🗊Презентация Основные понятия твердотельной электроники

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Основные понятия твердотельной электроники, слайд №1Основные понятия твердотельной электроники, слайд №2Основные понятия твердотельной электроники, слайд №3Основные понятия твердотельной электроники, слайд №4Основные понятия твердотельной электроники, слайд №5Основные понятия твердотельной электроники, слайд №6Основные понятия твердотельной электроники, слайд №7Основные понятия твердотельной электроники, слайд №8Основные понятия твердотельной электроники, слайд №9Основные понятия твердотельной электроники, слайд №10Основные понятия твердотельной электроники, слайд №11Основные понятия твердотельной электроники, слайд №12Основные понятия твердотельной электроники, слайд №13Основные понятия твердотельной электроники, слайд №14Основные понятия твердотельной электроники, слайд №15Основные понятия твердотельной электроники, слайд №16Основные понятия твердотельной электроники, слайд №17Основные понятия твердотельной электроники, слайд №18Основные понятия твердотельной электроники, слайд №19Основные понятия твердотельной электроники, слайд №20Основные понятия твердотельной электроники, слайд №21Основные понятия твердотельной электроники, слайд №22Основные понятия твердотельной электроники, слайд №23Основные понятия твердотельной электроники, слайд №24Основные понятия твердотельной электроники, слайд №25Основные понятия твердотельной электроники, слайд №26Основные понятия твердотельной электроники, слайд №27Основные понятия твердотельной электроники, слайд №28Основные понятия твердотельной электроники, слайд №29Основные понятия твердотельной электроники, слайд №30Основные понятия твердотельной электроники, слайд №31Основные понятия твердотельной электроники, слайд №32Основные понятия твердотельной электроники, слайд №33Основные понятия твердотельной электроники, слайд №34Основные понятия твердотельной электроники, слайд №35Основные понятия твердотельной электроники, слайд №36Основные понятия твердотельной электроники, слайд №37Основные понятия твердотельной электроники, слайд №38Основные понятия твердотельной электроники, слайд №39Основные понятия твердотельной электроники, слайд №40Основные понятия твердотельной электроники, слайд №41Основные понятия твердотельной электроники, слайд №42Основные понятия твердотельной электроники, слайд №43Основные понятия твердотельной электроники, слайд №44Основные понятия твердотельной электроники, слайд №45Основные понятия твердотельной электроники, слайд №46Основные понятия твердотельной электроники, слайд №47Основные понятия твердотельной электроники, слайд №48Основные понятия твердотельной электроники, слайд №49Основные понятия твердотельной электроники, слайд №50Основные понятия твердотельной электроники, слайд №51Основные понятия твердотельной электроники, слайд №52Основные понятия твердотельной электроники, слайд №53Основные понятия твердотельной электроники, слайд №54Основные понятия твердотельной электроники, слайд №55Основные понятия твердотельной электроники, слайд №56Основные понятия твердотельной электроники, слайд №57Основные понятия твердотельной электроники, слайд №58Основные понятия твердотельной электроники, слайд №59

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Основные понятия твердотельной электроники. Доклад-сообщение содержит 59 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Твердотельная электроника
Основные понятия твердотельной электроники
Описание слайда:
Твердотельная электроника Основные понятия твердотельной электроники

Слайд 2


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4





Первым электронным переключающим прибором был вакуумный диод, запатентованный в 1904 году англичанином Д.А. Флемингом
Первым электронным переключающим прибором был вакуумный диод, запатентованный в 1904 году англичанином Д.А. Флемингом
Описание слайда:
Первым электронным переключающим прибором был вакуумный диод, запатентованный в 1904 году англичанином Д.А. Флемингом Первым электронным переключающим прибором был вакуумный диод, запатентованный в 1904 году англичанином Д.А. Флемингом

Слайд 5





Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода).
Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода).
Описание слайда:
Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода). Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода).

Слайд 6





С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике. 
С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике.
Описание слайда:
С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике. С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике.

Слайд 7





Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники.
Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники.
Описание слайда:
Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники. Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники.

Слайд 8





Р. Либен (Robert von Liben) (5.09.1878  –20.02.1913 in Vienna) – австрийский физик.
Р. Либен (Robert von Liben) (5.09.1878  –20.02.1913 in Vienna) – австрийский физик.
Описание слайда:
Р. Либен (Robert von Liben) (5.09.1878  –20.02.1913 in Vienna) – австрийский физик. Р. Либен (Robert von Liben) (5.09.1878  –20.02.1913 in Vienna) – австрийский физик.

Слайд 9





Создание первого транзистора
Описание слайда:
Создание первого транзистора

Слайд 10


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11





Создание Первой микросхемы с 5 транзисторами 
12 сентября 1958 г. в 
компании Texas Instruments
Описание слайда:
Создание Первой микросхемы с 5 транзисторами 12 сентября 1958 г. в компании Texas Instruments

Слайд 12





изобретатели интегральной схемы (1959)
изобретатели интегральной схемы (1959)
Нобелевскую премию по физике за ее изобретение присудили лишь в 2000 г.
Описание слайда:
изобретатели интегральной схемы (1959) изобретатели интегральной схемы (1959) Нобелевскую премию по физике за ее изобретение присудили лишь в 2000 г.

Слайд 13





Создание Первой коммерческой ИС с поликремниевым затвором
1968 г.
Описание слайда:
Создание Первой коммерческой ИС с поликремниевым затвором 1968 г.

Слайд 14





Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении. 
Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении.
Описание слайда:
Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении. Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении.

Слайд 15





Выделяют несколько видов связи:

Силы Ван-дер-Ваальса; 
Ковалентная;
Ионная (полярная); 
Металлическая; 
Водородная
Описание слайда:
Выделяют несколько видов связи: Силы Ван-дер-Ваальса; Ковалентная; Ионная (полярная); Металлическая; Водородная

Слайд 16





Кристаллы –
это вещества, в которых составляющие их частицы (атомы, молекулы) расположены строго периодически, образуя геометрически закономерную кристаллическую структуру, при этом выделяют кристаллы изотропные и анизотропны. Анизотропия (от греч. ánisos — неравный и tróроs — направление) – зависимость свойств вещества от направления, аналогично анизотропия – инвариантность свойств по отношению к направлению.
Описание слайда:
Кристаллы – это вещества, в которых составляющие их частицы (атомы, молекулы) расположены строго периодически, образуя геометрически закономерную кристаллическую структуру, при этом выделяют кристаллы изотропные и анизотропны. Анизотропия (от греч. ánisos — неравный и tróроs — направление) – зависимость свойств вещества от направления, аналогично анизотропия – инвариантность свойств по отношению к направлению.

Слайд 17


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №17
Описание слайда:

Слайд 18


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №18
Описание слайда:

Слайд 19


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №19
Описание слайда:

Слайд 20


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №20
Описание слайда:

Слайд 21





Движение электронов в атоме 
Все окружающие нас тела состоят из элементарных частиц (атомов) или из групп определенным образом объединенных атомов (молекул). Любая молекула состоит из совокупности электронов и атомных ядер, движение и взаимное расположение которых определяют значение внутренней энергии молекулы
Описание слайда:
Движение электронов в атоме Все окружающие нас тела состоят из элементарных частиц (атомов) или из групп определенным образом объединенных атомов (молекул). Любая молекула состоит из совокупности электронов и атомных ядер, движение и взаимное расположение которых определяют значение внутренней энергии молекулы

Слайд 22


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29





Постулаты Бора
Описание слайда:
Постулаты Бора

Слайд 30


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №30
Описание слайда:

Слайд 31


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33





Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой 
Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой
Описание слайда:
Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой

Слайд 34





Квантование энергии атома
Запишем условие вращения электрона массы      по круговой орбите радиуса r под действием кулоновской силы со стороны ядра и формулу Бора квантования момента импульса электрона:
Описание слайда:
Квантование энергии атома Запишем условие вращения электрона массы по круговой орбите радиуса r под действием кулоновской силы со стороны ядра и формулу Бора квантования момента импульса электрона:

Слайд 35





Решая эту систему уравнений, находим для радиусов стационарных орбит электрона в атоме водорода следующее выражение
Решая эту систему уравнений, находим для радиусов стационарных орбит электрона в атоме водорода следующее выражение
Описание слайда:
Решая эту систему уравнений, находим для радиусов стационарных орбит электрона в атоме водорода следующее выражение Решая эту систему уравнений, находим для радиусов стационарных орбит электрона в атоме водорода следующее выражение

Слайд 36





Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение 
Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение 
Полная энергия электрона, движущегося по n -ой стационарной орбите, складывается из его кинетической энергии
и потенциальной энергии кулоновского взаимодействия электрона с ядром 
                                                                                                эВ
Описание слайда:
Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение Полная энергия электрона, движущегося по n -ой стационарной орбите, складывается из его кинетической энергии и потенциальной энергии кулоновского взаимодействия электрона с ядром эВ

Слайд 37





Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории.
Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории.
Для описания атома используют квантовые числа – энергетические параметры, определяющие состояние электрона и тип атомной орбитали, на которой он находится
Описание слайда:
Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории. Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории. Для описания атома используют квантовые числа – энергетические параметры, определяющие состояние электрона и тип атомной орбитали, на которой он находится

Слайд 38





квантовые числа
Описание слайда:
квантовые числа

Слайд 39


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №39
Описание слайда:

Слайд 40


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №40
Описание слайда:

Слайд 41





Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как     . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних.
Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как     . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних.
Для внешних (валентных) электронов атома его ядро и внутренние атомные электронные оболочки образуют "квази-ядро", внутренний остов, суммарный положительный электрический заряд которого меньше, чем заряд ядра. Например, у атомов второго периода периодической системы элементов остовом атома является ядро, экранированное внутренней электронной оболочкой, т.е. катион с положительным электрическим зарядом (z-2).
Описание слайда:
Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних. Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних. Для внешних (валентных) электронов атома его ядро и внутренние атомные электронные оболочки образуют "квази-ядро", внутренний остов, суммарный положительный электрический заряд которого меньше, чем заряд ядра. Например, у атомов второго периода периодической системы элементов остовом атома является ядро, экранированное внутренней электронной оболочкой, т.е. катион с положительным электрическим зарядом (z-2).

Слайд 42


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №42
Описание слайда:

Слайд 43





Орбитальное квантовое число l
определяет форму орбитали. Значение орбитального числа l=(n-1)=0,1,2,3...(n-1). 

Также вводят буквенные обозначения: орбитали с l = 0 называются s-орбиталями,  
l = 1 – р-орбиталями (3 типа, отличающихся магнитным квантовым числом m),
l = 2 – d-орбиталями (5 типов), 
l = 3 – f-орбиталями (7 типов)
Описание слайда:
Орбитальное квантовое число l определяет форму орбитали. Значение орбитального числа l=(n-1)=0,1,2,3...(n-1). Также вводят буквенные обозначения: орбитали с l = 0 называются s-орбиталями,  l = 1 – р-орбиталями (3 типа, отличающихся магнитным квантовым числом m), l = 2 – d-орбиталями (5 типов),  l = 3 – f-орбиталями (7 типов)

Слайд 44


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №44
Описание слайда:

Слайд 45


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №45
Описание слайда:

Слайд 46





Изображения атомных орбиталей: 1 ряд – s-орбитали; 
Изображения атомных орбиталей: 1 ряд – s-орбитали; 
2 ряд– р-орбитали; 3 ряд– d -орбитали; 4 ряд– f -орбитали
Описание слайда:
Изображения атомных орбиталей: 1 ряд – s-орбитали; Изображения атомных орбиталей: 1 ряд – s-орбитали; 2 ряд– р-орбитали; 3 ряд– d -орбитали; 4 ряд– f -орбитали

Слайд 47





Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области. 
Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области.
Описание слайда:
Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области. Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области.

Слайд 48


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №48
Описание слайда:

Слайд 49





Магнитное квантовое число
   характеризует величину магнитного поля, создаваемого при вращении электрона вокруг ядра. Поэтому значение магнитного квантового числа m связано со значением орбитального квантового числа и изменяется от –l до + l, а всего число может принимать (2l+1) значение, включая нулевое. 
Например, для l = 2: m = -2, -1, 0, 1, 2.
Описание слайда:
Магнитное квантовое число характеризует величину магнитного поля, создаваемого при вращении электрона вокруг ядра. Поэтому значение магнитного квантового числа m связано со значением орбитального квантового числа и изменяется от –l до + l, а всего число может принимать (2l+1) значение, включая нулевое. Например, для l = 2: m = -2, -1, 0, 1, 2.

Слайд 50


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №50
Описание слайда:

Слайд 51


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №51
Описание слайда:

Слайд 52


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №52
Описание слайда:

Слайд 53


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №53
Описание слайда:

Слайд 54


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №54
Описание слайда:

Слайд 55


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №55
Описание слайда:

Слайд 56


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №56
Описание слайда:

Слайд 57





Спиновое квантовое число s 
Электрон помимо координат и импульса характеризуется вектором спина. 
Внутренний момент импульса, связанный с вращением, назвали спином (от англ. spin – вращение), а момент, связанный с вращением вокруг ядра – орбитальным моментом. 
Спин, подобно заряду, – внутренняя характеристика электрона, в классической теории аналогичного понятия быть не может. 
Спиновое число s =+½.
Описание слайда:
Спиновое квантовое число s Электрон помимо координат и импульса характеризуется вектором спина. Внутренний момент импульса, связанный с вращением, назвали спином (от англ. spin – вращение), а момент, связанный с вращением вокруг ядра – орбитальным моментом. Спин, подобно заряду, – внутренняя характеристика электрона, в классической теории аналогичного понятия быть не может. Спиновое число s =+½.

Слайд 58


Основные понятия твердотельной электроники, слайд №58
Описание слайда:

Слайд 59





Число орбиталей на энергетических подуровнях
Описание слайда:
Число орбиталей на энергетических подуровнях



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию