🗊Презентация Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10)

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №1Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №2Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №3Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №4Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №5Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №6Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №7Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №8Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №9Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №10Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №11Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №12Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №13Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №14Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №15Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №16Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №17Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №18Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №19Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №20Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №21Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №22Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №23Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №24Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №25Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №26Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №27Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №28Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №29Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №30Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №31Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №32Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №33Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №34Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №35Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №36Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №37Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №38Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №39
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10). Доклад-сообщение содержит 39 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 10 Енергонезалежні елементи памяті Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Описание слайда:
ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 10 Енергонезалежні елементи памяті Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Прилади з плаваючим затвором
Описание слайда:
Прилади з плаваючим затвором

Слайд 4


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10


МДОН структури
Описание слайда:
МДОН структури

Слайд 11


Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10), слайд №11
Описание слайда:

Слайд 12


Evolution-1 Floating-gate No principal changes
Описание слайда:
Evolution-1 Floating-gate No principal changes

Слайд 13


1.2. Advantages and Disadvantages Floating-gate Advantages 1. Developed technology (CMOS compatibility) 2. Long data retention Disadvantages 1. Limitation of scale down 2. Low reliability 3. Low radiation hardness
Описание слайда:
1.2. Advantages and Disadvantages Floating-gate Advantages 1. Developed technology (CMOS compatibility) 2. Long data retention Disadvantages 1. Limitation of scale down 2. Low reliability 3. Low radiation hardness

Слайд 14


Evolution- 2 Floating-gate – Nanocrystal memory Nanocrystal memory
Описание слайда:
Evolution- 2 Floating-gate – Nanocrystal memory Nanocrystal memory

Слайд 15


1.3. Nanocrystal memory Main idea: The continuous poly-Si Floating gate is replaced on discontinuous Si nanocrystals (discontinuous floating gate)
Описание слайда:
1.3. Nanocrystal memory Main idea: The continuous poly-Si Floating gate is replaced on discontinuous Si nanocrystals (discontinuous floating gate)

Слайд 16


Nanocrystal memory Energy band diagram during injection (a), store (b), and removal (c) of an electron from a nanocrystal.
Описание слайда:
Nanocrystal memory Energy band diagram during injection (a), store (b), and removal (c) of an electron from a nanocrystal.

Слайд 17


1.3.1. Why nanocrystal memory? 1. CMOS compatibility 2. High integrity (scaling down) 3. Faster (high speed of write/erase) 4. High injection efficiency 5. Consumption of lower power 6. Low voltage operation 7. High stability 8. High reliability 9. Much smaller degradation 10. Potential application for multilevel memory and logic 11. Novel Si functional devices
Описание слайда:
1.3.1. Why nanocrystal memory? 1. CMOS compatibility 2. High integrity (scaling down) 3. Faster (high speed of write/erase) 4. High injection efficiency 5. Consumption of lower power 6. Low voltage operation 7. High stability 8. High reliability 9. Much smaller degradation 10. Potential application for multilevel memory and logic 11. Novel Si functional devices

Слайд 18


High integrity (scaling down) Floating-gate 1. Poly-Si cannot be used with very thin tunnel oxide-scaling problem 2. Single leakage path in poly-Si can be discharge the memory with loss the information 3. Stress induced leakage current (SILC)
Описание слайда:
High integrity (scaling down) Floating-gate 1. Poly-Si cannot be used with very thin tunnel oxide-scaling problem 2. Single leakage path in poly-Si can be discharge the memory with loss the information 3. Stress induced leakage current (SILC)

Слайд 19


High stability / High reliability
Описание слайда:
High stability / High reliability

Слайд 20


Low voltage operation / Consumption of lower power / Faster / Much smaller degradation / High injection efficiency Hot carrier injection / Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling (do<4.5 nm)
Описание слайда:
Low voltage operation / Consumption of lower power / Faster / Much smaller degradation / High injection efficiency Hot carrier injection / Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling (do<4.5 nm)

Слайд 21


Fowler-Nordheim – Direct tinneling(1) Hot carrier injection (1) / Fowler-Nordheim tunneling (2) Direct tunneling (do<4.5 nm) (3)
Описание слайда:
Fowler-Nordheim – Direct tinneling(1) Hot carrier injection (1) / Fowler-Nordheim tunneling (2) Direct tunneling (do<4.5 nm) (3)

Слайд 22


Fowler-Nordheim – Direct tinneling(2) Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling
Описание слайда:
Fowler-Nordheim – Direct tinneling(2) Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling

Слайд 23


Potential application for multilevel memory and logic
Описание слайда:
Potential application for multilevel memory and logic

Слайд 24


Novel Si functional devices 1. Nanocrystal memory- quantum dot floating gate memory 2. Single electron transistors 3. Resonant tunneling devices
Описание слайда:
Novel Si functional devices 1. Nanocrystal memory- quantum dot floating gate memory 2. Single electron transistors 3. Resonant tunneling devices

Слайд 25


Comparison of non-volatile memories EEPROM FN – Tunneling e- in floating gate dox8…10 nm Vw/e12…20 V Endurance 104…106 Retention: 10 years
Описание слайда:
Comparison of non-volatile memories EEPROM FN – Tunneling e- in floating gate dox8…10 nm Vw/e12…20 V Endurance 104…106 Retention: 10 years

Слайд 26


Requirements for NC’s used for NC Memory 1. Near-Interface NC-Band 2. NC-Size: 3...8 nm 5 nm (NCs separated to each others) 3. Distance to Substrate: 3 – 5 nm (NCs separated to the substrate) 4. Areal density (5-10)x1011 cm-2 Size homogeneity of Si nanoclusters is very important Self assembly is promising process to achieve Si nanoparticle size uniformity and high areal density
Описание слайда:
Requirements for NC’s used for NC Memory 1. Near-Interface NC-Band 2. NC-Size: 3...8 nm 5 nm (NCs separated to each others) 3. Distance to Substrate: 3 – 5 nm (NCs separated to the substrate) 4. Areal density (5-10)x1011 cm-2 Size homogeneity of Si nanoclusters is very important Self assembly is promising process to achieve Si nanoparticle size uniformity and high areal density

Слайд 27


Requirements for NC’s used for NC Memory Improved device performance and reliability depends upon: 1. Ability to control cluster core size 2. Cluster size distribution 3. Crystallinity 4. Areal particle density 5. Oxide passivation quality 6. Crystal-to-crystal insulation
Описание слайда:
Requirements for NC’s used for NC Memory Improved device performance and reliability depends upon: 1. Ability to control cluster core size 2. Cluster size distribution 3. Crystallinity 4. Areal particle density 5. Oxide passivation quality 6. Crystal-to-crystal insulation

Слайд 28


1.3.2. New physics Quantum confinement effect 3- dimensional system (3D) 2- dimensional system (2D) 1- dimensional system (1D) 0- dimensional system (0D)
Описание слайда:
1.3.2. New physics Quantum confinement effect 3- dimensional system (3D) 2- dimensional system (2D) 1- dimensional system (1D) 0- dimensional system (0D)

Слайд 29


Quantum confinement effect
Описание слайда:
Quantum confinement effect

Слайд 30


Quantum confinement effect Energy spectrum
Описание слайда:
Quantum confinement effect Energy spectrum

Слайд 31


Quantum confinement effect In case of spherical nanoparticles (nanocrystals)
Описание слайда:
Quantum confinement effect In case of spherical nanoparticles (nanocrystals)

Слайд 32


Coulomb blockade effect The effect of blocking the injection of a second charge into a semiconductor under a certain electric field, due to modification of the electrostatic potential within it by the present of a first injected charge. Injection of a second charge needs to overcome the semiconductor charging energy.
Описание слайда:
Coulomb blockade effect The effect of blocking the injection of a second charge into a semiconductor under a certain electric field, due to modification of the electrostatic potential within it by the present of a first injected charge. Injection of a second charge needs to overcome the semiconductor charging energy.

Слайд 33


Coulomb blockade effect [2]. I. Kim et al. Jpn. J. Appl. Phys..40, 447-451, 2001.
Описание слайда:
Coulomb blockade effect [2]. I. Kim et al. Jpn. J. Appl. Phys..40, 447-451, 2001.

Слайд 34


Coulomb blockade effect Conclusions 2. 1. The electrons already transferred to the nanocrystals block the transfer of other electrons. 2. Single electron effects are expected to be observed at room temperature for nanocrystals with diameter up to >10 nm (Ee+E12>kT).
Описание слайда:
Coulomb blockade effect Conclusions 2. 1. The electrons already transferred to the nanocrystals block the transfer of other electrons. 2. Single electron effects are expected to be observed at room temperature for nanocrystals with diameter up to >10 nm (Ee+E12>kT).

Слайд 35


Single electron transistor Quantum confinement effect + Coulomb blockade effect ___________________________ Single electron charging effects ___________________________ Single electron transistor
Описание слайда:
Single electron transistor Quantum confinement effect + Coulomb blockade effect ___________________________ Single electron charging effects ___________________________ Single electron transistor

Слайд 36


Single electron transistor Fabrication route of forming high-density of small and uniform in size nanocrystals is an important issue to be resolved before the practical application of single electron phenomena
Описание слайда:
Single electron transistor Fabrication route of forming high-density of small and uniform in size nanocrystals is an important issue to be resolved before the practical application of single electron phenomena

Слайд 37


1.3.5. Parameters Vw/e2…4 V Endurance >106…1010 Retention: >10 years
Описание слайда:
1.3.5. Parameters Vw/e2…4 V Endurance >106…1010 Retention: >10 years

Слайд 38


1.4. Conclusions 1. Nanocrystal floating gate memory is a perspective candidate for the future scaled flash memory 2. Nanocrystal memory is intermediate between present floating gate nonvolatile memory and single electron memory
Описание слайда:
1.4. Conclusions 1. Nanocrystal floating gate memory is a perspective candidate for the future scaled flash memory 2. Nanocrystal memory is intermediate between present floating gate nonvolatile memory and single electron memory

Слайд 39


Дякую за увагу!
Описание слайда:
Дякую за увагу!

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию