость ширины и длины канала от толщины подзатворного оксида кремния

Слайд 25

Описание слайда:

Изменение толщины подзатворного диэлектрика

Слайд 26

Описание слайда:

Использование альтернативных диэлектриков Эффективная толщина подзатворного диэлектрика Тэ = Тд кок / кд Тэ - эффективная толщина подзатворного диэлектрика Tд – толщина альтернативного диэлектрика кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния

Слайд 27

Описание слайда:

Влияние диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика на физическую толщину подзатворного диэлектрика

Слайд 28

Описание слайда:

Микрофотография структуры с оксидом гафния

Слайд 29

Описание слайда:

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Слайд 30

Описание слайда:

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Слайд 31

Описание слайда:

Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок + - t + - tот = J-n где tот - время до отказа ( час ), J – плотность тока ( А/см2), n - коэффициент ( 1 – при малом токе, 3 – при большом токе). При J = 106 А/см2 , tот= 3 месяца.

Слайд 32

Описание слайда:

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

Слайд 33

Описание слайда:

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

Слайд 34

Описание слайда:

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Слайд 35

Описание слайда:

Ограничения, связанные с отводом тепла Максимальная отводимая мощность 20 Вт/ ( воздушное охлаждение) Максимальная степень интеграции М = 2х20Вт/1мкВт = 4х !

Слайд 36

Описание слайда:

Предельные значения физических параметров

Слайд 37

Описание слайда:

График закона масштабирования с учетом физических ограничений

Слайд 38

Описание слайда:

Ограничения уменьшения размеров традиционного МОП транзистора

Слайд 39

Описание слайда:

4. Технологические ограничения, связанные с процессом совмещения при литографии

Слайд 40

Описание слайда:

Установка совмещения и экспонирования на участке фотолитографии

Слайд 41

Описание слайда:

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Слайд 42

Описание слайда:

Масштабируемость ПДР

Слайд 43

Описание слайда:

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Слайд 44

Описание слайда:

Слайд 45

Описание слайда:

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

Слайд 46

Описание слайда:

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Слайд 47

Описание слайда:

Причина немасштабируемости линии при литографии М

Слайд 48

Описание слайда:

Методы самосовмещения в технологии ИС Self Aligned PSA, APSA, NSA, QSA, SST, VIST. SWAMI. SICOS

Слайд 49

Описание слайда:

Самосовмещение с разнотолщинной маской с использованием открытого травления

Слайд 50

Описание слайда:

Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния (N в кремнии/N в оксиде)

Слайд 51

Описание слайда:

Инверсионный канал по краю кармана р-типа

Слайд 52

Описание слайда:

Распределение примеси по глубине при ионной имплантации

Слайд 53

Описание слайда:

Самосовмещение с разнотолщиной маской с использованием ионной имплантации 1018 1017

Слайд 54

Описание слайда:

Самосовмещение с помощью твердой маски

Слайд 55

Описание слайда:

Самосовмещение с использованием электродов в качестве маски

Слайд 56

Описание слайда:

Самосовмещение с использованием легированного поликремниевого электрода

Слайд 57

Описание слайда:

Самосовмещение с помощью «спейсеров»

Слайд 58

Описание слайда:

Самосовмещение с использованием Lift off («взрывной») технологии

Слайд 59

Описание слайда:

Самосовмешение с использованием бокового подтравливания и «взрывной» технологии

Слайд 60

Описание слайда:

Перекрестная металлизация Фотолитографии 1. Вскрытие окон под диффузию 2.Формирование М1 3. Вскрытие окон под контакты 4.Формирование М2

Слайд 61

Описание слайда:

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации В скобках специфические травители

Слайд 62

Описание слайда:

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации Последовательное травление окон в слоях и боковое подтравливание в специфических травителях и удаление фоторезиста