🗊Презентация Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8)

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №1Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №2Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №3Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №4Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №5Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №6Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №7Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №8Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №9Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №10Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №11Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №12Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №13Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №14Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №15Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №16Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №17Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №18Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №19Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №20Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №21Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №22Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №23Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №24Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №25Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №26Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №27Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №28Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №29Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №30Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №31Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №32Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №33Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №34Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №35Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №36Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №37
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8). Доклад-сообщение содержит 37 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Лекция №8 Тема: Основные группы полупроводниковых материалов 1. Простые полупроводники 2. Полупроводниковые соединения
Описание слайда:
Лекция №8 Тема: Основные группы полупроводниковых материалов 1. Простые полупроводники 2. Полупроводниковые соединения

Слайд 2


Классификация полупроводников
Описание слайда:
Классификация полупроводников

Слайд 3


Способы получения монокристаллов полупроводников 1. Вытягивание из расплава по методу Чохральского. 2. Метод бестигельной зонной плавки. 3. Кристаллизация из газовой фазы с использованием методов сублимации из газовой фазы и химических транспортных реакций (CdS, ZnS, SiC).
Описание слайда:
Способы получения монокристаллов полупроводников 1. Вытягивание из расплава по методу Чохральского. 2. Метод бестигельной зонной плавки. 3. Кристаллизация из газовой фазы с использованием методов сублимации из газовой фазы и химических транспортных реакций (CdS, ZnS, SiC).

Слайд 4


Простые полупроводники 1. Германий 1s22s22p63s23p63d104s24p2 GeCl4 +2H2O  GeO2 + 4HCl GeO2 +2H2  Ge+2H2O
Описание слайда:
Простые полупроводники 1. Германий 1s22s22p63s23p63d104s24p2 GeCl4 +2H2O  GeO2 + 4HCl GeO2 +2H2  Ge+2H2O

Слайд 5


Алмазоподобная кубическая гранецентрированная решетка германия и кремния
Описание слайда:
Алмазоподобная кубическая гранецентрированная решетка германия и кремния

Слайд 6


Основные свойства германия и кремния
Описание слайда:
Основные свойства германия и кремния

Слайд 7


Кремний 1s22s22p63s23p2
Описание слайда:
Кремний 1s22s22p63s23p2

Слайд 8


Основные параметры кремния
Описание слайда:
Основные параметры кремния

Слайд 9


Механические свойства кремния
Описание слайда:
Механические свойства кремния

Слайд 10


Теплопроводность кремния
Описание слайда:
Теплопроводность кремния

Слайд 11


Способы получения 1. Метод Чохральского SiO2 + 2C  Si + 2CO, Т 2000С
Описание слайда:
Способы получения 1. Метод Чохральского SiO2 + 2C  Si + 2CO, Т 2000С

Слайд 12


Метод бестигельной зонной плавки
Описание слайда:
Метод бестигельной зонной плавки

Слайд 13


Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава
Описание слайда:
Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава

Слайд 14


Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15


Вид слитка после процесса выращивания
Описание слайда:
Вид слитка после процесса выращивания

Слайд 16


Промышленная установка для полировки кремниевых подложек диаметром 300 мм
Описание слайда:
Промышленная установка для полировки кремниевых подложек диаметром 300 мм

Слайд 17


Маркировка кремниевых подложек в зависимости от кристаллографической ориентации и типа легирования
Описание слайда:
Маркировка кремниевых подложек в зависимости от кристаллографической ориентации и типа легирования

Слайд 18


Удельное сопротивление кремния в зависимости от концентрации легирующей примеси
Описание слайда:
Удельное сопротивление кремния в зависимости от концентрации легирующей примеси

Слайд 19


Нанесение покрытий методом центрифугирования Нанесение покрытий методом центрифугирования (spin-on)
Описание слайда:
Нанесение покрытий методом центрифугирования Нанесение покрытий методом центрифугирования (spin-on)

Слайд 20


Полупроводниковые соединения группы АIIIВV
Описание слайда:
Полупроводниковые соединения группы АIIIВV

Слайд 21


Примеси в соединениях AIIIBV Элементы II – Be, Mg, Zn, Cd – акцепторы Замещают узлы металлического компонента Элементы VI – S, Se, Te – доноры Замещают узлы элемента BV Элементы IV Замещают узлы как AIII, так и BV
Описание слайда:
Примеси в соединениях AIIIBV Элементы II – Be, Mg, Zn, Cd – акцепторы Замещают узлы металлического компонента Элементы VI – S, Se, Te – доноры Замещают узлы элемента BV Элементы IV Замещают узлы как AIII, так и BV

Слайд 22


Арсенид галлия GaAs Ширина запрещенной зоны - 1,43 эВ Подвижность электронов - 0,85 м2/Вс Концентрация электронов - 1022м-3 Предельная рабочая температура - 450С Акцепторы – Zn, Cd, Cu Доноры – S,Se, элементы IV
Описание слайда:
Арсенид галлия GaAs Ширина запрещенной зоны - 1,43 эВ Подвижность электронов - 0,85 м2/Вс Концентрация электронов - 1022м-3 Предельная рабочая температура - 450С Акцепторы – Zn, Cd, Cu Доноры – S,Se, элементы IV

Слайд 23


Антимонид индия InSb Ширина запрещенной зоны - 0,17 эВ Подвижность электронов - 7,7 м2/Вс Собственная проводимость при комнатной температуре В области примесной проводимости материал близок к вырождению
Описание слайда:
Антимонид индия InSb Ширина запрещенной зоны - 0,17 эВ Подвижность электронов - 7,7 м2/Вс Собственная проводимость при комнатной температуре В области примесной проводимости материал близок к вырождению

Слайд 24


Фосфид галлия GaP Ширина запрещенной зоны - 2,25 эВ Подвижность электронов - 0, 46 м2/Вс Концентрация электронов – 1017-1020м-3 Акцепторы – Mg, Zn, Cd, C, Be Доноры – O, S, Se, Te, Si, Sn
Описание слайда:
Фосфид галлия GaP Ширина запрещенной зоны - 2,25 эВ Подвижность электронов - 0, 46 м2/Вс Концентрация электронов – 1017-1020м-3 Акцепторы – Mg, Zn, Cd, C, Be Доноры – O, S, Se, Te, Si, Sn

Слайд 25


Полупроводниковые соединения группы АIIВVI
Описание слайда:
Полупроводниковые соединения группы АIIВVI

Слайд 26


Особенности соединений AIIBVI Изменение удельного сопротивления в широких пределах термообработкой в парах одного из собственных компонентов. Монокристаллы соединений выпускаются в ограниченных объемах. Области применения – люминесцентные покрытия и экраны, фоторезисторы, солнечные элементы, тонкопленочные транзисторы
Описание слайда:
Особенности соединений AIIBVI Изменение удельного сопротивления в широких пределах термообработкой в парах одного из собственных компонентов. Монокристаллы соединений выпускаются в ограниченных объемах. Области применения – люминесцентные покрытия и экраны, фоторезисторы, солнечные элементы, тонкопленочные транзисторы

Слайд 27


Халькогениды кадмия – CdS, CdSe, CdTe Электронный тип проводимости – обусловлен отклонением стехиометрического состава (недостаток S, Se, Te) CdTe n-CdTe-(избыток Cd) p-CdTe-(вакансии Cd) Концентрация свободных носителей заряда – 1020-1025 м-3 Подвижность электронов – 5,7 м2/Вс
Описание слайда:
Халькогениды кадмия – CdS, CdSe, CdTe Электронный тип проводимости – обусловлен отклонением стехиометрического состава (недостаток S, Se, Te) CdTe n-CdTe-(избыток Cd) p-CdTe-(вакансии Cd) Концентрация свободных носителей заряда – 1020-1025 м-3 Подвижность электронов – 5,7 м2/Вс

Слайд 28


Халькогениды цинка – ZdS, ZnSe, ZnTe - Широкая запрещенная зона – 3,6; 2,7; 2,2 эВ
Описание слайда:
Халькогениды цинка – ZdS, ZnSe, ZnTe - Широкая запрещенная зона – 3,6; 2,7; 2,2 эВ

Слайд 29


Полупроводниковые соединения группы АIVВVI Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe, SnTe Добавление олова (Sn) к теллуриду свинца (PbTe) приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны до нуля.
Описание слайда:
Полупроводниковые соединения группы АIVВVI Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe, SnTe Добавление олова (Sn) к теллуриду свинца (PbTe) приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны до нуля.

Слайд 30


Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe При отклонении от стехиометрического состава обладают электронной проводимостью при избытке Pb, дырочной проводимостью – при избытке элемента VI группы. Узкозонные материалы.
Описание слайда:
Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe При отклонении от стехиометрического состава обладают электронной проводимостью при избытке Pb, дырочной проводимостью – при избытке элемента VI группы. Узкозонные материалы.

Слайд 31


Полупроводниковые соединения группы АIVВIV Карбид кремния SiO2 + 3C  SiC + 2CO, Т=2400-2600С ширина запрещенной зоны  2,39 эВ подвижность электронов  0,1 м2/Вс подвижность дырок  0,006м2/Вс избыток Si – n-тип проводимости избыток С – р-тип проводимости Собственная проводимость начиная с 1400С
Описание слайда:
Полупроводниковые соединения группы АIVВIV Карбид кремния SiO2 + 3C  SiC + 2CO, Т=2400-2600С ширина запрещенной зоны  2,39 эВ подвижность электронов  0,1 м2/Вс подвижность дырок  0,006м2/Вс избыток Si – n-тип проводимости избыток С – р-тип проводимости Собственная проводимость начиная с 1400С

Слайд 32


Способ формирования монокристаллов SiC
Описание слайда:
Способ формирования монокристаллов SiC

Слайд 33


Области применения SiC Светодиоды, мощные выпрямительные диоды, высокотемпературные тензорезисторы. Штампы при формировании низкоразмерных структур
Описание слайда:
Области применения SiC Светодиоды, мощные выпрямительные диоды, высокотемпературные тензорезисторы. Штампы при формировании низкоразмерных структур

Слайд 34


Тонкопленочный светоизлучательный диод (LED)
Описание слайда:
Тонкопленочный светоизлучательный диод (LED)

Слайд 35


Органические полупроводники Органический материал на основе полимера Силы Ван-дер-Ваальса
Описание слайда:
Органические полупроводники Органический материал на основе полимера Силы Ван-дер-Ваальса

Слайд 36


Линейные – пентацен Линейные – пентацен Двумерные соединения со сшитыми кольцами – производные нафталина и фталоцианинов Гетероциклические олигомеры – производные тиофена с р-типом проводимости Применение Светодиоды, органические фотовольтаические элементы, прозрачные тонкопленочные транзисторы, дисплеи с использованием гибких материалов.
Описание слайда:
Линейные – пентацен Линейные – пентацен Двумерные соединения со сшитыми кольцами – производные нафталина и фталоцианинов Гетероциклические олигомеры – производные тиофена с р-типом проводимости Применение Светодиоды, органические фотовольтаические элементы, прозрачные тонкопленочные транзисторы, дисплеи с использованием гибких материалов.

Слайд 37


Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8), слайд №37
Описание слайда:

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию